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一种铝基复合材料用 Al-Si-Ti 系三元活性钎料
一种对可改善铝基复合材料润湿性的Al-Si-Ti系三元活性钎料；其成分为：7~14%Si，0.1~1.2%Ti，余Al；施焊时，预置后适当加压，再加热至约610℃。对体积分数为30%的氧化铝短纤维强化的纯铝基复合材料采用Al-12Si-0.5Ti钎料可获得接头有效系数达99%以上的优质接头，远远优于现有各文献报道的焊接效果。
西安交通大学
2021-04-11
次氧化锌粉深度治理低浓度 SO2 烟气耦合提取有价组元新 技术
用次氧化锌粉浆液吸收治理低浓度 SO 2 烟气，同时实现次氧化锌粉中伴生有价组元的耦合提取；采用亚硫酸锌浆液的催化氧化方法，同时实现了浆液中 F、Cl 离子的耦合共沉淀；优化创新了高砷含氟、氯物料的硫酸化焙烧脱砷/脱氟/脱氯技术，实现了砷/氟/氯的协同治理；优化创新了铟的富集、提取技术，形成绿色、高效的次氧化锌粉深度治理低浓度 SO 2 烟气耦合提取有价组元新技术。
北京科技大学
2021-04-13
基于体内代谢机制的灯盏乙素苷元甲基化产物 及其制备方法和其应用
【发 明 人】李念光；唐于平；段金廒【摘要】本发明涉及药物化学研究领域，具体涉及一类新型的基于体内代谢机制的灯盏乙素苷元甲基化产物以及它的制备方法和在防治血栓药物中的应用。药理实验结果表明，本发明提供的灯盏乙素苷元甲基化产物具有较好的溶解性以及抗氧化、抑制细胞损伤等药理作用，可开发成新的防治血栓性疾病的药物。
南京中医药大学
2021-04-13
低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物及其制备方法
本发明公开了低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物及其制备方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯经熔融共混制备得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超过20vol％。本发明还提供了所述低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物的制备方法。本发明加工过程操作简单、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本发明所述三元共混物能够在聚苯乙烯含量很低的情况下形成连续相结构，这样的结构拓宽了共混物在低含量下的连续相结构应用以及其潜在的功能化结构设计。
四川大学
2016-09-29
利用秸秆和废弃动物蛋白制造木霉固体菌种及木霉全元生物有机肥
本成果发明了以秸秆和废弃动物蛋白酸解氨基酸为原料，物料和空间均无需严格灭菌下大规模制造木霉固体菌种的技术工艺，突破了木霉全元生物有机肥制造技术瓶颈。
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
木霉生物量大、根表定殖能力强、次生代谢产物种类多和含量高，促生和生防效果比细菌更显著，但木霉在液体扩繁后期不能有效产孢，需再进行固体发酵才能获得高浓度木霉固体菌种，传统工艺原料贵、物料严格灭菌成本高，难以扩大规模，这是木霉生物有机肥产业中的技术瓶颈。本成果发明了以秸秆和废弃动物蛋白酸解氨基酸为原料，物料和空间均无需严格灭菌下大规模制造木霉固体菌种的技术工艺，突破了木霉全元生物有机肥制造技术瓶颈。
南京农业大学
2022-07-25
微流控凝血企业普施康获亿元C轮融资，发力POCT检测市场
该公司已经建立和完善了以血凝和化学发光为核心的两大微流控技术平台，共完成了对微流控凝血、微流控化学发光、微流控生化检测三大技术平台产品的布局。
深圳市众博企业服务有限公司
2021-02-23
助力中国工厂数字化转型，黑湖智造完成近5亿元C轮融资
2月22日，新一代制造协同软件厂商黑湖智造宣布完成近5亿元C轮融资，由淡马锡领投，华兴新经济基金、光速中国、金沙江创投、BAI资本、GGV纪源资本、真格基金等跟投，泰合资本担任本轮融资的独家财务顾问。
深圳市众博企业服务有限公司
2021-02-23
敏芯股份：拟以0.9亿元认缴出资设立MEMS研究院投资中心
敏芯股份公告，苏州敏芯微电子技术股份有限公司拟作为有限合伙人与苏州园丰资本管理有限公司、中新苏州工业园区创业投资有限公司以及苏州纳米科技发展有限公司共同投资设立产业投资基金“MEMS研究院投资中心（有限合伙）”（暂命名）。
中新苏州工业园区创业投资有限公司
2021-02-23
Teemo合作 | 天尚元×容大智造开启全面战略合作，聚焦滑板底盘全球化商业探索
Teemo天尚元与Cenntro容大智造的此次合作，充分表明了双方对滑板底盘新技术的积极探索，为未来可拓展的城市应用场景提前做好准备。
浙江天尚元科技有限公司
2022-06-20
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10