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脑神经在头颈部分布模型、十二对脑神经
XM-639脑神经在头颈部分布模型（十二对脑神经）
XM-639脑神经在头颈部分布模型（十二对脑神经模型）上带部分颅底，眶的上壁和外侧壁已剖掉，暴露出眼球、眼球外肌和眶内神经、下颌支及部分颞骨、颈部浅层肌除去暴露出脑神经在颈部的分布；颅底内面可见十二对脑神经出入颅底孔裂的情况，在正中面上，上鼻甲粘膜内可见嗅神经丝穿筛孔进入嗅球，切开鼻腔外侧壁暴露翼腭神经节及其分支；眶内显示眼球、眼球外肌，
动眼神经、滑车神经、展神经、三叉神经眼支和睫状神经节的位置的分布；下颌支及颞骨一部已切去，显露三叉神经的上颌神经，下颌神经的走行、分支、分布和下颌下神经节；面神经在面神经管内分出岩大浅神经和鼓索的情况，舌咽神经、迷走神经在颈部走行、分布情况，副神经支配胸锁乳突肌和斜方肌，舌下神经进入舌内等情况。
尺寸：放大2倍，42.5×15×40cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
像元解混逆过程：规格化多端元分解的高光谱重构方法
本发明涉及一种像元解混逆过程：规格化多端元分解的高光谱重构方法,其特征在于：包括多光谱图像的反射率图像进行规格化多端元分解获得高光谱数据,多光谱影像中提取的地物光谱可分解为光谱形状和像元值两本分的线性组合,规格化多端元分解的高光谱重构方法就是根据光谱库中纯端元进行不同性质的混合来获取混合场景中最优的端元组分,从而避免端元过多带来的噪声放大和端元过少造成的精度下降现象,并在精确解混的基础上考虑端元的时空变化,在减少计算量同时准确重构高光谱数据。
北京大学
2021-02-01
神经形态忆阻器
传统计算机采用分立的处理器和存储器，所有计算数据都要通过总线进行搬运，造成了存储墙、功耗墙等突出问题。基于忆阻器的神经形态器件能够在物理层面模拟生物突触、神经元信息处理功能，从而实现局域的存算融合，从根本上解决冯诺依曼瓶颈，带来巨大的性能和能效提升。
北京大学
2021-02-01
脊髓和脊神经模型
XM-619-1脊髓和脊神经模型
XM-619-1脊髓和脊神经模型放大5倍，由2个胸椎和4对脊神经组成，脊髓作圆柱体贯穿于椎管中，在脊髓横切面上，可以观察位于中央的蝶形构造的灰质和包围在它四周的白质，模型上段脊髓游离，显示包在外面的三层不同厚薄的被膜，即硬脊膜、蛛网膜和软脊膜，并剖示被膜层次，显示脊神经的前后根部；在脊髓两侧，有前根和后根合成脊神经，出椎间孔，脊神经交通支连接位于椎体两侧的交感神经干。
尺寸：放大5倍，13×16.5×23.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
苏州仪元科技有限公司
苏州仪元科技有限公司（SIE）坐落在风景秀丽的苏州城区。原名苏州仪表元件厂，始创1958年，国家机械工业部直属企业。公司注册资本1522万元，资本总额6000万元。 根据产品的服务领域，SIE下设6个分厂，1个研究所，2个外企配套加工基地。并同日本松下电器集团，日本沙迪克集团分别成立合资企业。另设深圳分公司及商务所，北京分公司，香港办事处。 SIE以高品质、高效率、高信誉为经营目标；以人为本、严格计划、精细管理；倡导良好的企业文化，致力于把公司建设成为员工之家、客户之家，努力推进企业生产经营同国际市场相接轨。 历经40余年市场锤炼，SIE现已发展成为资源有保障，品牌有市场，研发力量雄厚，生产检测装备先进，具有多元化产业特色的高新技术企业。我们将继续遵循"对客户负责，为社会发展作贡献"的公司经营方针，竭诚为海内外客户服务。
苏州仪元科技有限公司
2021-01-15
射频集成电路设计产品
该芯片采用低成本可集成的标准0.25umCMOS工艺实现三波段单变频结构的数字电视调谐器专用芯片，在传统射频调谐芯片的基础上，集成了可变增益放大器，提高了芯片集成度，降低了调谐器产品成本。并调整了部分版图结构，可以实现48～860MHz数字电视信号的全波段接收。芯片采用LQFP44封装。
东南大学
2021-04-10
碳基CMOS集成电路技术
发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。
北京大学
2021-02-22
压印法集成电路光刻技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
抗辐射加固存储单元电路
本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余
华中科技大学
2021-04-14
集成电路与微显示技术
集成电路设计 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。 我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建
南开大学
2021-04-14