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与猪生长速度相关分子标记克隆及应用
本发明属于家畜基因工程技术领域，具体涉及一种作为猪标记辅助选择应用的与生长速度性状相关的分子标记及应用。所述的分子标记由COPB1基因克隆得到，它的DNA序列如序列表SEQ ID NO：1所述。在序列表SEQ ID NO：1的第744bp处有一个C744——T744的碱基突变，导致RsaI——RFLP多态性。本发明还公开了扩增COPB1基因部分DNA序列所用的引物以及用于多态性检测方法，为猪的标记辅助选择提供了一个新的分子标记。
华中农业大学
2021-01-12
DJ-ROOT3D植物根系生长监测系统
DJ-ROOT3D根系生长监测系统采用目前国际认可的微根窗技术，结合3D全景成像，一次性获取整个根管的剖面图像，掌握土壤中根系的生长动态，解决了目前市场上原位根系检测设备每个根管要多次扫描、分析时需要拼接带来的问题。
点将（上海）科技股份有限公司
2021-02-01
运动系统模型
1、参照典型人体标本及国内外经典权威教材及图谱制作，如人卫出版社丁文龙主编的《系统解剖学》、人卫出版社南京医学院主编的《人体解剖学图谱》、江苏科学技术出版社姜同喻编著的《连续层次解剖图谱》、山东科学技术出版社丁自海主译《格式解剖学》、广东科技出版社胡耀民主编的《人体解剖学标本彩色图谱》等，造型自然准确、颜色自然，满足教学需要；
张家港市华亿科教设备有限公司
2024-12-23
基于离散元的单向增强复合材料代表性体元的生成方法
本发明公开了一种基于离散元的单向增强复合材料代表性体元的生成方法，属于复合材料仿真以及数值模拟技术领域。该方法包括以下步骤：给定ＲＶＥ的几何尺寸、纤维体积分数和纤维半径，其中纤维横截面为圆形，生成过程中将纤维视为基本的离散元，ＲＶＥ剩余部分视为基体，即可生成满足参数的代表性体元；生成纤维的过程是随机的，生成的纤维在空间上是周期性分布的，即纤维在代表性体元的上边界和下边界、左边界和右边界的分布规律完全一致，所生成的代表性体元不依赖纤维的预先分布和排列，能够得到纤维体积分数很大的代表性体元。
东南大学
2021-04-11
一种便于研究植物根系生长的水培装置
本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。
青岛农业大学
2021-04-13
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够
华中科技大学
2021-04-14