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基于负能流区优化的新型双涂层太阳能高温真空集热管
成果创新点 一种高效真空集热管，针对真空集热管周向的负能流区 域和聚光区域的选择性吸收涂层分别进行独立的优化设计， 提出了双涂层新型太阳能高温真空集热管。双选择性吸收涂 层技术的提出有效降低了真空集热管辐射热量损失、提高了 真空集热管集热效率，为真空集热管提升综合性能提出了一 种新思路、新方法。 经过试验和理论分析，双选择性吸收涂层技术可使新型 真空集热管有效降低 25%-31%（550℃
中国科学技术大学
2021-04-14
跨太空和大气层的动目标红外辐射特性反演方法及系统
本发明公开了一种跨太空和大气层的动目标红外辐射特性反演方法及系统，其中，方法的实现包括：首先确定测量系统与被观测动目标之间的路径类型，然后计算当前路径类型下的红外辐射传输特性参数，最后根据多次测量的被观测动目标像方的红外辐射亮度平均值和红外辐射传输特性参数进行被观测动目标物方红外辐射亮度的反演计算。实施本发明可以解决跨太空和大气层红外辐射传输特性参数计算和物方红外辐射亮度反演计算的技术难题。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法
本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻的非易失性 D 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失 D 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建 D 触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点
华中科技大学
2021-04-14
一种基于板面控形的大型板金件电磁渐进成形方法
本发明属于电磁渐进成形领域，并具体公开了一种基于板面控 形的大型板金件电磁渐进成形方法，该方法采用分层的方式成形大型 板金件，其包括如下步骤：首先采用平面螺旋线圈按照等高线轨迹移 动放电成形待成形工件的首层；然后采用曲面线圈按照螺旋线轨迹移 动放电成形待成形工件的除首层和底层之外的其他层；最后采用平面 螺旋线圈按照等高线轨迹移动或固定位置多次放电成形待成形工件的 底层，以此实现大型板金件的电磁渐进成形。本发明可通过线
华中科技大学
2021-04-14
现对部分有机客体及有机药物分子的选择性强键合
生物受体可以有效地利用非共价键作用和疏水效应实现对有机底物的高效选择性识别（图2）。相反，大多数合成主体对有机底物的识别选择性和强度较差。该课题组近期研究发现酰胺萘管能有效地利用疏水作用和氢键作用实现对部分有机客体及有机药物分子的选择性强键合，进而实现了部分水溶性较差的药物分子的增溶。这一研究在药物科学领域具有较高的应用潜力。
南方科技大学
2021-04-14
一种基于图像处理技术的群集运动数据采集方法及系统
本发明公开了一种群集运动实验数据采集方法及系统，方法包括以下步骤：在实验场景中采集群集运动目标的视频；从当前视频帧中提取目标运动区域；对目标运动区域滤除背景；将滤除背景的目标运动区域与目标灰度阈值进行比较，判定大于目标阈值的像素点为可疑目标像素点，将邻近的可疑目标像素点视为一个可疑目标；将可疑目标与预定目标长度、宽度和面积阈值进行比较，判定可疑目标为个体目标、多目标重合、非目标中的一种；根据历史目标位置、速度和
华中科技大学
2021-04-14
一种含新能源电力系统调峰需求的评估方法
本发明公开了一种含新能源电力系统调峰需求的评估方法，包 括：统计发生概率大于 0.95 的正净负荷预测误差边界值，发生概率大 于 0.95 的负净负荷预测误差边界值；生成位于正净负荷预测误差边界 和负净负荷预测误差边界之间的净负荷预测误差代表场景；根据所得 的净负荷预测误差代表场景，对次日可能发生的净负荷场景进行预测； 计算预测得到的净负荷场景中的最大峰谷差，作为所求的电力系统次 日的调峰需求。本发明可以根据日前预测的新能源出力的随机特征而 制定出更加准确的调峰需求容量，从而使得电力系统在保证安全运
华中科技大学
2021-04-14
一种用于多自由度倒装键合过程的芯片控制方法
本发明公开了一种用于多自由度倒装键合过程的芯片控制方法，其主要控制过程包括：获取芯片的贴装位置信息；键合头拾取芯片，获取芯片 Z 旋转轴和 X/Y 直线轴的角度及位置粗调偏差值，然后在执行粗调的同时，实现 X/Y 直线轴的闭环跟随控制；获取芯片 X/Y 旋转轴的当前实际角度值，并在逐次选择 X/Y 旋转轴执行角度闭环控制的同时，实现另外两直线轴的位置闭环跟随控制；获取芯片 Z 旋转轴和X/Y 直线轴的角度及位置精调偏差值，然后在执行精调的同时，实现X/Y 直线轴的闭环跟随控制。通过本发明，可使得芯片
华中科技大学
2021-04-14
一种高质量氧化铝陶瓷的刻蚀加工方法及装置
本发明公开了一种氧化铝陶瓷的刻蚀加工方法及装置，该方法 使洁净的氧化铝陶瓷整体位于水中，水表面到氧化铝陶瓷材料表面距 离为 2mm～12mm，利用紫外脉冲激光对氧化铝陶瓷进行扫描刻蚀加 工，刻蚀加工后的氧化铝陶瓷表面无发黑变质层和重凝层。装置包括 紫外激光器、扫描振镜，二维加工平台，以及用于装水和待加工的氧 化铝陶瓷的容器。本发明巧妙的引入“水”的因素，在一定厚度或一 定流速的水下对氧化铝陶瓷进行激光刻蚀的冷却和排渣
华中科技大学
2021-04-14