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一种半导体芯片的外观检测装置
本发明公开了一种半导体芯片的外观检测装置，包括吸取机构、U 形反光板、两个光源、平面反射镜、镜头、相机及调节机构，吸取机构用于吸取待检测芯片至待检测位，U 形反光板安装在吸取机构上，对称设置在芯片侧方，两光源发出的光一部分照射在 U 形反光板上，对芯片底面和其中的一组对边侧面进行背光照明，一部分对芯片的另一组对边侧面进行背光照明，平面反射镜为多个，倾斜对称均匀设置在芯片下方四周，使经平面反射镜反射后的光线垂直入射到镜头前端面，镜头安装在相机上，位于芯片下方，相机安装在调节机构上，调节机构用于调节所述
华中科技大学
2021-01-12
基于半导体制冷的迷你多用空调扇
本实用新型涉及家用电器领域，公开了基于半导体制冷的迷你多用空调扇，其包括保温层(1)、冷端开门(6)和热端开门(14)，冷端开门(6)和保温层(1)围成一个冷藏室(5)，热端开门(14)和保温层(1)围成一个加热室(15)；保温层(1)上设有半导体制冷片(20)，半导体制冷片(20)左端设有冷端肋片(21)；保温层(1)上设有底座(2)，底座(2)铰接有连杆(3)，连杆(3)上设有风扇(4)；半导体制冷片(20)右端设有热端肋片(25)，保温层(1)上设有第一凹槽(23)，第一凹槽(23)内设有活动板(24)。本实用新型具有同时具备制冷和制热功能，提高使用寿命，提升储物空间的效果。
浙江大学
2021-04-13
半导体光刻胶成膜树脂制备技术
1.痛点问题
光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。
2.解决方案
本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。
3.合作需求
本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。
1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。
2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。
清华大学
2022-07-12
半导体集成电路生产工艺监测设备
CSM4A系列多功能C-V测试系统，经国家“七五”、“八五”两届重点科技攻关，已在我校研制成功，并被多个半导体集成电路生产厂家和研究所使用。该项目由陈光遂教授主持完成。原电子工业部鉴定认为：该C-V测试系统具备八项测试功能，数据可靠，实用性强，人机界面良好。总体水平已达到九十年代国际先进水平，并有独创性，可以替代进口设备。主要测试功能有：MOS高频CV，M
西安交通大学
2021-01-12
酰亚胺基有机半导体领域取得重要进展
NDI聚合物现已经成为最成功的N-型高分子半导体，取得了极其优异的晶体管性能并保持着多项全聚合物电池的效率记录。郭旭岗同时深入研究了酰亚胺单体家族的另外一个重要成员：双噻吩酰亚胺(Bithiophene imide, BTI)，并构建了一系列基于BTI的聚合物半导体(J. Am. Chem. Soc. 2011,133,1405;J. Am. Chem. Soc. 2012,134, 18427;Adv. Mater. 2012,24, 2242; Nature Photonics 2013,7,825;J. Am. Chem. Soc. 2014,136,16345;J. Am. Chem. Soc. 2015,137,12565)。与NDI和PDI相比，BTI具有更高的化学活性和大幅度减小的位阻，从而提供了一个前所未有的机会对其结构进行拓展优化。在前期工作中，郭旭岗团队利用稠环策略成功合成了一系列(半)梯型有机半导体，并在晶体管和全聚合物电池中取得了可比于NDI和PDI聚合物的器件性能(Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 9924; Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 15304; J. Am. Chem. Soc. 2018,140,6095.)。但是，噻吩相对于苯环更富有电子,在一定程度上减弱了半导体的电子亲和力。因此通过拉电子基团功能化BTI不仅会产生更强的电子受体单体,同时还能解决NDI和PDI结构上的缺陷。基于此，郭旭岗团队克服了合成上的挑战，成功制备出新颖的氟取代的酰亚胺及其聚合物半导体。理论计算表明,相对于没有氟的单体f-BTI2,氟取代的单体f-FBTI2表现出更低的能级，有助于提升聚合物的N-型性能。 相比于f-BTI2-T和之前报道的s-BTI2-FT和f-BTI2-FT的全聚合物电池，以f-FBTI2-F为电子受体材料的电池实现了性能的巨大提升，能量转化效率达到8.1%(图2)，同时实现了高达1.05V的开路电压值和低至0.53eV的能量损失。与NDI和PDI有着不同的结构和电子特性的新型受体单体f-FBTI2的出现将衍生出更多高性能N-型聚合物，为发展高效的全聚合物电池提供了全新的材料体系。
南方科技大学
2021-04-13
氧化石墨烯敏化半导体气敏材料及其特异性检测
氧化石墨烯具有独特的二维结构、丰富的表面官能团及 P 型半导体性质。通 过氧化石墨烯与 ZnO 纳米片及 SnO2 纳米纤维进行复合，大幅度提升了其对丙酮、 甲醛等特异性气体检测。其敏感性能的提升归因于氧化石墨烯和半导体材料二者 的协同效应。相关研究解决了现有技术中的半导体气体传感器检测限和选择性较 低的问题。
上海理工大学
2021-01-12
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
新一代基座大模型GLM-4
项目负责人：唐杰，清华大学计算机系WeBank讲席教授、大模型研究中心主任，国家级人才，ACM/AAAI/IEEE Fellow。研究兴趣包括人工智能、知识图谱、数据挖掘、社交网络、大语言模型等。曾获ACM SIGKDD Test-of-Time Award（十年最佳论文）、IEEE ICDM研究贡献奖、国家科技进步二等奖。
运营团队：2019年，智谱AI成立，迅速形成以清华大学计算机系98级张鹏为CEO、高文院士弟子刘德兵为董事长、清华创新领军博士王绍兰等为核心的运营团队。
清华大学计算机系知识工程实验室李涓子、唐杰、许斌等人建立了完全自主知识产权的科技情报挖掘与智能服务平台，申请专利40余项。2019年，通过科技成果转化，北京智谱华章科技股份有限公司（以下简称“智谱AI”）成立，致力于打造新一代认知智能大模型，与学校合作研发了双语千亿级超大规模预训练模型GLM-130B，并基于此千亿基座模型打造了对话模型ChatGLM，具有双语、高精度、快速推理、可复现、跨平台等核心优势，在此基础上开源单卡版模型ChatGLM-6B，全球下载量已超过1000万次。
2024年1月，新一代基座大模型GLM-4正式推出，整体性能相比上一代大幅提升，比肩世界先进水平。它支持更长上下文，具备更强多模态能力，推理速度更快，支持更高并发，大大降低推理成本。同时，GLM-4的智能体能力得到大幅提升，可根据用户意图，自动理解、规划指令以完成复杂任务。GLMs个性化智能体定制功能亦同时上线，用户用简单提示词指令即能创建属于自己的GLM智能体，由此任何人都能实现大模型的便捷开发。
清华大学
2025-05-16
可调谐外腔式半导体激光器
西安交通大学
2021-04-10
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11