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高性能石墨浆料
我们通过对热固性树脂材料和其它一些助剂的筛选，配制了一种导电性能和耐水性良好，并可以在较低温度下固化成膜的石墨导电胶，其性能达进口产品的水平。已通过国防科工委的项目鉴定，达国内领先水平。
南京工业大学
2021-01-12
聚((甲基)丙烯酸-b-丁二烯)嵌段共聚物及其制备方法
本发明公开了一种聚((甲基)丙烯酸-b-丁二烯)嵌段共聚物及其制备方法。它是将0.5～10重量份的双亲性大分子可逆加成断裂链转移试剂加到20～80重量份水中,形成水相;将水相和0.001～0.05重量份引发剂一起移入高压反应釜,搅拌中通氮气排氧10～30分钟,抽真空,重复2～3次,加入5～30重量份丁二烯,加热升温至60～80℃,聚合反应3～20小时,冷却出料。本发明流程设备简单,过程环保节能,产物聚((甲基)丙烯酸-b-丁二烯)嵌段共聚物在胶粘剂、相容剂、分散剂等许多领域有良好的应用前景。
浙江大学
2021-04-13
汽车轻量化与新材料
本项目在轻量化环保热塑性复合材料开发及应用，智能材料开发与应用，结构设计及分析等方面进行深入研究，已完成前端模块、座椅骨架、SUV尾门、保险杠、复材弹簧的开发。在材料、工艺、载荷方面取得了较大突破。 本项目团队来自北航交通科学与工程学院，团队成员包括孙凌玉教授、康宁副教授、李立军讲师、郭春杰高工以及团队中多位博士、硕士生。团队主要研究方向为复材结构设计与仿真、智能材料及失效诊断、优化设计与工艺仿真、连接建模仿真与实验等。
北京航空航天大学
2021-04-10
汽车轻量化与新材料
本项目在轻量化环保热塑性复合材料开发及应用，智能材料开发与应用，结构设计及分析等方面进行深入研究，已完成前端模块、座椅骨架、SUV尾门、保险杠、复材弹簧的开发。在材料、工艺、载荷方面取得了较大突破。
本项目团队来自北航交通科学与工程学院，团队成员包括孙凌玉教授、康宁副教授、李立军讲师、郭春杰高工以及团队中多位博士、硕士生。团队主要研究方向为复材结构设计与仿真、智能材料及失效诊断、优化设计与工艺仿真、连接建模仿真与实验等。
北京航空航天大学
2021-05-09
演示器 类
产品详细介绍
普教仪器类产品：QQ:1253764387 电话：0571-88993992 手机：15356159906
浙江久良教育科技股份有限公司
2021-08-23
实验器 类
产品详细介绍
普教仪器类产品：QQ:1253764387 电话：0571-88993992 手机：15356159906
浙江久良教育科技股份有限公司
2021-08-23
肖伟烈团队在二萜类抗炎活性分子研究方面取得重要进展
云南大学教育部自然资源药物化学重点实验室肖伟烈团队在具有抗炎活性的天然小分子研究方面取得新进展，围绕巨噬细胞NLRP3炎症小体和NF-κB信号通路，从多种药用植物中发现了一系列结构新颖、活性显著的二萜类化合物。 该团队从大戟科大戟属植物泽漆（Euphorbia helioscopia）中发现三个具有重排Jatrophane-型骨架的新颖二萜衍生物， Euphopias A–C。其中Euphopias A和B 是以三环[8.3.0.02,7]十三烷为核心的新骨架二萜，Euphopia C则是以四环[11.3.0.02,10.03,7]为核心的新骨架二萜。
云南大学
2021-02-01
一种基于广义第二类贝塔分布的洪水频率分析方法
本发明公开了一种基于广义第二类贝塔分布的洪水频率分析方法，属于水文学中的洪水预报领域。该发明方法率先将广义第二类贝塔分布引入洪水频率分析中，建立洪水概率密度预测模型，并依据分布函数特点采用最大熵原理实现洪水概率密度预测模型的参数推导，将河流历年洪峰序列代入参数推导公式中求出参数，再将参数代入洪水概率密度预测模型，最后利用完整的洪水概率密度预测模型预测大规模洪水的概率预测。本发明的洪水概率分析方法非常适合水文频率分析，其拟合效果基本优于水文中的其它传统分布，本发明为水文频率分析提供了一种更加有效的途径
华中科技大学
2021-04-14
肖伟烈团队在二萜类抗炎活性分子研究方面取得重要进展
项目成果/简介:云南大学教育部自然资源药物化学重点实验室肖伟烈团队在具有抗炎活性的天然小分子研究方面取得新进展，围绕巨噬细胞NLRP3炎症小体和NF-κB信号通路，从多种药用植物中发现了一系列结构新颖、活性显著的二萜类化合物。 该团队从大戟科大戟属植物泽漆（Euphorbia helioscopia）中发现三个具有重排Jatrophane-型骨架的新颖二萜衍生物， Euphopias A–C。其中Eup
云南大学
2021-01-12
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14