高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
管腔类手术器械清洗架
管腔类手术器械清洗架,涉及医疗辅助器械领域,包括车架、格栅、主水管、分水管和对接管,所述主水管竖直设置并与所述车架固定连接,所述车架内安装有多层格栅;每层所述格栅下固定连接有所述分水管,所述分水管呈T字或十字型且中部与所述主水管连通;每层所述分水管左右两侧分别竖直连接有多个对接管,所述对接管底端设置有增压滤头,所述增压滤头沉于所述分水管内部,所述对接管的进水孔设置于所述增压滤头表面;不仅能够批量高压清洗官腔类手术器械,并能避免水流内杂质/气泡堵塞管腔器械,保证水流冲击清洗力。
青岛大学 2021-04-13
人才需求:石油化工类
石油化工类
山东红花防水建材有限公司 2021-09-03
熊祖洪教授课题组在有机发光二极管的器件物理研究领域取得新进展
利用有机发光二极管(OLEDs)中激发态的指纹式磁效应曲线作为一种灵敏高效的探测工具,物理科学与技术学院熊祖洪课题组在有机半导体明星材料¾红荧烯(Rubrene)中发现了一个有利于增强器件发光效率的激子演化通道,即激子的高能态反向系间窜越(High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC),T2®S­1®S0+hn)过程,并通过调控器件载流子浓度、工作温度、客体掺杂浓度以及控制器件结构对该HL-RISC通道的产生条件、正常与反常的物理行为表现以及如何实现高效率发光和低效率滚降等方面进行了详细探究。 OLEDs在平板显示和固态照明领域具有广阔的应用前景,尽管基于有机发光的手机显示屏和电视已开始市场化,但进一步提升其发光效率和延长其使用寿命仍然是该领域的两大研究方向。因理论上能够实现100%的内量子效率,具有常规RISC (T1®S­1)通道的热活化延迟荧光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有机材料和具有HL-RISC (T2®S­1)过程的有机半导体是目前OLEDs领域的热点研究体系,这是由于无论是RISC还是HL-RISC都可以将占激子总数3/4的不发光三重态T激子转变成发光的单重态S激子,从而实现发光效率的成倍增强。显然,研究这些激子及其前驱体(precursor, 如极化子对(polaron-pair))和TADF材料以及激基复合物材料中电荷转移态(charge-transfer states)激子的形成机制及其演化规律对进一步认识OLEDs的器件物理和设计制造高效率OLEDs具有重要的科学意义和应用价值。近年来,熊祖洪课题组一直致力于采用有机半导体光电子器件中多种微观过程具有的指纹式磁效应(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲线,系统深入地研究了多种有机光电子体系的器件物理并取得了一系列研究成果。
西南大学 2021-02-01
磁性固定器件应用及其产业化
未来装配式建筑构件若实现工业化、标准化和智能化制造,关键环节是要求构件成型模具拆装灵活,便捷高效,可重复使用,并具通用性。高性能磁性固定器件就是为简化预制混凝土构件模具安装而设计开发的一种新型无损模具固定装置,旨在解决传统螺栓锚定对生产平台的破坏性、难拆卸、通用性差的技术难题。
南京大学 2021-04-10
新型多门控超导纳米线逻辑器件
为了追求极限性能,越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如,在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中,通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件,从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统,信号读取与处理通常采用两种方式:第一种是采用超导数字电路SFQ(单磁通量子技术)来实现高性能计算和处理;第二种是将信号传送至几十K的温区,再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而,不论采用何种技术路径,数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内,从而保持极低温的工作环境,维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大,低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约,急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门;(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题,南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队,赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron),并利用此器件搭建经典二进制数字编码器;在1.6K的温度下,成功实现数字信息编码,总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时,他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出,为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路,经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革,其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求,也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术,开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件,利用局部超导相变,实现高速低功耗的开关逻辑。
南京大学 2021-04-11
分子基光催化产氢器件多相化
在利用太阳能分解水制取氢气的催化剂研究上取得新进展。该研究工作借鉴自然界光合作用,在多个光敏中心多个催化中心产氢器件构筑的基础上,进一步将其植入到金属有机框架材料中,模拟自然界酶催化环境中质子和电子的传输与转移,在有效规避分子基催化剂稳定性差的同时,极大地提高了光催化产氢性能,为人工模拟光催化剂的设计和构筑提供了新的思路。 人工模拟光合作用,利用太阳能在催化剂作用下分解水制取氢气,是实现将太阳能转化为清洁的化学能,解决人类社会面临的能源危机和环境污染问题的理想途径。在早期,我校化学学院苏成勇教授和石建英副教授研究团队发展了空间上相互独立、功能上相互等价,集合8个光敏金属有机钌中心和6个催化Pd2+中心于一体的金属-有机分子笼产氢器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16),在单一分子笼内构筑出多个相互独立的能量传递和电子转移通道,获得了高达380 μmol h-1的初始产氢速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。虽然金属有机分子笼提高了分子基催化剂的产氢性能,但光照条件下的稳定性仍然是制约其进一步应用的决定因素。       最近,我校化学学院苏成勇教授和石建英副教授研究团队又基于配位组装策略实现了Au25(SG)18纳米簇在金属有机ZIF-8主体框架内部和外表面的可控组装[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略,他们将MOC-16植入到ZIF-8主体内,进一步将ZIF-8转化为Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF),获得了MOC-16@CZIF催化剂。
中山大学 2021-04-13
新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后,采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学 2021-01-12
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系,通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律,采用无损伤工艺,提升了器件的均匀性和可靠性,进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压,正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力,为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学 2021-01-12
阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量,集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控,这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法,也能够移植应用到离子电池,离子传感等研究领域。
中国科学院大学 2021-01-12
高速光通信用微结构光纤器件
项目简介本成果提出新型微结构光纤器件,提出基于非对称耦合理论的实现模式转换、波分 复用等功能器件。已申请发明专利 6 项,其中已授权发明专利 3 项(ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6)。 性能指标 (1)模式转换效率可达 80%以上,带宽在 100 nm 以上。 (2)实现 1310、1550 nm 波长复用、解复用,消光比低于-25 dB。 适用范围、市场前景 适用范围:高速光通信关键器件,组成高速、大容量光 通信
江苏大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 55 56 57
  • ...
  • 655 656 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1