围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

项目简介： 本成果提供了一种以光寻址电位传感器（LAPS）为核心、基于现代电子学的光电化学型生化分析平台，具有阵列式、光可寻址、无标 记等优点。同时，该成果作为一个测试平台，可将多种生物化学响应 过程移植于其上，具有应用灵活的优势，例如，与噬菌体展示技术结 合，将特异于转移肿瘤细胞的噬菌体固定于芯片表面，实现了对转移 乳腺癌肿瘤细胞（MDAMB231）无标记检测，如图 1 所示；与基于左 旋多巴（L-dopa）的表面仿生活化策略相结合，对免疫球蛋白（IgG） 探针固定、免疫响应进行了全程监测，并将其推广至甲胎蛋白（AFP）、 癌胚抗原（CEA199）、铁蛋白（Ferritin）等四种原发性肝癌相关肿瘤 标志物的联合检测，如图 2 所示；利用新材料——氧化石墨烯（GO， graphene oxide），构建了 GO 功能化光电化学型 DNA 检测体系，实 现对 ssDNA 探针固定、及其与三种不同长度 ssDNA 杂交的无标记检 测，如图 3 所示。 

本发明公开了一种测量平面角度方法、芯片与基板相对倾角测量方法及系统，芯片和基板相对倾角的测量方法包括步骤 S21 采用标定的方式获得第一基准平面与第二基准平面之间的角度误差；S22 根据测量平面角度的方法并结合第一高度传感器测得的高度距离获得芯片与第一基准平面的第一倾角，并根据测量平面角度的方法并结合第二高度传感器测得的高度距离获得基板与第二基准平面的第二倾角；S23 将第二倾角、第一倾角和角度误差做向量减法运算获得芯片与基板之间的相对倾角。本发明利用高度传感器测量多点高度测量倾角，进而利用倾角标定

本成果提供了一种以光寻址电位传感器（LAPS）为核心、基于现代电子学的光电化学型生化分析平台，具有阵列式、光可寻址、无标记等优点。同时，该成果作为一个测试平台，可将多种生物化学响应过程移植于其上，具有应用灵活的优势，例如，与噬菌体展示技术结合，将特异于转移肿瘤细胞的噬菌体固定于芯片表面，实现了对转移乳腺癌肿瘤细胞（MDAMB231）无标记检测，如图1所示；与基于左旋多巴（L-dopa）的表面仿生活化策略相结合，对免疫球蛋白（IgG）探针固定、免疫响应进行了全程监测，并将其推广至甲胎蛋白（AFP）、癌

针对生化芯片加工新技术,根据生化样品特征，按照整体、高效设计，制备 出生化芯片，具有适应面广、直观，无创，高效等优点，在生物医学、食品安全 生化芯片加工等方面都具有广泛的应用前景。

成果介绍人体器官芯片的成功研发将有力推动我国生物医疗用芯片制造技术的发展，建立全新的生命科学实验方法；能够有效减少新药研发等对动物和临床实验的依赖，加速新药研发的流程并减少研发投入技术创新点及参数微缩人工器官，以实现对人体器官功能的模拟。器官芯片高内涵装置的设计和制造，开发了标准芯片系统及器官特异性生物材料市场前景疾病模型，药物评估，个性化医疗。

GaN系列材料具有低的热产生率和高击穿电场，是制作大功率电子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管拥有承受大电流、耐高压、抗辐射，耐高温而且开关速度快的特点，非常适用于高功率微波器件。随着5G毫米波通信、工业4.0和新一代雷达的发展，这种功率微波器件将会得到更广泛的应用。但是，对于这种半导体器件的负载开关驱动提出了非常高的要求。要求负载开关驱动封装尺寸小，便于大阵列集成。并且对可靠行的要求也极高。智能功率集成电路（Smart Power Inte

交流伺服系统是跨行业、量大面广、节能效果显著的节能机电产品，几乎渗透到所有用机电领域，是工业、农业和国防建设及人民生活、正常生产和安全工作的重要保证。