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一种极紫外光照射下的光学表面污染与清洁模拟装置
本发明公开了一种极紫外光照射下的光学表面污染与清洁模拟装置，包括：氢原子发生器接口、电子枪、电子枪室、电子枪接口、曝光腔、冷却毛细管、试样台、试样台接口、气体引入设备、涡轮分子泵、前级泵、RGA、RGA 接口、插板阀、放气阀、电阻规以及隔断阀，氢原子发生器接口、电子枪接口、试样台接口以及 RGA 接口均为开启，且固接在曝光腔上，电子枪接口与试样台接口对称设置在曝光腔的两侧，使得电子枪与试样台处于一条水平线上，氢原子发生器接口设置于腔体上方，且与电子枪接口的轴线垂直，RGA 接口设置于实验装置的侧方。
华中科技大学
2021-04-14
一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于 TiO2/ZnO 纳米异质复合结构的紫外光探 测器结构，其最底层为基底材料，其上为叉指电极，并覆盖一层 ZnO 薄膜，薄膜之上为 ZnO 纳米棒，纳米棒表面为 TiO2 纳米结构。本发 明还公开了所述紫外光探测器的制备方法：（1）在基底薄片上镀上金 属电极形成叉指电极；（2）镀上 ZnO 薄膜；（3）合成 ZnO 纳米棒阵 列；（5）在 ZnO 纳米棒表面形成 TiO2 纳米结构。本发明的紫外光探 测器在保持 ZnO 紫外探测器超高光电流增益的同时引入 TiO2 纳米结 构，形
华中科技大学
2021-01-12
一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于 TiO<sub>2</sub>/ZnO 纳米异质复合结构的紫外光探测器结构，其最底层为基底材料，其上为叉指电极，并覆盖一层 ZnO 薄膜，薄膜之上为 ZnO 纳米棒，纳米棒表面为TiO<sub>2</sub>纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法：（1）在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极；（2）镀上 ZnO薄膜；（3）合成 ZnO 纳米棒阵列；（5）在 ZnO 纳米棒表面形成TiO<sub>
华中科技大学
2021-04-14
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置
本发明公开一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置，所述方法为：产生飞秒激光光束,将激光光束聚焦于工作气体处，在真空环境下所述激光光束与所述工作气体相互作用产生高次谐波；调整所述激光光束的入射能量或所述工作气体的气压，以改变高次谐波的相位匹配条件，使得高次谐波频率发生红移或蓝移，从而实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。本发明还提供了实现上述方法的装置。实施本发明可实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。
华中科技大学
2021-04-14
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计，包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层（内含微结构）、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压，形成耗尽电场，微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合，提高光生载流子耗尽效率，增强器件响应度和外量子效率。同时，微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层，避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合，提高光生载流子收集的效率，实现紫外全波段探测。
厦门大学
2021-01-12
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
东南大学
2021-04-11
压印法集成电路光刻技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
紫外 LED
可以量产/n突破了紫外LED的专用衬底、外延材料、芯片器件及专用设备的全套核心制备 技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED制备技术，尤其在波长300nm以下的深紫外 LED方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外LED器件，目 前深紫外LED单管芯输出功率可达到超过4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技 术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条 件。 深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领 域有着广阔的市场前
中国科学院大学
2021-01-12
用于浸没式光刻的浸液温控装置
本发明公开了一种用于浸没式光刻的浸液温控系统，包括：用 于浸液流动的浸液管路，待温控的浸液通过一管路进口进入该浸液管 路，温控处理后的具有稳定温度的浸液通过该浸液管路的出口输出； 用于对所述浸液进行冷却的工艺冷却液回路，工艺冷却液在该回路中 循环流动；以及多个热交换器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工艺冷却水回路同时流经每个热交换器，并利用各热交换器分别依次 完成工艺冷却液和浸液之间的热交换，从而通过多次换热获得具有稳 定温度的浸液，实现对浸液的温度控制。本发明的装置系统采用内部 回流结构与多级热交换器相结合，实现对浸液温度的多级控制，可以 实现浸没光刻中对浸液稳定的精确稳定的控制，提供温控效率。
华中科技大学
2021-04-11