产品详细介绍X射线探测箱超薄便携，厚度不到7cm；◆国家专利产品；（专利号：200620115934.0）◆成像面积超大，达到200cm * Xcm，只需X射线透视一次就可检测完一个中型旅行箱的每个角落；◆探测效率超强，可以大大降低辐射剂量； 穿透能力强，能检测很厚的箱包；◆X射线探测箱可根据被检测物的形状位置任意调整，正放、侧放、翻转、仰放、俯放都可以使用； 配备大功率高性能锂离子电池，充电一次，可检测600百余件嫌疑箱包，无需外接电源，可在野外工作；◆采用进口X光管，使用寿命长，能提供多种能量的X射线。有利于毒品、炸药等有机物检测；◆16位图像灰度级（即65536种灰度层次），图像动态范围高达20000:1，比普通X射线透视图像层次多数十倍。◆16bit数字X射线透视图像实时采集、数字降噪、任意进行数字快照；◆多图像管理界面，多比例缩放，局部放大，支持插值精显，自适应显示，微缩图快速浏览；◆存储/读取gif、jpeg、bmp、tiff等常见图像文件，便于执行任务的取证和报告；◆感兴趣区域选择，长度、角度、面积、周长测量；数据统计；◆调整图像大小、旋转平移、对比明暗调节、滤波增强、边缘检测、窗宽窗位调整；◆恢复/取消、锐化、平滑、边缘、翻转/镜像、反片、伪彩色；◆灰度分布直方图/灰度分布曲线显示； 

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超大带宽 高性能100G/200G/400G，单纤容量20T+；光电共平台，大小卡灵活配置，1T/2T平滑演进 极简运维 网络多层次全方位实时监控及智能诊断，覆盖业务，光波道，光纤故障距离达160km 智能运营 业务自助快速发放、带宽/时延随需，提升TTM60%

产品详细介绍光具座

晶盛机电以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉等晶体生长设备，同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备，致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业；在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化，并取得半导体材料装备的领先地位；成功掌握国际领先的450kg级超大尺寸泡生法蓝宝石晶体生长技术，蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势；在工业4.0方向，公司为半导体产业、光伏产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对“机器换人+智能制造”的生产模式需求。

360mm×220mm×240mm，包括暗箱、弯曲的光道。普通光能“穿过”障碍物，不可开启观看。

光分路器又称分光器，是光网络系统将光信号进行耦合、分支、分配的重要无源器件之一，具有多个输入端和多个输出端的光纤汇接器件，常用M*N来表示一个分路器有M个输入端和N个输出端。

紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体，技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段，是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视，“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”，技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员，负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器，而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱，这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此，本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应，目前有两种方法：一是改变硅基探测器的结构，如背照式CCD；另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜，把紫外光先转化为可见光，然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究，按使用材料的属性，可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm，Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面，而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里，减少90%的降解量，因此，无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面，国外研究也刚起步，最早的报道见于2003年[1]，目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面，都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法，成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。

臭氧协同紫外（UV/O3）的高级氧化消解技术是一种高效的新型水处理工艺， 运用光、电、水产生高活性的羟基自由基对水样进行氧化消解，使水样中难以降 解的有机污染物中的大分子氧化成容易降解的低毒性或无毒性的小分子物质。该 氧化消解技术需要的反应条件十分温和，而且氧化消解效率远高于传统的重铬酸 钾氧化消解方法，反应过程无二次污染产生，是一种极具发展潜力和竞争力的绿 色氧化消解技术。 本装置根据 COD 是“以化学方法测量水样中有机物被强氧化剂氧化时所消耗 之氧的相当量”的定义，在 UV/O3进行水样消解的过程中，利用多传感器检测消 解过程的参数，建立还原物降解特征信息检测模型，实现 COD 的在线监测。其主 要特点在于： （1）该装置反应条件温和，在常温常压下操作，消解效率高于重铬酸钾法， 且绿色环保无污染。 （2）真正实现 COD 的免化学试剂在线检测，完全避免了毒性铬盐、汞盐的 二次污染，克服了消耗银盐产生的高费用等缺点。 （3）可以针对复杂水质实现自适应检测，包括地表水、工业污水或生活污 水等，无需更换氧化剂或调整任何装置参数。检测结果不受水样的物化性质影响。 

240-280nm范围电磁波谱段也称为日盲紫外波段。日盲紫外探测与成像为电子领域的尖端技术，被公认为国际军事制高点。同时，该技术在电网安全监测、医学成像、环境与生化检测等民生领域也有重要应用。由于日盲紫外技术的重要战略意义，西方国家对我国实行严密核心技术封锁，为维护国家安全，发展我国的日盲紫外探测与成像技术，就必须通过自主创新，开辟新的技术路径。 针对国家在日盲紫外探测及应用技术方面的