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薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
新型高密度存储材料与器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学
2021-01-12
核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管，二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学
2021-04-14
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种 MEMS 器件的封装方法
本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法，包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连；S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架
华中科技大学
2021-04-14
光谱仪器光栅分光器件与部件
中阶梯光栅的刻划： ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅，中阶梯光栅的二维分光系统，具备更高的分辨能力，使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大
上海理工大学
2021-04-13
新型有机复合结构的电致发光平板显示器
本项目在申请了国际国内专利的基础上，大大提高了器件之发光效率、延长其使用寿命。主要技术内容是把无机/有机等多种材料成膜于两个电极之间做成发光器件，即经过步骤： 1. ITO 光刻 2. 基片处理 3. 用物理或化学方法制备无机纳米薄层到基片上 4. 然后将有机材料通过真空镀膜或旋甩涂敷成膜 5. 最后一层是镀金属电极 6. 封装引线等，最后配上驱动电路就制成了一个 OLED 电致发光屏 以上每一步骤，我们都有自己的独到之处，首先从器件的结构上看我们已经避开了美国和日本的专利。这为本项目的开发扫清了障碍。其次，在许多工艺上，我们简化了操作步骤，为其商品化打下了良好的基础。 用这一专利技术可生产出一系列自发光平板显示产品，且不产生电磁幅射，其优越的“性能价格比”使其不仅能打入传统自发光平板显示器市场，而且以其高分辨率的优势，还能进一步挑战目前被彩管（CRT）和液晶（LCD）垄断的显示器市场。产品的价格优势主要有两点：1、使用成熟的常规镀膜技术，步骤少、效率高；2、密封技术低、易操作。 本成果属国内领先水平，尽管日本的先锋公司已有车用显示器件问世；但是，目前国内该领域没有一家公司能生产该产品。 成果适合于手机、仪表显示、HDTV 或“壁挂式彩电”的应用，使全彩色成为可能。 与市面上最多的阴极射线管显示器相比，使用平板显示器基本上不产生电磁幅射，且与纯无机电致发光显示技术相比具色彩鲜艳、驱动电压低、价格低、使用范围宽、尺寸范围大等明显优势，而该技术在成本、性能及尺寸范围等方面又较液晶显示及等到离子体显示具有显著的优势。可采取股份制，在中国注册，在中国和香港上市。
北京交通大学
2021-02-01
苯胺的固相电致化学发光检测方法
本发明是一种苯胺的固相电致化学发光检测方法，具体方法包括：1）光学复合纳米纤维Ru-AuNPs-PA6的制备；2）固相电致化学发光传感系统构建与优化；3）苯胺定量检测。经静电纺丝制备电致化学发光活性物联吡啶钌掺杂的纳米金胶/尼龙6光学复合纳米纤维Ru-AuNPs-PA6，利用Ru-AuNPs-PA6构建固相电致化学发光传感系统并进行相关参数优化，应用该传感系统定量检测苯胺。本发明建立具有高灵敏度、高稳定性、宽线性范围、低检出限及传感系统可重复利用等特点的苯胺的固相电致化学发光检测方法。
东南大学
2021-04-13
新型有机复合结构的电致发光平板显示器
本项目在申请了国际国内专利的基础上，大大提高了器件之发光效率、延长其使用寿命。主要技术内容是把无机/有机等多种材料成膜于两个电极之间做成发光器件，即经过步骤： 1. ITO光刻 2. 基片处理 3. 用物理或化学方法制备无机纳米薄层到基片上 4. 然后将有机材料通过真空镀膜或旋甩涂敷成膜 5. 最后一层是镀金属电极 6. 封装引线等，最后配上驱动电路就制成了一个OLED电致发光屏 以上每一步骤，我们都有自己的独到之处，首先从器件的结构上看我们已经避开了美国和日本的专利。这为本项目的开发扫清了障碍。其次，在许多工艺上，我们简化了操作步骤，为其商品化打下了良好的基础。 用这一专利技术可生产出一系列自发光平板显示产品，且不产生电磁幅射，其优越的“性能价格比”使其不仅能打入传统自发光平板显示器市场，而且以其高分辨率的优势，还能进一步挑战目前被彩管（CRT）和液晶（LCD）垄断的显示器市场。产品的价格优势主要有两点：1、使用成熟的常规镀膜技术，步骤少、效率高；2、密封技术低、易操作。 第一期产品及技术指标：以绿光单色显示为例120cd/m2 (1) 6.4×6.4cm2， 128行/128列，亮度120cd/m2，功耗5 W (2) 6.4×6.4cm2， 192行/192列，亮度120cd/m2，功耗6 W (3) 7.6×10.2 cm2，240行/320列，亮度120cd/m2，功耗10 W 本成果属国内领先水平，尽管日本的先锋公司已有车用显示器件问世；但是，目前国内该领域没有一家公司能生产该产品。 成果适合于手机、仪表显示、HDTV或“壁挂式彩电”的应用，使全彩色成为可能。 与市面上最多的阴极射线管显示器相比，使用平板显示器基本上不产生电磁幅射，且与纯无机电致发光显示技术相比具色彩鲜艳、驱动电压低、价格低、使用范围宽、尺寸范围大等明显优势，而该技术在成本、性能及尺寸范围等方面又较液晶显示及等到离子体显示具有显著的优势。可采取股份制，在中国注册，在中国和香港上市。
北京交通大学
2021-04-13