产品详细介绍　　SOC720SW 短波红外成像光谱仪是一款高质量、高性能的仪器，光谱范围为900nm～1700nm。　　SOC720SW具有高光谱分辨率 (6.25 nm), 轻度光谱失真 (<1.5 nm)成像分光计和高灵敏度的InGaAs 探测器 (D* = 1.5e13  √cm-Hz/W)，使得SOC720SW可以14-bit同时收集640像素、128个波段的光谱信息。这保证了所有应用里，获得的是最高质量数据。 使用简单和实时处理　　SOC720SW是一个完整的系统，开箱之后即可使用。　　系统采用SOC的HyperSpect™ 操作软件和HSAnalysis™校准和分析工具进行标定和使用前设置。　　数据以开放的BIL二进制格式保存，可以兼容第三方分析软件。无需额外的扫描仪或软件。　　可选的SOC MIDIS™处理器以最优的电脑速度快速执行光谱处理，克服了大部分成像光谱仪在实时数据处理方面的瓶颈。　　MIDIS处理器具有多个相关通道同时监测测量数据和三光谱积分，使得MIDIS处理器有能力克服当今数据处理的难题。　　配备了一个高质量的成像分光计、标定和分析软件、高速低噪InGaAs线列和完整的扫描系统，SOC-720SW通过高速Camera-Link接口可以记录900nm到1700nm光谱范围内、6.25nm分辨率的高质量光谱成像数据。灵敏度高于1.5x1013cmHz/W（1550nm）。　　SOC的HS分析软件可以用来进行标定和数据分析。记录的数据格式为开放式的二进制数据，可以很容易的用第三方分析软件打开，如ENVI软件。无须数据格式转换。技术参数：光谱范围： 900-1700 nm光谱分辨率： 6.25 nm光谱通道： 128光谱失真： <1.5 microns  (smile)数字光圈： F/2.4TFOV/IFOV (35MM)： 10°/0.015625°分辨率(像素)： 640x640 (nominal)LINE RATE： 30 Spatial Lines/SecondCUBE RATE： 20 Seconds/Cube数字分辨率： 14-bit三脚架： 3/8”-16计算机接口： Cameral-Link扫描： 内置供电： AC/12DV重量： 30 lbs.尺寸： 7”x14”x22”  应用领域： 机械视觉　　电子学和塑胶　　晶片检查　　农业品质　　化学过程控制农业领域　　精准农业　　土地分类　　水份胁迫　　作物健康 温度记录　　火点监测　　玻璃检测　　金属纯度军事　　ISR　　边境安全　　导弹跟踪医学领域　　血糖分析　　X线断层摄影术

产品详细介绍 浪涛触摸屏特性： 1、全球首家并且为目前唯一的一家PCB所有电子物料（包含LED灯管）均采 用标准SMT工艺流程制造，有专利保护，充分保障了质量一致性和生产高效率性； 2、全球首款推出，真正的“即插即用”触摸框，方便用户，有专利保护； 3、全部采用可靠圆头LED，保证触摸框的品质可靠性； 4、经受高低温实验测试； 5、无缝隙书写到四周各边缘； 6、生产效率：500-600片/天，全部PCB使用SMT工艺，生产效率大大    提高，可以根据用户需求来安排产能。 触摸参数： 感应物体： 手指，画笔，专用笔或其他不透光的触摸感应介质，直径大于等于５mm，推荐大于等于8mm 多点触控 可3人书写 书写精度： 偏离尺寸小于2mm 分辩率： 4096*4096 响应时间： 首点（点击）：8ms ,连续（书写）：3ms 光标速度： 最高300点/s 使用寿命： 大于60,000,000次点击 电源： USB供电(4.6-5伏,直流) 功耗： 小于等于 1W 定位 9点定位方式.

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极， 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维 进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

本发明属于电子元器件的封装设备技术领域，并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置，包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等，其中热压机构被设计为双路结构，并 用于实现料带的封合，保证压力的一致性，进而完成料带的良好热封； 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动；调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距，进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明，能实现单侧压头的温度均匀分布，两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封，同时具备 结构紧凑，便

本成果通过有机光电器件中有机薄膜的缺陷态来揭示： 1. 有机半导体薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能级排布或者出现的界面能级钉扎的机理； 3. 缺陷态的存在对器件中载流子传输的影响； 4. 使用有效的有机、无机材料掺杂来极大的提高有机半导体薄膜的电导率。从而获得以有效、简单的使用方法来提高有机光电器件的性能。

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极，并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械能的捕获效果。