集成一体化先进结构方案，新一代高性能测量与分析仪器，专为模电教学实验精心设计，具有毫伏级的高品质信号，完全开放的实验电路，高效支持模电课程的实验教学及课程设计，增强学生的综合设计和工程实践能力。

1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陈莹梅教授团队于2015年至2020年期间，共承接华为技术有限公司、海思光电子有限公司等多家企业的横向合作项目9项，其中10G线性均衡器芯片已在海思商用，高速以太电口模拟器已在华为量产，24路总传输速率1.344Tb/s的数控可调衰减器芯片正在华为量产准备中。

1.关于正在组织开展项目申报或评审的科研项目。 已填写申报书的项目，申报书不再调整，据此开展项目评审，后续在任务书签订阶段结合申报单位意见对间接费用等进行调整；尚未填写申报书的项目，原则上按新政策编报预算，填写申报书。 已启动的项目评审，可沿用原有方式组织开展；尚未启动的项目评审，应按新政策在项目评审的同时开展预算评审。 已提交任务书的项目，东莞市宏展仪器有限公司从一家模拟环境试验设备的技术服务型企业逐步发展成为一家业内占主导地位的企业。宏展仪器（HONGZHAN）为自己能够为世界范围内的用户设计、制造最安全的模拟环境试验设备而自豪。产品包括：紫外光耐气候试验箱、高低温交变湿热试验箱、冷热冲击试验箱、快速温度变化（ESS）环境应力筛选试验箱、步入式高低温交变湿热试验室、温度湿度振动三综合试验箱、高低温低气压试验箱、氙灯耐气候试验箱、盐雾试验箱、高温老化箱、沙尘试验箱、淋雨试验箱、臭氧老化试验箱、全天候（温度、湿度、淋雨、日照、风速）试验室、汽车行业测试系统、驶入仓、环境模拟仓等几乎全系列的环境试验系列产品。，执行中适用在研项目的调整要求。 2.关于尚在执行期内的在研项目。 项目（课题）承担单位应统筹考虑本单位实际情况，并与科研人员充分协商后，确定是否执行间接费用等方面的新政策。涉及按原政策规定需项目管理部门（单位）同意的事项，履行相关程序后执行。 3.关于执行期已结束的科研项目。 执行期已结束并已下达验收结论的项目，相关经费管理和支出按照原政策执行，不再作调整。对于正在开展项目综合绩效评价、尚未下达验收结论的项目，项目管理部门（单位）要结合《若干意见》关于劳务费、设备费、预算调剂、间接费用等管理新要求形成验收结论。 4.关于结余资金。 自《若干意见》发布之日起，已按规定留给单位使用的中央财政科技计划（专项、基金等）项目结余资金，不再执行两年收回政策，由承担单位统筹安排用于科研活动的直接支出。对于正在开展项目综合绩效评价、尚未下达验收结论的项目，结余资金处理按新政策执行。 二、有关要求 1.项目管理部门（单位）应尽快按照《若干意见》要求完善项目管理流程和规定，修改项目申报书、任务书中预算有关内容，形成项目评审与预算评审合并方案，及时部署国家科技管理信息系统开发调试工作，确保项目管理尽快按照新政策执行。上述工作原则上在《若干意见》发布后2个月内完成。 2.项目承担单位要落实好科研项目实施和科研经费管理使用的主体责任，按照《若干意见》要求，尽快修订或制定预算调剂、间接费用管理、结余资金管理、科研财务助理等内部管理制度，并做好在研项目新旧政策衔接等工作，确保科研自主权接得住、管的好。 3.科研单位主管部门应修订或制定本部门相关管理规定，指导督促所属单位做好新旧政策衔接有关工作，确保政策落实落细落地。 为便于沟通交流，财政部、科技部开通了政策咨询邮箱（zcc@jgzx.org)。在执行过程中如遇到问题，请及时向两部门反馈。!!!

项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。 

该芯片采用低成本可集成的标准0.25umCMOS工艺实现三波段单变频结构的数字电视调谐器专用芯片，在传统射频调谐芯片的基础上，集成了可变增益放大器，提高了芯片集成度，降低了调谐器产品成本。并调整了部分版图结构，可以实现48～860MHz数字电视信号的全波段接收。芯片采用LQFP44封装。

发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。

本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步

本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余

集成电路设计      南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。      我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建