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一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法，采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成 SnSe2，并通过 沉积载气带入下游温区，在衬底上沉
华中科技大学
2021-04-14
钌配位聚吡咯纳米球团簇材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种钌配位聚吡咯纳米球团簇材料及其制备方法和应用，所述的钌配位聚吡咯纳米球团簇材料由钌配位聚吡咯纳米球构成，纳米球紧密堆积形成纳米球团簇，纳米球团簇相互聚集形成纳米球团簇间微孔。钌配位聚吡咯纳米球团簇材料采用单体配位?电聚合法制备。首先采用直接配位反应合成法，利用钌离子的空轨道和吡咯单体分子链上氮原子的未成对电子相互作用，通过直接配位反应制得钌配位吡咯单体。然后采用循环伏安电聚合反应合成法，钌配位吡咯单体在π?π堆积力作用下，通过电聚合反应制得钌配位聚吡咯。相对于现有技术，所述材料具有较
东南大学
2021-04-14
一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法
本发明公开了一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法，是向反应器中加入水和乙醇，然后加入 PdCl2 粉末和表面活性剂-大分子复合体系软模板，在氮气保护下超声反应，反应结束后离心分离收集沉淀物，用乙醇和丙酮洗涤后真空干燥得到纳米钯聚集体材料。本发明借助乙醇的还原作用和助溶剂作用，没有额外添加诸如硼氢化钠、抗坏血酸等化学还原剂的条件下一步合成菊花状纳米钯聚集体材料，反应速率容易控制，成本低廉，操作过程简便易行。本发明所制得的菊花状纳米钯聚集体材料的尺寸范围在 60-100nm 之间。
安徽理工大学
2021-04-13
一种制备花状铜纳米簇-石墨烯-泡沫镍材料的方法
本发明提供了一种制备花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料的方法，主要包括以下工艺步骤：1.用化学气相沉积法(CVD)在泡沫镍基体上生长一层石墨烯，制备出石墨烯?泡沫镍基体，2.将上述石墨烯?泡沫镍基体材料直接浸入硫酸铜和L?精氨酸的混合溶液中，让其反应3?6h即得到花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料。所制备的花状铜纳米簇由于其具有特殊的花形结构，大大增加了铜粒子的比表面积，使其在一些特殊领域，如气体传感，有广阔的应用前景。
东南大学
2021-04-11
基于滚压振动研磨制备纳米功能材料，设计锌空电池的电极结构
通过滚压振动磨制备纳米锌粉颗粒、氮化硼纳米片，以碳膜为骨架制成锌空电池的柔性薄膜电极;制备出四氧化三钴纳米花颗粒作为催化剂，设计开发了一维纳米花颗粒/二维氮化硼纳米片/碳纳米管三维网状结构复合的多维复合多孔空气电极结构。
上海理工大学
2021-01-12
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
湖北工业大学
2021-01-12
浙江瑞瀛物联科技有限公司
瑞瀛物联2011年成立于杭州，是一家致力于研究并提供IoT Mesh系统解决方案的创新科技公司，专注智慧人居、智慧酒店、智慧能源领域，公司拥有超过10年对Zigbee、蓝牙Mesh等无线通信技术的钻研及行业应用经验，是国内最早提供物联网无线通信解决方案的高科技企业之一。瑞瀛物联提供优质的IoT Mesh无线通信模组、智能网关等产品及场景化解决方案，助力客户快速实现智能设备IoT Mesh组网、场景联动、云服务接入等功能，拥抱万物互联的智能时代。公司拥有大量完全自主知识产权的物联网无线通信技术和产品，严格遵循IEEE相关国际标准和国家行业标准，产品符合FCC、CE、REACH、RoHS等国际认证规范。
浙江瑞瀛物联科技有限公司
2024-12-05
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理，在绝缘层硅（SOI，silicon-on-insulator）上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光锥以下）能够较好地局域在平板内，抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道，测量出高透平顶透射光谱带，证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源，无需低温和强磁等极端环境，实现了拓扑界面态的选择性激发，实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为，验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理，是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作，多次引起国际同行关注，论文入选ESI高被引。该工作中，他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论，攻克了数十纳米加工工艺等关键技术，率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系，突破了单一自由度调控的传统框架，提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制，为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域，提供了新方法和新思路。
中山大学
2021-04-13
铁基形状记忆合金
铁基形状记忆合金是一种新型结构功能材料。自90年代，我校已研究成功几种Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形状记忆合金，这些合金的屈服强度可达300～450MPa，完全回复的形状记忆应变已达3%，予应变为6%时净回复应变可达5%，具有良好的单程形状记忆效应和形状记忆完全性，合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蚀性。铁基形状记忆合金的应用如下： 1
西安交通大学
2021-01-12
垂直结构 GaN 基 LED
可以量产/n在垂直结构LED芯片的工艺流程中，其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次，蓝宝石衬底单芯片和2英寸整片剥离成品率大于95%。目前，垂直结构LED发光效率可以达到121.57m/W@350mA随着技术的不段进步，近几年最受人们关注的是固态通用照明领域的高亮度大功率LED应用，然而这种应用却受到蓝宝石异质衬底所带来的一系列技术问题的限制。除去了蓝宝石衬底的垂直结构LED芯片具有优良的光电热方面的性能，能满足固态通用照明对其性能的要求，采用垂直结构LED方案是固态通用照明技术发展的 必然
中国科学院大学
2021-01-12