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InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法
本发明是关于半导体材料领域，旨在提供InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤：将H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液；80℃下搅拌2h后获得沉淀，过滤，并用蒸馏水和无水乙醇洗涤，干燥处理后获得三聚氰胺硫酸盐；获得g-C3N4颗粒；将g-C3N4颗粒分散到无水乙醇中得到分散体系，将偏钒酸铵水溶液逐滴加入该混合溶液中形成黄色澄清溶液；搅拌获得沉淀，过滤、洗涤，加入表面活性剂并进行水热反应；所得沉淀过滤，获得InVO4/g-C3N4复合材料。本发明的有益效果是：解决了InVO4纳米晶的形核、生长问题，促使InVO4纳米晶在疏松g-C3N4颗粒表面原位生长。
浙江大学
2021-04-13
制备纳米FeOx/NiOy/介孔材料催化剂的方法、产品及应用
本发明公开了一种制备纳米FeOx/NiOy/介孔材料催化剂的方法，包括：将Ni2+与Fe3+的水溶液与介孔材料混合浸渍，干燥，焙烧，还原，制得混合相的多金属氧化物催化剂。本发明还公开了一种上述方法制备得到的催化剂及应用。本发明利用介孔材料对纳米粒子的生长进行空间限定，获得粒径均匀的纳米粒子。通过铁和镍的共同负载进一步改善纳米粒子的形状、粒径和分散性，提高催化剂活性，极大提高了有机物的芬顿降解速率和双氧水利用率。该催化剂应用方法简单，活性组分的种类和比例可通过还原温度精确控制，具有多组分多价态共存的特征。本发明制备方法简单，氧化剂绿色环保，能够直接在室温下反应，利用率高，具有产业化的应用前景。
浙江大学
2021-04-13
一种结构可控的三维石墨烯多孔材料制备方法
构建三维多孔结构 CAD 模型，并通过增材制造技术制得相应形 状的三维多孔金属结构；在惰性气体的保护氛围下，将所制得的三维 多孔金属结构升温至 900℃～1500℃，然后冷却至室温；然后进行喷 砂和超声清洗处理以获得金属模板；通过化学气相沉积法在金属模板 上生长石墨烯薄膜；配置腐蚀液并在 60℃～90℃的温度下回流溶解金 属模板，经洗涤和干燥处理后即得到三维石墨烯多孔材料产品。通过 本发明，能够有效克服现有技术中所存
华中科技大学
2021-04-14
一种纸基离子印迹复合材料、其制备方法及应用
本发明公开了一种纸基离子印迹复合材料、其制备方法及应用，属于新材料领域。利用可逆加成链转移聚合技术和纸材料可随意裁剪/折叠的优势，在纸材料表面修饰出链转移试剂二乙基二硫代氨基甲酸钠。随后，以醋酸镉为模板，甲基丙烯酸和 4-乙烯吡啶为功能单体，在紫外灯照射下在纸材料表面可控制备离子印迹聚合物，实现对镉离子的高选择性识别。纸基离子印迹复合材料具有成本低廉、绿色环保、操作简单、容易回收的特性，特别是其具备了良好的透光性和保水/亲水特性，可以直接作为光学检测池，实现重金属离子的快速、高通量检测。
华中科技大学
2021-04-14
固相力化学制备聚合物纳米复合材料新技术
传统制备聚合物/层状无机物纳米复合材料的方法如插层复合法工艺复杂，需要加入增容剂或对层状无机物进行有机化处理，此外单体插层聚合涉及复杂的化学反应，而熔体插层则要求聚合物的熔体粘度低。针对传统插层复合法存在的问题，本项目将固相力化学方法引入聚合物/层状无机物纳米复合材料领域，利用磨盘形力化学反应器独特的三维剪结构所提供的强大挤压剪切力场和粉碎、混合、分散及固相力化学反应功能，在磨盘碾磨过程中同时实现层状无机物的粉碎、片层滑移和剥离，聚合物的粉碎和嵌入，聚合物与无机填料的固相分散和混合，得到聚合物/层状无机物复合粉体，再经进一步加工成型，可制备用途广泛的聚合物/层状无机物纳米复合材料，如具有良好力学性能的结构材料和具有导电、导热、电磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等。
主要技术指标：
可制备具有良好力学性能的结构材料及具有导电、导热、电磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等;
所制备的PP导电导热纳米复合材料的电导率可达5.2×10-4 S×cm-1，导热率可达0.69 W×m-1×k-1; HDPE导电导热纳米复合材料的电导率可达10-3 S×cm-1, 导热系数可达2.2 W×m-1×k-1
建设投产条件（投入资金情况、需要的厂房、使用配套设施状况等）：
需要带分级装置的磨盘形力化学反应器、双螺杆挤出机及注射/热压成型机。
四川大学
2023-05-15
基于超材料的远红外单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器，包括·798·自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可
华中科技大学
2021-04-14
基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环
华中科技大学
2021-04-14
一种阴极保护用石墨复合接地材料及其制备方法
本发明公开了一种阴极保护用石墨复合接地材料及其制备方法，包括内芯和采用复合石墨线绕内芯 编织获得的复合石墨编织外层，复合石墨线由复合石墨带捻制获得，其中：内芯由锌芯石墨线和铜芯石 墨线构成，锌芯石墨线包括锌纤维芯和第一复合石墨外层，第一复合石墨外层采用复合石墨带绕锌纤维 芯捻制获得；铜芯石墨线包括铜纤维芯和第二复合石墨外层，第二复合石墨外层采用复合石墨带绕铜纤 维芯捻制获得；复合石墨带包括两层蠕虫石墨层和铺设于两层石墨层间的无机纤维，无机纤维外
武汉大学
2021-04-14
一种高强高导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺
本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺， 合金各 成分的按质量比为：铜：铬：钕为 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺，合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧，再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时，直接添加纯金属 Cr 颗粒，浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有
南昌大学
2021-04-14
一种氰根离子荧光指示材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种氰根离子的荧光指示材料，该氰根离子荧光指示材料为稀土铽离子与2，2’?联吡啶以及配体分子通过分子自组装反应形成的金属有机框架材料，该荧光指示材料利用π共轭介导荧光增强的新原理检测溶液中的氰根离子浓度。本发明还公开了上述氰根离子荧光指示材料的制备方法和应用。本发明氰根离子荧光指示材料能特异性、快速荧光显示溶液中的氰根离子浓度，使用简便，
东南大学
2021-04-14