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大面积高质量金刚石自支撑膜的制备技术
本项目是国家863计划”85” 和”95”重大项目的阶段性研究成果(合作单位:河北省科学院)。 包含”大面积高功率DC Arc Plasma Jet CVD金刚石膜高速沉积设备”和”大面积高质量金刚石自支撑膜制备工艺”两部分。其目标是向国内外市场提供大面积高质量廉价金刚石自支撑膜。技术基本成熟, 设备和工艺已在广东、北京和天津的一些工厂和研究院所应用。目前已开发两种不同功率级别, 100千瓦级和30千瓦级的设备, 工具级金刚石膜沉积速率: 40～50mm/h, 沉积面积: 110mm (100千瓦级), 或60mm (30千瓦级)。利用本项目技术生产的工具级金刚石膜可达到的指标: 面积: mm (100千瓦级), 或 mm (30千瓦级); 厚度: 最大2mm; 维氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗弯强度: > 300 MPa。光学级金刚石自支撑膜目前最大面积为60mm, 厚度约0.6mm, 从紫外(0.22m)到远红外(>20m, 直至微波)透明, 8～12m波段透过率～70%, 热导率～19W/cm.k, 各项物理化学性能均与天然Ⅱa型宝石级金刚石单晶接近。 该项目适用于光学级金刚石自支撑膜: 工业CO2激光器窗口, 需要在极端恶劣工业环境(高温、腐蚀、幅射、磨损、冲刷等)下工作的光学装置窗口、军事窗口等。也可用于中高档耐用装饰品制作。 热沉级金刚石自支撑膜: 半导体二极管激光器热沉、功率半导体器件(Power IC)的金刚石封装、MCMs (大规模集成电路的三维立体组装技术)用大面积金刚石热沉、高功率微波器件热沉。 工具级金刚石自支撑膜: 金刚石拉丝模模芯、金刚石自支撑膜钎焊工具、各种抗极度摩擦磨损工具和模具及仪器零件。
北京科技大学
2021-04-11
大面积高质量金刚石自支撑膜的制备技术
本项目是国家863计划”85” 和”95”重大项目的阶段性研究成果(合作单位:河北省科学院)。 包含”大面积高功率DC Arc Plasma Jet CVD金刚石膜高速沉积设备”和”大面积高质量金刚石自支撑膜制备工艺”两部分。其目标是向国内外市场提供大面积高质量廉价金刚石自支撑膜。技术基本成熟, 设备和工艺已在广东、北京和天津的一些工厂和研究院所应用。目前已开发两种不同功率级别, 100千瓦级和30千瓦级的设备, 工具级金刚石膜沉积速率: 40～50mm/h, 沉积面积: 110mm (100千瓦级), 或60mm (30千瓦级)。利用本项目技术生产的工具级金刚石膜可达到的指标: 面积: mm (100千瓦级), 或 mm (30千瓦级); 厚度: 最大2mm; 维氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗弯强度: > 300 MPa。光学级金刚石自支撑膜目前最大面积为60mm, 厚度约0.6mm, 从紫外(0.22m)到远红外(>20m, 直至微波)透明, 8～12m波段透过率～70%, 热导率～19W/cm.k, 各项物理化学性能均与天然Ⅱa型宝石级金刚石单晶接近。 该项目适用于光学级金刚石自支撑膜: 工业CO2激光器窗口, 需要在极端恶劣工业环境(高温、腐蚀、幅射、磨损、冲刷等)下工作的光学装置窗口、军事窗口等。也可用于中高档耐用装饰品制作。 热沉级金刚石自支撑膜: 半导体二极管激光器热沉、功率半导体器件(Power IC)的金刚石封装、MCMs (大规模集成电路的三维立体组装技术)用大面积金刚石热沉、高功率微波器件热沉。 工具级金刚石自支撑膜: 金刚石拉丝模模芯、金刚石自支撑膜钎焊工具、各种抗极度摩擦磨损工具和模具及仪器零件。
北京科技大学
2021-04-11
一种多功能单分散纳米复合成膜液的制备方法
本发明公开了一种多功能单分散纳米复合成膜液的制备方法，属纳米材料应用技术领域。其特征是 利用纳米TiO2、ZnO、SiO2功能互补性能把纳米TiO2、ZnO、SiO2粉体按比例分散在水中，并调节体系的 pH值，加入助成膜剂和成膜剂，使之成膜。采用长时间的超声振荡使之呈单分散稳定状态。用该方法制得 的纳米复合成膜液颗粒呈单分散状态，稳定性优良，可直接作为分散液使用，也可在多种基材上涂覆成膜 且涂膜具有降解有机物、灭菌、耐老化、耐水洗和粘附牢固等优异性能，可广泛应用于涂料、光催化、环 境净化等领域，使纳米材料的优异性能得以充分发挥。本方法具有工艺过程简单，易控制，适用于规模化 制造等特点；产品应用广泛。
四川大学
2021-04-11
一种光学模铁磁共振增强的多层膜及其制备方法
高频软磁薄膜的铁磁共振频率是集成化微磁电感的上限工作频率。受限于较低的声学模共振频率，当前微磁电感的频率较低。基于光学模共振的软磁薄膜具有非常高的共振频率，将成为提高微磁电感频率的新突破口。本发明主要介绍了实现光学模共振的多层膜结构及其制备方法，有望用于制备集成化微磁电感或其他磁性薄膜集成器件。本发明所述的光学模共振是从未使用过的新原理，基于光学模共振的高频软磁薄膜材料及其集成电路工艺兼容性制备方法，将有利于将其推广到集成电路磁性元器件的各个应用环节，例如，微磁电感、隔离器、耦合器、滤波器等等，具有广阔的应用前景。
青岛大学
2021-04-13
一种互穿网络水凝胶填充复合分离膜的制备方法
本发明公开了一种互穿网络水凝胶填充复合分离膜的制备方法，包括如下步骤：首先，将聚合物膜在第一单体溶液中浸泡，取出后在紫外光下辐照交联，得到第一网络凝胶复合分离膜；然后，将第一网络凝胶复合分离膜在第二单体溶液中浸泡，取出后通过热引发交联，形成互穿网络水凝胶填充复合分离膜。本发明制备的互穿网络水凝胶填充复合分离膜具有重金属离子吸附功能，在过滤分离的同时，可有效吸附水中的重金属离子。本发明提供的方法简单、高效、易操作、成本低、可工业化生产，对铜、铅、汞、锌、镉、镍等多种重金属离子具有优异的吸附性能，既可用于工业重金属污水处理，也可用于生活饮用水中去除重金属离子。
浙江大学
2021-04-13
一种纳米/微米金膜及其制备方法
本发明公开了一种纳米/微米金膜及其制备方法。所述纳米/微米金膜，包括基质和纳米/微米金层，所述纳米/微米金属层由金属纳米颗粒沉积而成，所述基质表面具有氨基，所述金属纳米颗粒与所述基质表面氨基形成强相互作用。所述制备方法包括以下步骤：(1)将基质表面进行氧等离子处理或紫外光照射；(2)将表面活化的基质，浸入 3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中；(3)取氯金酸和强碱的碳酸氢盐的混合溶液与葡萄糖溶液均匀混合，并涂布于表面氨基化的基质上，避光反应得到所述纳米/微米金属膜。本发明提供纳米/微米金膜，基质种类多，能满
华中科技大学
2021-04-14
半导体光刻胶成膜树脂制备技术
1.痛点问题
光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。
2.解决方案
本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。
3.合作需求
本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。
1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。
2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。
清华大学
2022-07-12
一种具有超高抗盐性能的有机复合材料的制备工艺
本发明公开了一种具有超高抗盐性能的有机复合材料的制备工艺。包括以下步骤：通过计算模拟得出膜微观形貌中凸点形态和凸点间距h。计算得出形成凸点颗粒的平均直径D。将分散型聚四氟乙烯颗粒进行热固化处理和解团聚处理，得处理颗粒a；根据凸点间的h，得出处理颗粒a和分散型PTFE颗粒的配置比例，按照比例混合搅拌后纤维化处理，得到处理颗粒b；将两种颗粒分层放置，通过拉伸工艺形成非对称性膜；将氟类单体、静电传导材料与醇类溶剂混合得到预制溶液；将预制溶液喷射在基材表面得到处理基材；将非对称性膜热压覆合在基材上形成有机复合材料。此种膜材料适用于不同行业烟气过滤体系，尤其适用于盐析程度高的中低温烟气体系的净化。
南京工业大学
2021-01-12
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳（ta-c）薄膜的制备装置和工艺，该薄膜具有极好的物理化学特性，在碳基薄膜中，是目前国际上公认的SP3键含量最高，超过85%，特性最接近天然金刚石的薄膜，硬度达到HV≥85Gpa，可见光和红外光透明，透光率达97%，吸收紫外光，达98%，薄膜均匀性好，薄膜平整度达0.2nm，摩擦系数≤0.08，电阻率达（1012Ω·cm），击穿电压3.5×106，（），热导率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件，提高使用寿命，减小摩擦，如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块，滑动环等；用于视窗、镜片和传感器表面，可防止划伤，增强散热，利于红外光传递，等；用于激光透镜，可提高损伤阈值；用于射线辐射测量传感器，可抗射线辐射损伤，提高测量的灵敏度。
西安交通大学
2021-04-11
利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法及产品
本发明公开了一种利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法，包括：通过静电纺丝装置向位于其喷头下方且沿着水平方向来回直线移动的硅片基板上喷射静电纺丝溶液，由此在基板上形成呈波形延伸且具备微纳米直径的图案；选取弹性衬底并执行清洁处理，然后对弹性衬底做拉伸处理；将处于拉伸状态的弹性衬底紧贴在形成有图案的硅片基板上，挤出两者接触面之间的空气后予以分离，使得硅片基板上的图案转印至弹性衬底表面；恢复弹性衬底的自然状态，由此制得所需的延性电路互联结构。本发明还公开了相应的产品及其应用。通过本发明，能够生成具备高
华中科技大学
2021-04-14