XM-828胎盘剥离模型   功能特点： ■ XM-828胎盘剥离模型为胎儿娩出以后，宫腔体积及胎盘附着面减少时的女性腹盆腔矢状切面，显示了此时子宫、阴道、胎盘及脐带的形态结构。 ■ 此时子宫底部略向上并继续收缩，靠近耻骨联合的下腹隆起，露于外阴部的脐带下垂（胎盘剥离象征），随后胎盘中央部先剥离，且先降入子宫腔下段，由于胎盘下降，周围胎膜与子宫壁分开，胎盘附着面流出物被包在胎盘与胎膜所形成的囊内，首先露出阴道外口的是光滑的胎儿面，随之胎膜排出。 ■ 胎盘示胎儿面和母体面。 ■ 尺寸：放大，31×40×12cm ■ 材质：玻璃钢

XM-828胎盘剥离模型   功能特点： ■ XM-828胎盘剥离模型为胎儿娩出以后，宫腔体积及胎盘附着面减少时的女性腹盆腔矢状切面，显示了此时子宫、阴道、胎盘及脐带的形态结构。 ■ 此时子宫底部略向上并继续收缩，靠近耻骨联合的下腹隆起，露于外阴部的脐带下垂（胎盘剥离象征），随后胎盘中央部先剥离，且先降入子宫腔下段，由于胎盘下降，周围胎膜与子宫壁分开，胎盘附着面流出物被包在胎盘与胎膜所形成的囊内，首先露出阴道外口的是光滑的胎儿面，随之胎膜排出。 ■ 胎盘示胎儿面和母体面。 ■ 尺寸：放大，31×40×12cm ■ 材质：玻璃钢

TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。

本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括S1利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为750℃～1000℃，生长时间为10～30分钟，生长时通入气体为甲烷10～80sccm和氢气5～10sccm并保持生长气压为常压；S2将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中，经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单，可以快速的把石墨烯转移到任何基片上；剥离后的石墨烯无破损和杂质；剥离石墨烯后的镍片可以继续用于石墨烯制备。

本实用新型提供了一种具有翻转芯片功能的芯片吸取装置，包括 Z 向高度调节与支撑机构、翻转驱动机构、芯片吸取机构，Z 向高度调节与支撑机构将芯片吸取机构移动到适宜高度，翻转驱动机构驱动芯片吸取机构旋转，芯片吸取机构包括直线导向运动部件和芯片吸取元件，直线导向运动部件内设有直线轴承和弹簧，直线导向轴从上往下穿过直线轴承和弹簧，其端部连接芯片吸取元件，由于弹簧的缓冲作用，芯片吸取元件将芯片吸住后跟随芯片上升一定的高度，再在翻转驱动机构的作用下旋转到达芯片供给位置。本实用新型一方面避免了非接触式吸取的不可靠

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

产品详细介绍EPT-90电熔拉伸剥离试样制样机关键词：拉伸剥离，电熔管，GB/T 19808一.用途：本机用于从整根电熔管材取样，采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条，切片尺寸可调、快速、表面光滑，满足氧化诱导实验要求，目前是各大管材厂家和特检所的必备设备。二.原理：从整根电熔管材上取样，采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条的取样。把管子放到工加位上，通过手摇手柄调节夹紧电熔管子，调好位置，再调节双锯的高度，《但一次不能切太多，电机负载太大会烧电机》。按双刀开关起动后，再按前进开关，观察切的速度，会不会夹刀，如有夹刀调节双锯高度。切到位后升高双锯，按后退开关，等双锯回到原位，再重复前面的动做，直到完全切开我们想要的试样。在切下一个样品时按点动转圈开关，调节好电熔管件位置。三.依据标准:本机满足于GB/T 19808-2005《塑料管材和管件 公称外径大于或等于90mm的聚乙烯电熔组件的拉伸剥离试验》规定的电熔承插焊接接头拉伸剥离试样制备要求四.技术性能指标1、切割管径范围：不小于90mm～630mm。2、夹持管长范围：不小于300mm～1000mm。3、两平行切刀间距：不小于150mm～800mm，可调。5、切割试样宽度范围：不小于25mm～100mm，可调。6、切割试样宽度最大偏差：不超过0～5mm。7、试样规格：通过双切刀模式，试样一次切割形成，符合GB/T 19808-2005要求，两侧面相互平行且与圆弧中轴面对称。8、X轴行程：0mm～1000 mm。9、Z轴行程：0mm～1200 mm。10、切割宽度：任意可调。12、切割长度：任意可调。13、外观材质：由型材和A3板烤漆而成。14、由二个切割刀，多个传动系统组成，使用步电机、丝杆等。

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持