本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变

本项目共包括8项授权专利，另有20余项专利正处于公开阶段。 项目主要创新点为：（1）提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方，实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。 （2）提出了“缓冲法”技术，克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高，薄膜均匀性差的难题，成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料，厚度可达20微米以上，其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平，其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相

绝缘体-金属相变材料领域。 利用简单易行的方法制备大尺寸高质量二氧化钒单晶体，实现了二氧化钒单晶体电阻的快速温度响应。 

一、 项目简介“硅单晶碱性抛光液及清洗液”项目,始自七十年代中期,不断对产品研发与升级。FA/O硅单晶碱性抛光液，具有较高的抛光速率，能有效去除衬底表面损伤层，表面微粗糙度较低，可解决衬底片结底不平引起的噪声增加、漏电流增大，实现了表面高完美性，提高了衬底片器件区的可靠性与衬底片良品率。FA/O硅单晶清洗液，采取特有的物理优先吸附，有效去除抛光片表面颗粒物、有机物沾污，清洗后衬底片表面重金属离子降至ppm级，达到了易清洗、高洁净。二、 项目技术成熟程度该项目的研发、应用，满足了硅单晶衬底片加工高去除速率、低表面粗糙度、高表面完美性、易清洗、高表面洁净、高可靠性等指标的工业要求。自1994年至今，产品已累积销售一千多吨，性能稳定、质量可靠。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）抛光液抛光速率1.2-1.5um/min,粗糙度达A级。清洗剂可达到微电子的需求。研发的抛光液获国家1983年发明四等奖、1990年发明三等奖、清洗技术获1999年国家三等奖。抛光液、抛光清洗液列为国家级科技成果重点推广计划，列为国家重点新产品。申请专利授权中3项，授权6项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）据统计，仅中国（含台湾地区）硅单晶抛光液的年需求额40多亿元。FA/O硅单晶碱性抛光液，广泛用于硅分立器件、功率器件与集成电路衬底片加工。已多年供应国内华润华晶、洛阳鼎晶、深圳深爱等多家知名企业，被指定唯一用于国家航天神五至神十专用集成电路高可靠衬底抛光片加工，具有广泛的市场应用前景。FA/O硅单晶清洗液，广泛用于要求易清洗、高洁净的硅衬底片清洗。已被中科晶电信息材料有限公司等多家知名企业应用，市场应用前景广泛。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）年产量5000吨的生产规模投资为约3000万元，需千级以上超净化厂房。可依产能需求调整资金投入。产品生产控制节点少，操作人员需求少，适于自动化生产。六、 生产设备低压真空系统、百级超净车间、去离子水系统等。七、 效益分析生产工艺与操作简单、成本低、环保性好，效益较高。八、 合作方式主要采取合作生产、代理代销，可提供技术支持与培训，或面谈。九、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）项目联系人：刘玉岭 联系电话：022-60204128Email：liuyl@jingling.com十、 高清成果图片2-3张

本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜

本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优

可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术。