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基于电流检测及压电介质的宽频空间电场探测头、其检测电路及其探测方法
本发明提供了一种基于电流检测及压电介质的宽频空间电场探测头、其检测电路及其探测方法，涉及电场探测技术领域。探测头包括压电介质，配置在压电介质上下表面的上电极板和下电极板，设置在上电极板上方的半圆形电极；半圆形电极与上电极板通过导电介质连接，半圆形电极与下电极板通过绝缘介质支撑相连；上下电极板各自设有一个可变电容基板，两个可变电容基板在压电介质的一侧弯折后表面附有导电层；两个导电层在一侧以预定间隙平行排布，其投影面的重叠面积可在预定范围内变化，形成一个可变电容，可变电容连接外部的检测电路。本发明利用压电介质形变产生可变电容，利用双电流差分回路进行检测，从而反映空间电场大小，功耗低、适用性好。
南京工程学院
2021-01-12
一种光伏板清理装置及光伏系统
本申请公开了一种光伏板清理装置及光伏系统，涉及光伏维护技术领域，包括集水装置和清洗装置；集水装置限制出容纳雨水的容纳腔；清洗装置包括输水管，输水管位于相邻两个光伏板之间，且输水管上朝向至少一侧的光伏板设置有用于清洁光伏板的喷头，输水管与容纳腔连通。本申请提供的光伏板清理装置，可通过清洗装置的输水管伸入相邻两侧光伏板之间，从而可利用收集的雨水实现对多个光伏板的清洗效果，可减少人工操作，同时可通过一个输水管实现多个光伏板的清洗，提高了在干旱缺水地区清洗光伏板的便捷性和效率，且利用收集的雨水对光伏板进行清洁，可节约水资源成本，进而降低了光伏板的清洁成本。
兰州大学
2021-01-12
太阳能电池增效薄膜材料
太阳能电池的光电转换效率是评判太阳能电池性能的重要参数之一，在国外实验室 最高转换效率已达 24.8%，而国内最高为 19.79%。为了改善太阳能电池的性能，必须提 高太阳能电池的转换效率。而太阳能电池转换效率损失的主要原因是由于表面上的光反 射作用，太阳光不能全部都入射到太阳电池中去，导致电子一空穴对的产生率不高。减 少反射就成为增加太阳能电池光电转换效率的重要途径。 同济大学研究了在太阳能电池光电板外制备减反射涂层来增加太阳能转化效率的方 法。减反射薄膜的镀制是相关课题组纳米多孔材料应用的主要方向之一，具有近十年的 技术积累，相关的成果已被用于国家的激光武器。基于以上基础及优势，通过涂布二氧 化硅减反射膜，可使电池总体光电转换效率明显提高。
同济大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目简介： 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑 的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功 耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色： 制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制 造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片，国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币，具有市场广，竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术，原材料成本便宜 30%左右，具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学
2021-02-01
井下多媒体信息地面钻孔探测技术
西安科技大学自 2009 年开始就矿山应急救援通信技术和装备着手开始研究，现该成果获中国煤炭工业协会科技进步奖二等奖 1 项，实用新型专利 3 项，发表论文 6 篇；研制成果针对矿井应急救援过程中所遇到的困难，研究与开发具有传输语音、视频和多种环境参数数据的井下多媒体信息地面钻孔探测装置，实时、准确地把受灾钻孔中及通过钻孔探测到的井巷中的受灾信息时实时传送到地面救灾指挥部及各级救援指挥中心，为救灾指挥员与专家提供准确可靠的灾情信息，达到科学制定救灾方案的目的项目研究成果目前成功得完成了多次矿山事故应急救援，并为煤矿企业挽回巨大经济损失，保障了广大煤矿井下工作人员的人身安全，树立了良好的国际形象，取得的巨大的经济效益和社会效益，推广应用前景广阔。
西安科技大学
2021-04-11
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
一种薄膜制备装置（未授权）
西南大学
2021-04-13
光电探测量子芯片产业化
用于量子保密通信、近红外探测成像、高速量子光通信、激光雷达探测。 针对单光子探测需求，提取关键技术参数，通过多次半导体器件仿真优化，最终得到外延结构设计。结合 13 所 自主外延生长技术与精准的锌扩散方案，最终实现较为成功的 GM-APD 芯片。该芯片已经成功达到量子保密通信中单光子探测需求，并在安徽问天量子技术有限公司的产品中得到应用。
中国科学技术大学
2021-04-14