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稻米糊粉（白糠）高值化利用关键技术及装备集成
稻米糊粉是大米加工过程中的重要副产物，主要包含稻米糊粉层和亚稻米糊粉层，营养价值十分丰富，含有大量的蛋白质、膳食纤维、维生素和矿物质，其营养素含量是精白米的数倍到几十倍不等，是十分优良的食品原料及配料。稳定化加工后价格 0.6-1 万元/吨，开发成产品则利润更高，具有十分可观的经济效益。 但稻米糊粉层中的脂肪酶和过氧化物酶在碾米过程中极易激活，产生脂肪酸败现象，这是限制其商业化应用的主要因素。绝大多数富含糊粉层的米糠未被有效分离，与米糠一起以 0.2 万元/吨左右的低价出售用作饲料，未充分发挥其附加值，是一种巨大的资源浪费。 本项目针对传统稳定化方法处理稻米糊粉层得到产品货架期短、食味品质差、成本高等缺点，通过差异化分级、梯度瞬时灭酶等关键技术的研发，成功解决了稻米糊粉的稳定化问题，并成功挖掘其高值化商业卖点，将其作为功能性配料开发了代餐食品、固体饮料、烘焙以及面制品等系列产品。该项目的研究成果对于提高稻米附加值，促进大米加工企业创利增收，延伸稻米产业链具有重要意义。
江南大学
2021-04-11
基于新型氢转换材料的便携式氢动力集成装备的开发
新型氢转换材料实现了简单、高效、即时即地制氢，结合氢氧燃料电池，可为国民经济和军事领域提供便携式电源的解决方案。关键产品技术已达国际先进水平，增强了我国在氢能制取和应用技术上的核心竞争力。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
关键技术“揭榜挂帅”攻关 发布首批项目榜单
根据省委、省政府年度重点工作安排，省科技厅积极探索改革省级科技计划项目组织管理方式，启动实施2021年度重点领域技术攻关“揭榜挂帅”项目，发布了首批关键技术攻关项目榜单，面向全国遴选科研攻关团队，解决我省重点领域关键核心技术问题。
江西省人民政府
2021-06-07
2020年“双百计划”典型案例：实验室废液处理集成技术与装备
浙江工业大学莫干山校区实验副产物绿色转化中心是校企双方联合成立项目组共同攻关，确保项目研发的顺利实施和预期目标的达成。企方负责项目规划、样机研制、现场试验、宣传推介等工作；校方负责科研项目的技术方案制定、产品设计、实验研究等工作，并负责提供研究用的仪器设备、实验场地、人员培训和产业化技术服务等工作。
中国高等教育博览会
2022-02-17
天津市人民政府办公厅关于印发天津市质量攻关管理办法的通知
为进一步规范本市质量攻关管理工作，激发各行业参与群众性质量管理活动的积极性，推动企事业单位广泛深入开展质量攻关，提升全面质量管理水平，根据本市质量强市建设工作的有关规定，制定本办法。
天津市人民政府办公厅
2024-01-04
农田循环生产配套关键机械技术集成与应用研究 ——苗期地膜回收技术和装备
成果简介： 本成果苗期地膜回收装备——1MSM-1000型玉米/棉花苗期地膜回收机，利用地膜在苗期比较完整、抗拉性较好的优势，能够完成我国超薄残膜(0.006～0.008mm)的回收，与作物收获后残膜回收相比，提高了地膜收净率，同时解决了收膜率与伤苗率之间的矛盾。该机具能够实现连续收膜作业，技术先进、作业效率高、价格低廉。创新点如下： 实现了在残膜收起的同时避免对幼苗的伤害；能很好地完成起膜、脱膜和抖土作业，在保证不伤苗、不伤膜的情况下
中国农业大学
2021-04-14
教育部社科司关于2023年度教育部哲学社会科学研究重大课题攻关项目、高校思想政治理论课教师研究专项重大课题攻关项目评审结果的公示
现将2023年度教育部哲学社会科学研究重大课题攻关项目、高校思想政治理论课教师研究专项重大课题攻关项目评审结果进行公示。
教育部
2023-12-27
数模混合集成电路、射频集成电路、SoC 系统集成等 技术
项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。
南开大学
2021-04-11
黑龙江省首批“揭榜挂帅”科技攻关项目揭榜
近日，黑龙江省科技厅对2021年黑龙江省第一批“揭榜挂帅”科技攻关项目拟支持团队名单进行公示，拟确定24个团队成功揭榜。
黑龙江省科技厅
2021-08-06
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10