本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的

本发明公开了一种用于多轴磁悬浮轴承的电流相反的电力电子 控制器，包括：2N 个绕组桥臂及一个共用桥臂，其中，N 为多轴磁悬 浮轴承自由度数，2N 个绕组桥臂分为 N 个 A 组绕组桥臂以及 N 个 B 组绕组桥臂，每一个绕组桥臂设置一个可控开关，共用桥臂设置 2 个 可控开关，通过改变可控开关的导通时间控制通过每个绕组的电流， 实现对多轴磁悬浮轴承中电磁力的控制。本发明的各绕组励磁电流在 公共接点处相互抵消，改变了以往结构共用桥臂电流为各绕组桥臂之 和，显著减小了流过共用桥臂可控开关的电流，降低了开

本实用新型公开了一种掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器，该掺铁硒化锌可饱和吸收镜包括基底、镀在所述基底上的高反射膜以及镀在所述高反射膜上的掺铁硒化锌薄膜，由于该掺铁硒化锌可饱和吸收镜以掺铁硒化锌薄膜为可饱和吸收体，同时掺铁硒化锌薄膜本身具有较高的损伤阈值，能够用于高功率激光器的研制，弥补了本领域缺少高损伤阈值可饱和吸收镜或可饱和吸收体的空缺；基于上述掺铁硒化锌可饱和吸收镜构成的锁模光纤激光器，利用双包层增益光纤获得激光，并通过掺铁硒化锌可饱和吸收镜对激光进行调制实现锁模，获得超短脉冲激光。

该项目是在国家自然科学基金委的大力支持下，由西安交通大学吴裕远教授主持的课题组经过15年的艰苦努力，突破传统机理，锐意科技创新，所取得的最新成果，荣获2001年国家技术发明奖二等奖。该项目是西安交通大学，拥有完全的自主知识产权,非常适宜在制氧、石油、化工、乙烯等换热器领域推广应用。 

（专利号：ZL 201410284167.5） 简介：本发明公开了一种基于超声波振动式结晶器的不锈钢生产方法，属于钢铁冶金技术领域。本发明的步骤为：步骤一、高炉炼铁；步骤二、转炉冶炼并进行精炼；步骤三、超声波连铸，经过步骤二精炼之后的钢水在连铸过程中采用水平连铸结晶器，在水平连铸结晶器上产生超声波振动。本发明中无需依靠结晶器的机械振动，而仅仅依靠超声波振动力使初生坯壳与结晶器内壁自动“脱模”，从而消除或减少不锈钢铸坯表面缺陷的产生；结晶器

忆阻器，全称记忆电阻器(Memristor)。惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现，有望实现非易失性随机存储器。并且，基于忆阻的随机存储器的集成度、功耗、读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外，忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最好方式。由于忆阻的非线性性质，可以产生混沌电路，从而在保密通信中也有很多应用。目前，有机忆阻器普遍具有稳定性差、工作机理模糊不清、红外响应差的不足。所以，研究人员希望能够开发出具有高稳定性且红外响应好的有机忆阻器。

本发明公开了一种基于运算放大器的阻性传感器阵列读出电路，所述阻性传感器阵列为共用行线和列线的阻性传感器阵列；该读出电路包括：标准电阻行，其包括一行N个标准电阻，增设于所述阻性传感器阵列中，从而得到一个新的共用行线和列线的（M+1）×N电阻阵列；（M+1）个运算放大器，与电阻阵列的（M+1）条行线一一对应，每个运算放大器的反相输入端、输出端连接于一点后与其所对应行线连接；控制器，其具有至少(M+1)个IO端口以及至少N个ADC采样端口，其中的(M+1)个IO端口与所述（M+1）个运算放大器的同相输入端

本发明公开一种基于人工表面等离激元的微波涡旋波发生器。该结构工作在微波频段，由双层人工表面等离激元波导实现对于电磁波的传输，上层波导和下层波导之间的连接通过一个金属过孔实现。该微波涡旋波发生器的辐射部分主要由一系列放置在人工表面等离激元波导旁边的圆形贴片实现，同时这些圆形贴片作为谐振器也提供了产生不同的涡旋波所需的相位。这种微波涡旋波发生器可以在不同频率处实现具有不同轨道角动量模式的涡旋波，而不需要在结构上做出任何改变。

产品详细介绍随着社会对虚拟现实模拟技术的追求，公司经坚持不懈的努力，吸取国内外先进的三维立体模拟技术，成功开发了紫光系列动感驾驶模拟器，ZG-DG2型动感汽车驾驶模拟器虚拟仿真驾驶模拟器平台以两自由度平台通过伺服电机的位置模式来控制活塞杆的行程，伺服电机通过由MBOX驱动器得到信息并驱动电动机转动，最终来实现平台的左右翻转以及前后俯仰等动作。能够实现驾驶舱对仿真图形的快速、稳定的反映，通过模拟驾驶舱和计算机实时生成汽车行驶过程中的虚拟视境、音响效果和运动仿真等驾驶环境，同时能够针对轿车、货车、客车等各类车型进行包括临界、极限工况的全工况仿真实验，分析、预估和评价汽车的操纵稳定性、安全性、制动性、动力性和燃油经济性，对汽车运动性能控制系统进行仿真、评价、预测和优化，提供车型结构参数匹配的最优化方案等，对于汽车驾驶模拟器开发具有重要而现实的意义。一、系统组成：      ZG-DG2型动感汽车驾驶模拟器设备由模拟驾驶舱、视景模拟驾驶软件、数据采集系统、六自由度平台系统由Stewart机构的两自由度运动平台、计算机控制系统、驱动系统等组成。下平台安装在地面的固定基座基上，上平台为支撑平台。计算机控制系统通过协调控制电动缸的行程，实现运动平台的两个自由度的运动。各主要部分简述如下：1模拟驾驶舱：驾驶座舱采用玻璃钢外壳用模具一次铸造成型，坚固耐用，永不变型；外观简洁大方、时尚亮丽。五大操作件及仪表台采用真车实件配置，转向机构采用真车方向机总成构建，实车转数方向自动回位；档位外罩采用桑塔纳真车中央通道，具有真车实感。驾驶舱是由转向器、油门、离合器、脚刹车、手刹车等操纵机件及座椅等组成。2视景模拟驾驶软件：视景全部由计算机实时生成三维图像。32位真彩色，24帧/秒。多自由度数学模型，实现汽车模拟驾驶各种道路及相关驾驶技术考试、训练项目的逼真动感模拟。3运动平台：两自由度运动平台是根据运动控制的运动指令，进行相应的运动；系统控制服务器根据全景视频的内容提取相应的动作，并且解算成运动控制能够识别的运动指令，与此同时控制各播放器全景视频同步运行。4上下运动平台：上平台，连接需要被模拟动作的机构。上铰链，双回转轴的虎克铰结构，用于连接上平台与电动缸的活塞杆。下铰链，单虎克铰结构，用于连接固定基座与电动缸的筒体。下平台，安装固定基座。二、 工作原理、特征： 驾驶模拟器动感平台、电动缸及伺服电机：驾驶模拟器通过控制电动缸活塞杆的行程，实现动感平台台体的六自由度运动。 驱动器系统：接收用户控制指令，通过控制伺服电机的输入，对伺服电机的输出转速和转角进行控制，达到控制电动缸活塞杆出速度和行程的目的。综合控制监测系统：硬件为用户计算机，软件为研制方配合开发；同时，它还对平台的运动过程进行监测，预防和处理系统的异常情况。三、汽车驾驶模拟器软件：软件功能：　新版汽车驾驶模拟器软件符合“公安部123号令”考评规则。小车（科目二）场地5项，分别为：倒车入库、坡道定点停车和起步、侧方停车、曲线行驶、直角转弯；大车（科目二）场地16项，分别为：桩考、坡道定点停车和起步、侧方停车、通过单边桥、曲线行驶、直角转弯、通过限宽门、通过连续障碍、起伏路行驶、窄路掉头、模拟高速公路、连续急弯山区路、隧道、雨天、雾天湿滑路、紧急情况处置。新版汽车驾驶模拟器软件道路驾驶技能考试（科目三）内容包括：上车准备（系安全带）、起步、直线行驶、加减挡位操作、变更车道、靠边停车、直行通过路口、路口左转弯、路口右转弯、通过人行横道线、通过学校区域、通过公共汽车站、会车、超车、掉头、夜间行驶等训练考试项目。产品完全符合“中华人民共和国公安部令 第 123 号令”及教育部新的国家机动车驾驶员训练大纲要求。本汽车驾驶模拟器分为单台模拟驾驶及与主控台联网模拟驾驶两款；具有自主知识产权。是目前市场上功能最全最新的汽车驾驶模拟器软件。 附注：产品完全符合“中华人民共和国公安部令 第 123 号令”及教育部新的国家机动车驾驶员训练大纲要求。具有自主知识产权。紫光基业：010-67886161

       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，可以看到我们的淘宝店铺，联系更加方便！ 特点： ※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；  ※ 符合标准曲线，具有良好的互换性； ※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装； ※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度； ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线； ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，可以看到我们的淘宝店铺，联系更加方便！ 参数： ※ 温度范围：3K~500K； ※ 标准曲线：DT640 ※ 推荐激励电流：10µA±0.1%； ※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向电压高达：75V； ※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A； ※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用； ※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​