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柔性薄膜组装集成芯片传感器
（ (A) 器件主要功能层示意图；(B) 贴附于曲面上的柔性传感器件阵列；(C) 智能传感器件功能区的光学显微照片；(D)用于湿度传感的集成系统构造图；(E) 氢气通入前后参比器件与检测器件的电流变化，红色为参比电流，蓝色为检测电流 ）
复旦大学 2021-01-12
全向发光读写专用灯A
规格参数 产品尺寸 1220×290×100mm 产品重量 3kg 功率 38W 显色指数 >90 频闪 无危害 功率因数 >0.9 色温 5000K 推荐场景 普通教室、阶梯教室、实验室 了解更多产品详情，请与我们联系400-703-2833 官网：http://www.leedarson.cn
厦门立达信照明有限公司 2021-08-23
睿视明健康读写台灯
深圳市拓享科技有限公司 2021-08-23
全光谱LED护眼读写灯
1、自主研发全光谱芯片，光谱为连续性，无蓝光危害； 2、类太阳光照明，Ra97，高度还原真实色彩； 3、RG0级无蓝光危害，无可视频闪，缓解用眼疲劳； 4、国AA级照度，大面积发光，无暗区，照度更均匀； 5、多功能一键触控，三档亮度轻松切换； 6、灯臂设计四处转轴，灯头上下。         了解更多产品详情，请与我们联系：021-6176 3333；15821024688
启福光照明科技（上海）有限公司 2021-08-23
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学 2021-04-14
全向发光读写专用灯B
规格参数 额定功率 38W  功率因数 >0.9 色温 5000K 显色指数 >90 频闪 无危害 产品尺寸 1220×290×100mm 产品重量 3 kg 推荐场景 普通教室、阶梯教室、实验室 了解更多产品详情，请与我们联系400-703-2833 官网：http://www.leedarson.cn
厦门立达信照明有限公司 2021-08-23
久良·曜智能护眼读写灯
产品详细介绍 公司官网：http://www.jiuliangtech.com
浙江久良教育科技股份有限公司 2021-08-23
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学 2021-04-14
磁敏电阻芯片及系列传感器
磁敏电阻芯片及相应传感器的开发与应用是磁敏传感技术近二十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支。1.我们研制的高分辨率（１０００～４０００脉冲/３６０º）磁编码器（国家自然科学基金项目）其关键技术指标频率响应达３００ＫＨｚ，超过国外同类产品的３０％，是光学编码器频响的３倍。2。我们生产的具有判向功能、从０～数万转速的测速传感器，具有信号无接触测量，无触点、无磨损、无噪声、使用寿命长，分辨高，检测距离远、频率响应宽达到0－200KHZ、性能明显优于光电测速传感器和电感测速传感器。已成功替代纺织进口设备传感器3。无触点磁敏电位器（北京市自然科学基金项目）已获得过国家专利，该产品内部具有信号无接触测量，使用寿命长，分辨率高，转动力距小，高频响应特性好，抗干扰能力强，适用于油、水、粉尘等惡劣环境的特点。4。最新结构的倾斜角传感器（建设部项目），已申报国家发明专利，信号感应检测无磨损   无电噪声 、高可靠性、高分辨率、 高稳定性、特别适用于运动频繁要求使用寿命长的场合，环境适应性强，可用于潮湿、油污、粉尘、盐污、露天等多种工业场合。  
北京科技大学 2021-04-11
磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学 2021-01-12
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