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基于波前调节的电控液晶激光整形芯片
本发明公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的
华中科技大学
2021-04-14
一种绳索自适应长度调节装置
本发明公开了一种绳索自适应长度调节装置，包括上连接组件、 张紧调节组件和下连接组件，上连接组件包括上圆盘组件、上支架和 上移动架，上圆盘组件安装在上支架上，上支架包括上连接架及延伸 架，上连接架的底部向下设置所述的延伸架，上支架上竖直设置有滑 槽，上移动架能在滑槽内上下滑动，下连接组件包括下支架和下圆盘 组件，下圆盘组件安装在下支架上，下支架固定安装在上移动架上， 张紧调节组件包括导向支撑杆、移动座、左连杆滑块机构和右连杆滑 块机构，上连接架的底部向下设置导向支撑杆，移动座活动穿装在导 向支撑杆上。
华中科技大学
2021-04-14
盘式制动调节器尺寸精密测量
盘式制动调节器是汽车刹车部位重要的零部件，盘式制动调节器的高度对汽车的制动性能着极为重要的影响，其尺寸的要求精度在皿。受南京弹簧厂委托，研究团队利用视觉测量技术，于2018年10月研发了盘式制动器尺寸的在线测量装置，已投入生产使用，该设备检测精度在0.02mm,是国内研发的关于该产品自动测量的第一款高精密设备，解决了公司的急迫需求，赢得了国外客户的赞许，得到了公司的大力信任。
南京工程学院
2021-01-12
显示器可调节豪华型讲台
产品详细介绍产品名称：显示器可调节型讲台产品型号：昕影XY-10外形尺寸：1180*970*750MM (长*高*深 )结构特点：1.材料及加工工艺: 采用1.0MM-1.5MM优质精装冷轧钢板,经数控设备加工而成,表面酸洗、磷化、防腐、防锈、钝化处理后静电喷塑,塑面经久耐用。2.钢木结合、豪华美观、操作舒适3. 讲台实木扶手采用高档橡木精细加工而成， 表面喷高档油漆；4. 采用平滑圆弧过渡设计、安全、美观，内部钢板无棱边及毛刺；5. 台面左边可放17寸~19寸液晶显示器（显示器固定在活动面板上，并装有10MM钢化玻璃，用于保护显示屏），教师可根据身高或光线强弱调整显示器角度使用非常方便，左台面前方是操作铭牌，右台面后方放多功能接口板等，右前方平面可放笔记本等设备；6. 防尘、防盗，一把钥匙开启，键盘可安装电控锁（选配，已预留读卡器孔和电磁锁固定孔）；7. 讲台配备有键盘抽屉，中控面板抽屉和前开式粉笔、白板笔盒，讲台右侧可以配实物展示台抽屉（选配），采用优质品牌承重轨道；8.电脑主机的光驱和USB接口设有专门的可开合小门，方便操作。后方有上下门，便于检修设备，下门冲散热孔，柜体左右侧可各装一个静音型品牌轴流风机（选配），方便散热；9. 柜内有固定线的托条，使柜内线井然有序，既美观又方便检修；10. 前下柜内有做实验专用钢化玻璃（选配）；11.讲台整体分为上、下柜，运输方便、安全，连接简单。
广州市罗诚电子有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够
华中科技大学
2021-04-14
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
华中科技大学
2021-04-11