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磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
可调节电磁场发生器线圈装置
产品详细介绍概述1.1、CT-100型电磁场发生器采用亥母霍兹线圈立式、自然冷却式结构，具有视野开阔、外形美观、结构可靠、磁场强度高、磁场强度大小调节方便等特点。1.2、磁场强度大小调节方便，可通过调节电源电流大小来改变。1.3、电磁铁工作气隙结构调整采用力田专利技术设计。1.4、使用前请仔细阅读本说明书，严格按要求操作使用。2、技术参数 磁场发生器尺寸：400*160*210mm线圈内孔：100mm线圈外径：140mm底板：210*120*2mm磁感应强度：60GS工作电流：DC 0～3.0A 冷却方式：自然风冷。重量： 2kg4．电磁场发生器工作原理电磁场发生器是根据电磁感应原理，电流源对磁场线包提供直流电流，并由导磁回路聚磁产生磁场，通过调整工作电流均可改变工作气隙磁场的强弱。5.配置稳恒电流源的要求5.1 建议配置线性稳压稳流源，输出直流电压 0-30V,电流 0-3A ，100W的电源。5.2 电磁铁的接线电磁场发生器的接线柱接直流电源的输出端，输出端的正负由所需要的磁场方向确定。
绵阳力田磁电科技有限公司
2021-08-23
真空磁场高温退火设备实验电炉反馈调节加热系统
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-12
实验室磁场发生器一维亥姆霍兹线圈
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-05
一种热变形磁体定向破碎制备各向异性钕铁硼磁粉的方法，工艺步骤为：
一种热变形磁体定向破碎制备各向异性钕铁硼磁粉的方法，工艺步骤为：（1）全致密各向同性钕铁硼磁体的制备；（2）热变形各向异性钕铁硼磁体的制备；（3）热变形磁体的定向破碎，将步骤（2）制备的“圆饼状”各向异性钕铁硼磁体在氩气保护下于室温沿其径向施加对称、循环作用力进行定向破碎，破碎力为600MPa～700MPa，得到层片状磁性薄片；（4）磁性薄片的规则化破碎，在氩气保护下将步骤（3）制备的磁性薄片采用滚动碾磨法进行规则化破碎，得到各向异性钕铁硼磁粉。
四川大学
2021-04-11
一种提高永磁电机永磁体抗不可逆去磁能力的转子结构
本发明公开了一种提高永磁电机永磁体抗不可逆去磁能力的转子结构，包括中心转轴、转子铁芯，中心转轴和转子铁芯同中心轴线安装；围绕中心轴线，在转子铁芯上均匀设有多个形状、大小相同的U形通槽，U形通槽的底部槽体上设有永磁体，U形通槽的两侧槽体上设有若干个相互之间不连通的磁桥。本发明通过在U形通槽的两侧槽体上设置不完全连通的磁桥结构，有效提高了电机的抗不可逆退磁能力。磁桥结构的设置并未明显影响电机的转矩输出能力，保证了电机的输出性能。
东南大学
2021-04-11
高场超导核磁共振波谱仪的关键技术转让
高校科技成果尽在科转云
武汉大学
2021-04-10
一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器
本发明公开了一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器， 属于电工技术领域。其包括两个电感线圈、直流快速开关、旁路电阻、 定值电阻以及金属氧化物避雷器，两个电感线圈并联，两个电感线圈 由超导导线绕制、其匝数相同、结构一致、磁通正向耦合，直流快速 开关与超导电感线圈整体串联以形成串联支路，旁路电阻并联在串联 支路两端，定值电阻并联在快速开关两端，两个金属氧化物避雷器分 别并联在两个电感线圈两端。本发明限流器能够在直流系统正常状态 下为输电线路提供一个超导态的没有阻性损耗的平波电抗，还能在直 流系统发生单极接地故障或者两级短路故障时，快速有效地抑制短路 电流峰值，还能保护超导电感线圈安全稳定运行。
华中科技大学
2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学
2021-04-11
一种超导电感电容混合储能脉冲功率电源
本实用新型公开了一种超导电感电容混合储能脉冲功率电源，包括初始充电电源、可控开关、储能电容器、非线性电阻、三绕组脉冲变压器、二极管和负载；本实用新型结构将超导电感储能和电容储能有效结合，并利用三绕组脉冲变压器将能量进行快速压缩和释放；电容器集储能和限压两种功能并且通过LC振荡回路加速了能量向负载传递的速率和效率；压敏电阻使原边超导线圈中的剩余电流快速衰减，提升了能量传递效率。
西南交通大学
2016-10-24