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锥体系、锥体外系XM-654B
XM-654B锥体系、锥体外系
XM-654B锥体系、锥体外系显示锥体系、锥体外系传导。
尺寸：放大，30×30×57cm
材质：塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-654B锥体系、锥体外系
XM-654B锥体系、锥体外系
XM-654B锥体系、锥体外系显示锥体系、锥体外系传导。
尺寸：放大，30×30×57cm
材质：塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
怀进鹏：完善高校科技创新体制机制，加快构建职普融通、产教融合的职业教育体系
2月17日，北京市举行全市教育大会。北京市委书记尹力，教育部党组书记、部长怀进鹏出席大会并讲话。北京市委副书记、市长殷勇主持大会。北京市人大常委会主任李秀领、市政协主席魏小东出席大会。
教育部
2025-02-18
论坛报名 | 建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“现代职业教育体系建设”
建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“现代职业教育体系建设”
中国高等教育学会
2025-05-09
一种热变形磁体定向破碎制备各向异性钕铁硼磁粉的方法，工艺步骤为：
一种热变形磁体定向破碎制备各向异性钕铁硼磁粉的方法，工艺步骤为：（1）全致密各向同性钕铁硼磁体的制备；（2）热变形各向异性钕铁硼磁体的制备；（3）热变形磁体的定向破碎，将步骤（2）制备的“圆饼状”各向异性钕铁硼磁体在氩气保护下于室温沿其径向施加对称、循环作用力进行定向破碎，破碎力为600MPa～700MPa，得到层片状磁性薄片；（4）磁性薄片的规则化破碎，在氩气保护下将步骤（3）制备的磁性薄片采用滚动碾磨法进行规则化破碎，得到各向异性钕铁硼磁粉。
四川大学
2021-04-11
一种提高永磁电机永磁体抗不可逆去磁能力的转子结构
本发明公开了一种提高永磁电机永磁体抗不可逆去磁能力的转子结构，包括中心转轴、转子铁芯，中心转轴和转子铁芯同中心轴线安装；围绕中心轴线，在转子铁芯上均匀设有多个形状、大小相同的U形通槽，U形通槽的底部槽体上设有永磁体，U形通槽的两侧槽体上设有若干个相互之间不连通的磁桥。本发明通过在U形通槽的两侧槽体上设置不完全连通的磁桥结构，有效提高了电机的抗不可逆退磁能力。磁桥结构的设置并未明显影响电机的转矩输出能力，保证了电机的输出性能。
东南大学
2021-04-11
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“现代职业教育体系建设”的通知
经教育部批准，中国高等教育学会决定在吉林省长春市举办“建设教育强国·高等教育改革发展论坛”（以下简称“论坛”）。论坛由1个主论坛和14个平行论坛组成，“现代职业教育体系建设”是平行论坛之一。
中国高等教育学会
2025-04-28
高场超导核磁共振波谱仪的关键技术转让
高校科技成果尽在科转云
武汉大学
2021-04-10
一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器
本发明公开了一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器， 属于电工技术领域。其包括两个电感线圈、直流快速开关、旁路电阻、 定值电阻以及金属氧化物避雷器，两个电感线圈并联，两个电感线圈 由超导导线绕制、其匝数相同、结构一致、磁通正向耦合，直流快速 开关与超导电感线圈整体串联以形成串联支路，旁路电阻并联在串联 支路两端，定值电阻并联在快速开关两端，两个金属氧化物避雷器分 别并联在两个电感线圈两端。本发明限流器能够在直流系统正常状态 下为输电线路提供一个超导态的没有阻性损耗的平波电抗，还能在直 流系统发生单极接地故障或者两级短路故障时，快速有效地抑制短路 电流峰值，还能保护超导电感线圈安全稳定运行。
华中科技大学
2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学
2021-04-11