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宇花 2 号
“宇花 2 号”是高产、耐盐大花生品种，以花育 22 号为材料，通过诱变技术和定向筛选获得的高产、耐盐大花生品种，该技术已获授权国家发明专利“一种花生离体诱变定向筛选耐盐体的方法”。 “宇花 2 号”在 2015 年山东省花生区试大花生组荚果和籽仁产量名列第一名，比对照花育 25 号增产 13.2%。近三年在东营盐碱地试验，表现出较强的耐盐性，在含盐量 0.3%左右的盐碱地，亩产荚果超过 850 斤，比花育 25 号增产 25%以
青岛农业大学
2021-01-12
干椒 2 号
一代杂交种。植株高约 110 厘米左右，株幅 95 厘米左右，门椒着生节位 10～12 节。果实粗羊角形，果长 12～15 厘米，果肩径 2.5～2.8 厘米，果皮光滑、嫩果绿色，干椒紫红，果实内皮红色，干椒色价值 13～17，微辣。 果实自然晾干速度较快，干椒果实外形、红色度和亮度俱佳，色素含量高，抗病性好，适于辣椒色素萃取加工。产量表现：在 2013 年全省干制辣椒品种区域试验中，平均亩产干椒 376.0公斤，比
青岛农业大学
2021-01-12
红翠2号
红翠2号是从重庆地方脐橙优良品种凤园72-1中选出的晚熟芽变，具有果形美观、整齐、颜色深橙、果 皮光滑、果大等优良外观品质，又有肉质细嫩化渣、甜酸适口、风味浓郁、出汁率高、无有枯水等优良食用 品质，其成熟期在3月一5月，丰产稳产,抗逆性强，综合品质优良，是一个极具发展潜力的晚熟脐橙品种。 可以在奉节海拔300-500米处及生态气候相当的地区推广发展。本成果适宜在奉节及三峡库区海拔500米以下区域发展，无严格生产条件，规模化产业化推广应用需要 1000万元左右投入,主要是苗木繁育及果园基础建设。
西南大学
2021-04-13
Polycom SoundStation 2 W
产品详细介绍
产品介绍
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· Acoustic Clarity Technology（语音清晰技术）使之真正的体现出流畅交谈且无断句、失真或是其他问题
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四川三志科技有限公司
2021-08-23
微机曙光2号
产品详细介绍
泉州市三维科技电脑有限公司
2021-08-23
一种 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制备方法
传统的Al2O3-TiN复合材料制备设备及工艺复杂，生产效率低下，成本高，不利于 复合材料的推广应用。本发明将两种粒径不同的Al2O3粗细颗粒作为骨料，α-Al2O3、 TiO2、Al粉作为细粉按比例混合模压，采用流动氮气气氛下常压原位反应烧结。在合理 的升温速率、合理的烧结温度以及保温时间下制备Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金属作 结合剂取代传统烧结结合，可以降低制品的烧结温度，烧结后制品中的金属与原料中的 物质原位反应形成难熔化合物。
青岛农业大学
2021-04-11
Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料，由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用，可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结，以保持晶界对声子的有效散射，对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。本发明还公开了该复合材料的一步水热法或一步溶剂热法的制备方法，具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点。
浙江大学
2021-04-11
一种 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制备方法
传统的Al2O3-TiN复合材料制备设备及工艺复杂，生产效率低下，成本高，不利于复合材料的推广应用。本发明将两种粒径不同的Al2O3粗细颗粒作为骨料，α-Al2O3、TiO2、Al粉作为细粉按比例混合模压，采用流动氮气气氛下常压原位反应烧结。在合理的升温速率、合理的烧结温度以及保温时间下制备Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金属作结合剂取代传统烧结结合，可以降低制品的烧结温度，烧结后制品中的金属与原料中的物质原位反应形成难熔化合物。
青岛农业大学
2021-05-07
一种具有微结构的a-Fe2o3光电极的制备方法
一种具有微纳结构的α-Fe2O3光电极的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片，用砂纸抛光，清洗，将洗净的材料超声处理，取出备用；配制电镀液，以钛片做阴极，不锈钢片做阳极，采用稳压直流电源电镀时间分别3-5s，室温30℃，电镀完后将钛片取出，洗净，晾干，得纳米铁立方体，再将覆盖有纳米铁立方体的钛片至于马弗炉中焙烧，取出即得微纳结构的α-Fe2O3光电极。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；同时用该法制备的所制得的微纳结构的α-Fe2O3呈球形，可以对光进行全方位的反射，同时微米球表面分布很多纳米带，可进一步增强电极的比表面积，作为光电极，其光的利用率高，电流密度大。
西南交通大学
2016-10-20
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底
华中科技大学
2021-04-14