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大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学
2021-04-14
覆膜支架
动脉瘤是由于动脉血管壁因发生疾病、损伤或先天性因素引起的血管壁局部变得薄弱，在承受血流的冲击下，该处动脉血管壁的薄弱点向外突出，逐渐扩张，形成的圆形、椭圆形或棱形的囊状膨大。动脉瘤是一种有潜在生命危险的疾病，动脉瘤在血流的冲击下不断生长，压迫周围器官或组织引起症状。由于血压增高或其他因素引起的动脉瘤破裂，发生急剧的出血。动脉瘤可发生在身体的不同部位，最常见的是腹主动脉瘤和颅内动脉瘤。为避免外科手术高风险，血管内介入治疗逐渐成为治疗动脉瘤的主要方法，血管内介入治疗具有创伤小、并发症少、安全性高、患者痛
上海理工大学
2021-01-12
离子膜烧碱
工艺：离子膜法
物理属性：纯品为无色透明液体，吸湿性很强，腐蚀性强。
主要用途：是重要的化工基础原料，广泛用于纺织印染、冶炼、医药、涂料等行业。同时具有食品级的生产许可证，可作为食品添加剂使用。
技术指标
序号
项目
液碱
优等品
一等品
1
浓度
32%
熔点(℃)
318.4
沸点(℃)
1390
相对密度(水=1)
2.130
2
氢氧化钠 ≥
32.0
3
碳酸钠 ≤
0.04
0.06
4
氯化钠 ≤
0.004
0.007
5
三氧化二铁 ≤
0.0003
0.0005
6
二氧化硅 ≤
0.0015
0.003
7
氯酸钠 ≤
0.001
0.002
8
硫酸钠 ≤
0.001
0.002
9
三氧化二铝 ≤
0.0004
0.0006
10
氧化钙 ≤
0.0001
0.0005
德州实华化工有限公司
2021-09-09
喷漆遮蔽膜
青岛正大定制防尘膜参数
常规尺寸：3*2.6m, 4*5m, 5*5m 其他可以定做。
宽度：6-500cm
长度：任意,建议50m以内
厚度：0.5~20s（5~200μm）
颜色：通常为半透明白色
材质：HDPE
原料：食品级全新料
质量认证：ISO9001/ SGS
包装：1片/袋；2片/袋；可按要求包装
Logo印制/包装印刷: 支持
产量：50000件/天
青岛正大环保科技有限公司
2021-09-02
一种超薄抗菌水凝胶薄膜的制备方法
本发明公开了一种超薄抗菌水凝胶薄膜的制备方法，首先将组分A与缓冲溶液混合，得到共聚物溶液Ⅰ，将组分B与缓冲溶液混合，得到共聚物溶液Ⅱ；然后将基底依次浸入浓硫酸/过氧化氢混合溶液、硅烷偶联剂溶液中；取出后再依次浸入共聚物溶液Ⅰ和共聚物溶液Ⅱ中，重复该步若干次得到所述的超薄抗菌水凝胶薄膜；所述的组分A为主链含多双键的聚合物，所述的组分B为主链含多巯基的聚合物。本制备方法无需催化剂，在生理条件下即可快速进行，具有良好的生物相容性和可操作性；制备的水凝胶薄膜在盐溶液中结构稳定；厚度精确可控，膜厚可在纳米和微米尺度进行自由调控；对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌都具有良好的抗菌作用。
浙江大学
2021-04-11
超薄、窄边触摸一体机——E系列
产品详细介绍
E系列触摸一体机，是一款包括OPS PC在内的超薄、超窄边互动一体机，支持多点操作，并集成了白板快捷键、windows8开始菜单快捷键的新款机器，该设计使E系列一体机不仅看起来简约时尚高档大气，而且使用更加方便快捷。
E系列触摸一体机，支持触摸屏前置维护和OPS
PC独立插拔，便于维护。薄膜按键和超窄边框使整机更具个性魅力。自动感应黑板阻挡关背光。自行研发的专业教育软件搭配E系列的白板快捷键，带给用户更加畅快的互动体验。
设计特点：
1、红外多重扫描技术，实现多点触控，流畅书写体验；
2、支持WIN8手势功能，支持win8开始键功能；
3、内置白板快捷键，轻松操作；
4、超薄、窄边设计，视野更开阔；
5、薄膜开关按键，100万次按键寿命保证；
规格参数：
标准尺寸：55寸、65寸、70寸、84寸
深圳市灵畅互动科技有限公司
2021-08-23
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14