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大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件,实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究,该技术属于我国“卡脖子”技术,目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面,开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺,包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜,突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学 2021-04-14
超薄膨胀型钢结构防腐防火双功能涂料
超薄膨胀型钢结构防腐防火双功能涂料是专门用于建筑物钢结构防火和防腐保护的 功能性涂料。钢结构虽然有强度高、重量轻和易于施工等优点,但也存在不耐热、易腐 蚀的缺点,不经防火防腐保护的钢结构建筑往往存在较大的安全隐患。本成果提供的防 火防腐双功能涂料集良好的防火、防腐蚀功能于一身,同时还具有良好的装饰性。可采 用喷涂、刷涂等方法施工。是各种大型公共建筑物、化工企业钢结构建筑物(构筑物) 和设备的保护神。该涂料是同济大学材料学院高分子材料研究所承接的“863”计划项 目成果,已在国内 52 项建筑工程中应用,施工面积 60 多万平方米。 
同济大学 2021-04-11
轻质超薄碳纳米材料柔性全固态超电容
移动互联网时代,智能手机等设备的屏幕越做越大,研发可卷曲、可折叠的便携电子产品已成为趋势。然而,固定形状的电池限制了可折叠电子产品的发展,亟需开发相应的柔性储能器件。天津大学赵乃勤教授课题组与天津工业大学康建立教授合作,研发成功了迄今最薄的碳纳米材料薄膜超级电容器,其厚度仅为A4纸的三分之一(约30微米),柔韧、轻盈,是可穿戴设备的理想电源。 “轻质超薄”是这款超电容的显著特点。为获得高的器件综合性能,该研究团队从器件结构优化设计出发,使其兼具超高能量密度和功率密度。他们先采用化学气相沉积法一步制备了一种柔韧多孔碳纳米纤维/超薄石墨层杂化薄膜,再以固态电解质封装两片杂化薄膜得到全固态自支撑薄膜超电容。 该超电容厚度只有A4纸厚度的三分之一左右,且有很好的柔韧性。经过优化结构设计,该器件整体的体积能量密度和功率密度比目前已报道的同类超电容可以高出几个数量级,这对于空间有限的微电子器件来说尤为重要。该超电容每平方米重量仅为58克,未来可将多片超电容嵌入到衣服中,使得平时穿的衣服变成可以给电子产品供电的“电源”,穿在身上几乎不增加负重,且便于携带。 同时,整个器件还具有很好的抗变形性和循环稳定性,充放电循环5000次后电容量还保持在96%以上(而锂电池在充放电循环1000次左右后电极性质会发生变化,使用中会出现电量不足的情况)。此外,锂电池的安全问题也成为目前人们关注的重点,该超电容采用全固态设计理念,当其遭受撞击或者损坏时不会有液体外泄情况发生,极大程度上提高了产品的安全性。该超电容同时具备一般超电容使用寿命长、充放电速度快等优势,在可穿戴电子器件和微器件领域具有很好的应用前景,成果实现产业化后将会有力推进相关电子产业的升级换代。
天津大学 2023-05-12
超薄晶硅纳米线太阳能电池
常州大学 2021-04-14
膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫
膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫工艺由常州大学首先提出,并且进行了长达14年的研究,取得了很好的效果。膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫工艺,主要利用膜吸收器系统实现天然气脱硫,利用真空膜蒸馏富液再生系统实现脱硫液的再生。目前,该成果已处于中试阶段。希望与相关设计院、研究院、设备生产厂家和油气田天然气处理厂。 先进性: 与传统脱硫工艺相比,本工艺具有以下优点:(1)投资运行费用低:比吸附法节约投资费39.8%,节约运行费51.0%;比吸收法节约投
常州大学 2021-04-14
空心纤维血液透析器中空纤维膜膜孔检测
发榜企业:广东中爱医疗科技股份有限公司 悬赏金额:5万元 需求领域:图形图像处理、自动化与智能控制技术 技术关键词:图形和图像软件、人工智能 支柱产业集群:生物医药与健康产业集群
广东中爱医疗科技股份有限公司 2021-11-02
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学 2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体,又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 (3.4W/cmK),与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学 2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下,大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术,获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像,以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制,通过抑制熔体的热对流和温度波动,降低熔硅与石英坩埚的反应速率,控制氧的浓度和分布,从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点:(1)结合覆盖剂的应用,获得不同磁场下,硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律;(2)在磁场作用
南京航空航天大学 2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学 2021-04-14
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