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低渗致密油藏自驱动多效活性纳米粒子提高采收率技术
中国地质大学(北京) 2021-05-10
30H 三相混合式细分步进电机驱动器
三相混合式细分步进电机驱动器具有动态性能好、运行平稳、噪音小、输出力矩大等优 点,体现了现代步进电机驱动的最新发展趋势。具有如下技术特点: (1) 采用交流伺服控制原理,标准正弦波电流闭环驱动,低速运动平稳、无共振区、 噪音小。 (2) 直流 DC300V 母线电压,高速、高转矩输出。 (3) 具有过流、过压、过热、短路保护,可靠性高。 (4) 具有掉电相位记忆、半流功能。 (5) 具有各种细分数选择,最大可达 10000 细分,即最小步矩角为 0.036°(10000 步/ 转),具有很高的精度。 (6) 根据所使用电机的不同,具有各种电流选择,最大可以达到 6.8A,覆盖 90 至 130 全系列各种三相步进电机(4Nm-36Nm)。 (7) 对产品成本进行了严格控制,确保具有很强的价格竞争力。 目前已投入批量生产,其技术与生产工艺已经非常成熟,性能稳定可靠,适合产业化与 市场推广。 
南京工程学院 2021-04-13
基于交互力识别运动意图的欠驱动康复机器人的控制方法
本发明属于外骨骼机器人控制相关技术领域,其公开了一种基 于交互力识别运动意图的欠驱动康复机器人的控制方法,其包括以下 步骤:(1)确定欠驱动康复机器人的驱动电机数量及驱动角度矢量;(2)确定运动关节角度矢量;(3)确定初始关节角度矢量。(4)计算出传动矩 阵;(5)求得驱动电机与关节转角之间的关系式;(6)确定欠驱动康复机 器人的刚体雅可比矩阵;(7)确定欠驱动康复机器人末端的速度映射矩 阵;(8)构建出驱动电机的驱动空间到欠驱动康复机器人操作空间的投 影矩阵;(9)根据测量数据计算出患者的手施加在
华中科技大学 2021-04-14
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流 控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道 和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样 口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉
武汉大学 2021-04-14
一种语音同步驱动三维人脸口型与面部姿势动画的方法
本成果是获得授权发明专利的专利成果(ZL 201310080656.4)。该成果公开了一种语音同步驱动三维人脸口型与面部姿势动画的方法,通过用户输入新的语音信息,经过预处理之后,在虚拟人的人脸头像上合成与语音同步的口型动画和面部姿势动画。本发明具体包括两个阶段,在训练阶段,通过KNN和HMM的混合模型实现语音可视化建模;在合成阶段,通过用户输入新的语音信息,先进行语音信号的特征提取,再经过KNN和HMM混合模型生成与语音信号相对应的人脸面部姿势和口型帧序列参数,经过平滑处理后,使用Xface软件合成更加细腻、丰富的三维人脸动画。本成果不仅具有重要的理论研究价值,而且在可视通信、虚拟会议、游戏娱乐和教学辅助等领域有着广阔的应用前景。
西南交通大学 2016-06-27
一种基于曲率驱动的编织型颅内介入装置的虚拟释放方法
本发明公开了一种基于曲率驱动的编织型颅内介入装置的虚拟释放方法,涉及医疗器械介入仿真技术领域,所述方法包括以下步骤:步骤1、对编织型颅内介入装置进行应变能分析,确定假设条件;步骤2、建立编织型颅内介入装置的初始构型参数化表示;步骤3、输入动脉瘤壁的参数,得到最终构型;步骤4、建立平均曲率和高斯曲率表示的能量泛函;步骤5、能量泛函最小化的求解;步骤6、计算应力和应变。本发明基于编织丝线的力学特性和编织形介入装置的几何构型,能够在数十秒内完成装置变形和应力应变的计算,快速且精准地模拟装置在不同临床情境下的力学行为,对于优化装置设计和提升临床治疗效果具有重要意义。
复旦大学 2021-01-12
XE-708/XE-709/E70/XE-650压电陶瓷驱动器
产品详细介绍XE-650系列压电陶瓷控制器,专门设计用来驱动低压压电促动器或纳米定位台的控制器。它由一个特殊电路构成,可提供一个恒定电压或一个范围的可变电压。集成多种波形发生器功能,可调节幅、频参数,可满足不同使用要求。电路内部设有完善的保护功能,安全可靠性高。XE-708单通道系列压电陶瓷控制器,采用模拟控制设计思路,输入的模拟信号按比例进行线性放大,模拟输入范围可供选择。插拔式接线端子便于用户集成,应用于高可靠性要求的工业领域中。单通道XE-709单通道单通道是数字式压电陶瓷控制器,数字控制系统具有多种通信接口,实现与上位机实时通信,支持上位机软件二次开发。该设备同时还具有一个模拟信号的位置控制输入端口,便于与其他数字及模拟控制信号集成。上位机通信软件可设置电压与位移等参数。E70是采用直流供电方式的压电控制器,具有多种通信接口,实现与上位机实时通信,支持上位机软件二次开发。设备同时具有三个模拟信号控制输入端口,便于模式应用选择。外部可设置数/模与伺服控制等操作模式,易于操作。
哈尔滨芯明天科技有限公司 2021-08-23
一种表面为圆柱块、四边为三角状的发泡水泥保温板
本实用新型公开了一种表面为圆柱块、四边为三角状的发泡水泥保温板,涉及一种建筑材料。包括保温板主体(1)、圆柱块(2)、上三角块(3)、下三角块(4),所述的保温板主体(1)上表面设有相同尺寸的圆柱块(2),四边都设有上三角块(3)和下三角块(4),上三角块(3)设置在保温板主体(1)的前边、后边、左边和右边的右上方,下三角块(4)设置在保温板主体(1)的前边、后边、左边和右边的左下方。本实用新型结构简单,通过圆柱块(2)插入粘结层(5),形成可靠连接,无需使用锚固件,节约成本,再通过上三角块(3)与
安徽建筑大学 2021-01-12
振动样品磁强计 VSM磁性材料磁学参数测试 磁滞曲线测量系统
        VSM(也叫做M-H磁滞曲线测量系统)测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线,磁滞回线,退磁曲线,升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等),得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度,剩余磁化强度,矫顽力,最大磁能积,居里温度,磁导率(包括初始磁导率)等),可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料,VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数: 测量磁矩范围:10-3emu-300emu(灵敏度:5*10-5emu) 相对精度(30emu):优于±1% 重复性(30emu):优于±1% 稳定性(30emu):预热24小时,24小时连续工作优于±1% 温度范围:从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm,极面直径60mm 磁场:由电磁铁提供,从0-3.5T   主要参数: 抗磁,顺磁,铁磁,亚铁磁,反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR,CMR,交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料,粉末,薄膜,单晶和液体     VSM的组成:   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头,振动架 √ 振动杆,样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备:   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场,磁极间距:35mm(T) 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源,功率为2~30KW 。在稳流状态时,稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能   (1)输出功率:额定功率从1-12kw。   (2)保护:缺相保护、过流保护、短路自动保护。   (二)技术指标   (1)电源为稳流输出:电流值可从0-额定值连续可调。   (2)显示方式: 电流表4位半LCD数字显示。   (3)显示精度:±(1%+2个字)   (4)当负载为电磁铁,且输出电流大于最大电流一半时,电源输出的电流稳定度优于5*10-4   (5)工作时间:连续8小时工作(环境温度20±5℃)   (6)输入电压:单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率:50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程:0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT,相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5,输出功率大于50W。   联想电脑 打印机:hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率:0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制,分辨率:0.1K  
厦门盈德兴磁电科技有限公司 2026-04-07
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
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