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锡酸锑纳米线复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上，通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合，最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后，采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学
2021-01-12
有机非线性光学纳米线的自组装
在基板支持快速蒸发结晶法的基础上，提出了一种湿法退火自组装技术，对 DAST 等材料进行自组装，成功制备出毫米 量级的纳米线，并且表面粗糙度达到但原子级别，在纳米线激光器的制备、集成 光路的电光调制等方面极具应用前景。
上海理工大学
2021-01-12
以三苯胺酞菁为空穴传输层的高性能钙钛矿太阳能电池
传统的空穴传输材料——以Spiro-OMeTAD为代表的芳胺类化合物由于其结构多样性、易于调节的前线轨道能级、较好的成膜能力和高的热稳定性与形态稳定性，在多个技术领域也受到了极大的关注。 氮原子的易氧化和有效传输正电荷的能力，使芳胺基团成为强电子给体。然而，由于芳胺的非平面构象及核心氮与芳基之间的扭曲，芳胺化合物大部分是无定形的。这降低了芳胺化合物的电荷载流子迁移率，并导致芳胺化合物需
南方科技大学
2021-04-14
超薄晶硅纳米线太阳能电池
常州大学
2021-04-14
一种碳化硅纳米线的制备方法
本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备 方法如下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高 温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－3 小时后自然 降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线，长度 比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2 个量级，且制备方法简单，原料便宜易得， 设备要求简化，成本低。
同济大学
2021-04-11
一种铝酸钕纳米线多功能复合涂料
（专利号：ZL 201510056460.0） 简介：本发明公开了一种铝酸钕纳米线多功能复合涂料，属于化工技术领域。该多功能复合涂料的质量百分比组成如下：铝酸钕纳米线22‑40％、纳米硅酸镁6‑16％、丙烯酸酯共聚乳液15‑30％、丙二醇丁醚3‑8％、羟基硅油乳液6‑10％、水18‑32％、烷基聚氧乙烯醚1‑3％、羧甲基纤维素0.2‑1％、己烯基双硬脂酰胺0.1‑1％、聚醚0.05‑0.2％、乙二醇丁醚0.5‑3％、聚醚改性硅氧烷0.1‑
安徽工业大学
2021-01-12
一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法
本发明公开了一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法。包括如下步骤：将金属盐溶解在乙醇胺的水溶液中制备金属氢氧化物纳米线；将肝素溶液加入到金属氢氧化物纳米线溶液中，制备核壳结构复合纳米线溶液；将聚合物多孔膜固定在过滤容器中，膜面朝上，过滤容器中加入核壳结构复合纳米线溶液，减压过滤；干燥。本发明将荷负电的肝素通过静电作用固定在荷正电的金属氢氧化物纳米线表面，形成以纳米线为核，以肝素为壳的核壳结构复合纳米线，再通过动态制膜法，将复合纳米线沉积在聚合物多孔膜表面，形成具有抗菌性和血液相容性双重功效的有机/无机复合纳米线滤膜。纳米线直径小，负载时形成的孔径小，孔密度高，制备工艺简单、成本低。
浙江大学
2021-04-11
一种利用有机胺还原制备银纳米线的方法
本发明公开了一种利用有机胺还原制备银纳米线的方法，包括如下步骤：(1)将银前驱体溶液、表面活性剂溶液、卤素无机盐溶液以及有机胺溶剂混合，银前驱体溶液、表面活性剂溶液、卤素无机盐溶液中所用的溶剂均为水；(2)将混合溶液置于恒温条件下加热反应；(3)分离得到所述纳米线，置于乙醇中制成分散液。本发明具有以下优点：(1)该制备方法反应条件简单，原料成本低；(2)该制备方法反应时间短，产量高，适合工业生产；(3)该方法制得产物
华中科技大学
2021-04-14
Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种 Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用。所述 Ni 纳米线为平均长度 50,000 至 200,000nm 的超长纳米线；其制备方法为：首先配置 Ni 纳米线液相生长液；然后在外加磁场下制备 Ni 纳米线单质；最后分离纯化 Ni 纳米线。所述 NiO/Ni 自支撑膜包括所述 Ni 纳米线及其煅烧制得的表面为 NiO 的 Ni 纳米线；其制备方法为：首先将所述 Ni 纳米线分散在表面活性剂溶液中；然后抽滤将 Ni 纳米线转移到微孔滤膜上，制得 Ni 自支撑膜；最后将
华中科技大学
2021-04-14