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一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法, 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串,每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极;圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述: 锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台,它的诸多设计都是专用的。因此,高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如,要求的磁场值,均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等,均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联;位移台还可与磁流体密封搭配,实现水平方向二维移动和样品台360度转动;除此之外,该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户,可以磁场的高稳定性。因此,该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个(可选6个或8个)拥有高精度位移的探针臂,同时配有高精度电子显微镜,便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号,用来测试芯片、晶圆片、封装器件等,广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 应用范围: 磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试,微电子机械系统,超导电性测试,纳米电路的光电属性,量子点和线,高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可选附件: þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线 þ CCD或C-MOS视频成像装置 þ Chuck运动装置 þ 电磁铁系统/超导磁铁系统 þ 1Mpa正压系统升级 þ 超高温升级选件 þ 超高真空升级选件 þ 各类探针夹具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 转接头 þ 静音真空泵 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-22
有机磷、磺酰脲类农药高效分子印迹材料的制备技术及其检测应用
针对我国茶叶、粮谷、蔬菜、水果等具有复杂基质的农产品中有机磷和磺酰脲类农药残留,发展新型预处理方法和材料。应用组合分子印迹技术和溶胶-凝胶分子印迹技术,制备并筛选出高吸附容量、高选择性的分子印迹聚合物材料,包括固相萃取吸附剂和分子印迹整体柱。建立快速、灵敏、准确地从复杂基质茶叶、粮谷、蔬菜、水果中测定有机磷和磺酰脲类农药残留的新方法、新体系。有利于提高我国食品安全检测技术,更好地促进经济发展。
南开大学 2021-04-14
聚酰亚胺液晶取向剂
随着科技的不断发展,笨重的阴极射线管(CRT)显示器越来越不能满足需求。而液晶显示器(LCD)则因具有能耗低、重量轻、超薄、图像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛发展。例如,上海广电集团(上广电)投资10亿美元从日本引进生产线,京东方科技集团股份有限公司(京东方)投资12亿美元从韩国引进生产线。 聚酰亚胺液晶取向剂是液晶显示器的关键性材料之一,是一种高纯度的聚酰亚胺树脂溶液,经热固化以及
四川大学 2021-04-14
聚酰亚胺液晶取向剂
随着科技的不断发展,笨重的阴极射线管(CRT)显示器越来越不能满足需求。而液晶显示器(LCD)则因具有能耗低、重量轻、超薄、图像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛发展。例如,上海****集团投资10亿美元从日本引进生产线,北京*****集团股份有限公司投资12亿美元从韩国引进生产线。 聚酰亚胺液晶取向剂是液晶显示器的
四川大学 2021-04-14
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
基于半导体异质结概念,提出利用晶相共生现象可控合成异质结 光催化材料
基于半导体异质结概念,首次通过工艺简单,成本低廉熔融盐法合成一系列 钽酸钙基半导体异质结复合材料,发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量 可通过改变前驱物比例简单调控,证明该异质结复合物晶相,组分变化与光催化 制氢性能有着密切关系,阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制,极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学 2021-01-12
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