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新型高效可见光响应型半导体材料
能源短缺与环境污染是影响当前社会发展最重要的问题，亟需解决。新型光催化技术由于能够利用太阳光分解水制氢气和降解环境污染物，使其成为解决当前的能源危机和环境污染等问题最有前途的技术之一，备受瞩目。而当前光催化领域最重要的问题就是去设计、寻找高效稳定的可见光响应型半导体材料。在此，我们主要通过改性前驱体和设计新的焙烧策略成功得到了具备多孔结构、低碳含量、纳米片形貌的 g-C3N4 光催化剂，相比原始的 g-C3N4 ，光催化性能提升了 8 倍；通过介孔化设计和负载贵金属光催化剂，成功解决了 Pb3Nb2O8 光催化剂比表面积小、光生电子 - 空穴易复合的缺点，使光催化活性显著提升了 62 倍。通过调查浸渍提拉、磁控溅射、电泳沉积等手段，成果获得了 Bi2MoO6 和 Pb3Nb4O13 光电极材料，充分探索了其光电化学性能，并且通过负载 Co-P 显著提升了其光电转化效率，为分解水制氢与太阳能电池领域提供了一种可选择性的材料；过渡金属离子掺杂与介孔材料有效结合，有效地探索了表面掺杂与体相掺杂 Fe2O3 对其电子结构的影响、光电催化性能的影响。
辽宁大学
2021-04-11
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学
2021-04-11
调谐外腔式半导体激光器
半导体激光器由于体积小、效率高、结构简单、便于调谐等优点，在工业、军事、科研以及家电等领域发挥越来越重大作用，已成为重要的基础器件。 项目研制和开发了半导体激光器系列产品，主要包括: 1、可调谐外腔半导体激光器 激光器二极管(LD)发出的光经准直透镜后平行入射到外腔闪耀光栅上，经光栅分光得到一级衍射光和零级光。一级衍射光反馈回外腔与有源区光场相互作 用，实现压窄线宽、降低噪声目的;零级光经聚焦透镜后作为输出光，调整光栅 的角度可实现波长的调谐。产品覆盖从 762 到 795 纳米(nm)各种波长，输出功 率 50~100 毫瓦(mW)，线宽<500 kHz，可用于工业测量、光通信、光信息处理、 激光光谱学等。2、外腔半导体激光器稳频系统通过调制激光器的外腔、激光管的注入电流等得到激光光谱信号，处理后得 到参考谱线中心频率两侧极性相反的稳频误差控制信号，将激光频率锁定在参考 谱线中心附近。激光稳频在精密干涉测量、光频标、光通信、激光陀螺及其精密光谱研究等 领域中有广泛应用。产品可实现三种激光稳频，将线宽限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)饱和吸收锁——锁峰: 产品精度高且易于操作。利用饱和吸收峰将激光 器精确锁在某一固定频率上。(2)FP 腔锁——锁峰:产品使用非常方便。通过改变 FP 腔的腔长实现一定 范围的波长扫描。(3)PID 电路锁——锁边:产品简单易用，用于对精度要求不高的锁频应用。 3、外腔半导体激光放大器 放大器可对入射激光进行放大，同时保持注入光的偏振、线宽和波长等物理特性不变。产品输入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍数 13dB, 输出功率 500mW~ 1000mW,增益带宽 30nm。
西安交通大学
2021-04-11
一种半导体芯片的外观检测装置
本发明公开了一种半导体芯片的外观检测装置，包括吸取机构、U 形反光板、两个光源、平面反射镜、镜头、相机及调节机构，吸取机构用于吸取待检测芯片至待检测位，U 形反光板安装在吸取机构上，对称设置在芯片侧方，两光源发出的光一部分照射在 U 形反光板上，对芯片底面和其中的一组对边侧面进行背光照明，一部分对芯片的另一组对边侧面进行背光照明，平面反射镜为多个，倾斜对称均匀设置在芯片下方四周，使经平面反射镜反射后的光线垂直入射到镜头前端面，镜头安装在相机上，位于芯片下方，相机安装在调节机构上，调节机构用于调节所述
华中科技大学
2021-01-12
基于半导体制冷的迷你多用空调扇
本实用新型涉及家用电器领域，公开了基于半导体制冷的迷你多用空调扇，其包括保温层(1)、冷端开门(6)和热端开门(14)，冷端开门(6)和保温层(1)围成一个冷藏室(5)，热端开门(14)和保温层(1)围成一个加热室(15)；保温层(1)上设有半导体制冷片(20)，半导体制冷片(20)左端设有冷端肋片(21)；保温层(1)上设有底座(2)，底座(2)铰接有连杆(3)，连杆(3)上设有风扇(4)；半导体制冷片(20)右端设有热端肋片(25)，保温层(1)上设有第一凹槽(23)，第一凹槽(23)内设有活动板(24)。本实用新型具有同时具备制冷和制热功能，提高使用寿命，提升储物空间的效果。
浙江大学
2021-04-13
新型拓扑材料外尔半导体的实验研究
近日，中国科大合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡，成功将外尔物理拓展到半导体体系。该研究成果在线发表在《Proceedings of the Natio
中国科学技术大学
2021-01-12
半导体光刻胶成膜树脂制备技术
1.痛点问题
光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。
2.解决方案
本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。
3.合作需求
本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。
1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。
2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。
清华大学
2022-07-12
半导体集成电路生产工艺监测设备
CSM4A系列多功能C-V测试系统，经国家“七五”、“八五”两届重点科技攻关，已在我校研制成功，并被多个半导体集成电路生产厂家和研究所使用。该项目由陈光遂教授主持完成。原电子工业部鉴定认为：该C-V测试系统具备八项测试功能，数据可靠，实用性强，人机界面良好。总体水平已达到九十年代国际先进水平，并有独创性，可以替代进口设备。主要测试功能有：MOS高频CV，M
西安交通大学
2021-01-12
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司研发第三代半导体材料
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司致力于以碳化硅为主的第三代半导体材料研究项目，围绕碳化硅晶体生长技术及碳化硅衬底加工技术进行研发及产业化。公司优势：国家高新技术企业，拥有省级企业研究院、省级高新技术研发中心、省级企业技术中心、院士工作站等研发平台，并与浙江师范大学、湖南大学、中科院宁波材料所分别建立联合实验室，致力于第三代半导体材料的研发及产业化。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
中国科学院大学
2021-04-10
含芴基及醚键结构的双马来酰亚胺及其制备方法
本发明提供一种含芴基及芳醚键结构的双马来酰亚胺及其制备方法,含芴基及芳醚键结构的双马来酰亚胺具有如下结构式:式中的取代基R1,R2各自独立地选自氢原子,卤素原子,硝基,C1～C20的脂肪族烷基或其衍生物,或者C6～C12的芳香烃烷基或其衍生物。
大连理工大学
2021-04-13