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2019年“双百计划”典型案例：中国地质大学(北京)中煤平朔国家级大学生校外实践教育基地
中煤平朔国家级大学生校外实践教育基地
中国高等教育博览会
2021-12-16
关于公开遴选优秀大学生创新创业项目免费入驻省大学生创新创业孵化基地的通知
为充分发挥省级大学生创新创业孵化基地（众创空间）在提供创业服务、创业培训、落实创业政策、成果转化等方面的示范引领作用，降低大学生创新创业成本，激励更多大学生就业创业，经研究，决定在全省公开遴选优秀大学生创新创业项目，免费入驻省级大学生创新创业孵化基地（众创空间）。
湖南省教育厅
2023-02-23
西安交通大学科研人员与清华大学合作实现固溶体合金中间隙溶质原子占位的直接观察
近期，西安交大刘畅研究员等通过将大量间隙氧原子（12 at%）固溶进TiZrNb系中熵合金，将其屈服强度提升至接近理论强度的4.2 GPa（C. Liu et al.Nat. Commun.13, 1102 (2022)）。
西安交通大学
2023-02-23
专家报告荟萃㊸ | 北京理工大学学工部副部长，心理健康教育与咨询中心主任李旭珊：数字化时代高校学生心理健康工作的机遇与挑战
第三届高校心理健康创新发展论坛是第62届中国高等教育博览会的同期学术活动。期间，李旭珊主任以《数字化时代高校学生心理健康工作的机遇与挑战》为题作了主题报告。她提出，数字化时代给心理健康教育工作带来挑战的同时，也带来了新的机遇。我们要积极应对挑战、把握机遇，共同推动高校心理健康教育事业的发展。
中国高等教育博览会
2025-03-14
高博会系列报道 | 第二届数字时代创新创业教育研讨会在重庆召开
4月8日，第二届数字时代创新创业教育研讨会在重庆召开。中国高等教育学会副秘书长郝清杰，学会创新创业教育分会副理事长：西南交通大学党委副书记杨爱华、中国矿业大学党委副书记王增国、潍坊学院党委书记李东、新未来在线教育董事长黄贵洲，学会创新创业教育分会副秘书长：四川大学双创学院专职副院长吴迪、新未来在线教育执行总裁张韦韦等学会领导以及教育界、产业界专家学者200余人参加论坛。
中国高等教育学会
2023-04-26
关于下达2023年度重庆市自然科学基金面上项目计划的通知
经研究决定，现将2023年度重庆市自然科学基金面上项目计划的通知正式下达你们。请严格按照《重庆市人民政府办公厅印发关于改革完善市级财政科研经费管理若干措施的通知》（渝府办发〔2022〕95号）、《重庆市科技发展专项资金管理办法》（渝财教〔2022〕8号）、《重庆市自然科学基金项目管理办法》（渝科局发〔2021〕89号）及《重庆市财政科研项目经费“包干制+负面清单”管理办法（试行）》（渝科局发〔2022〕142号）相关规定，加强对科研项目和资金管理，项目经费实行单独核算，专款专用。
资配处
2023-07-17
科技创新标志性人物-钱七虎（中国人民解放军陆军工程大学教授、中国工程院院士）
科技创新标志性人物-钱七虎（中国人民解放军陆军工程大学教授、中国工程院院士）
科技部
2021-08-31
西北农林科技大学呼天明教授团队揭示了西藏不同海拔土壤微生物网络调控草地生态系统功能的机制
该研究揭示了共现网络复杂性在维持土壤微生物多样与生态系统多功能性关系方面的重要性，并对不同海拔草地生态系统功能的微生物共现网络调控机制提出了新见解。
西北农林科技大学
2022-10-13
西北农林科技大学作物病虫害监测与治理团队在小麦赤霉病菌多样性及毒素累积方面取得新进展
该研究揭示了我国主要麦区内单个发病麦穗上镰刀菌种群的多样性，并进一步分析发病麦穗上镰刀菌的多样性与毒素积累之间的关系。
西北农林科技大学
2022-10-13
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10