纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。

湖北工业大学 2021-01-12

一种激光重熔扫描碳化物弥散增强铝合金的快速制造方法

本发明公开了一种激光重熔扫描碳化物弥散增强铝合金的快速 制造方法，包括以下步骤：(1)在计算机上建立零件三维模型，然后将 所述零件三维模型转成 STL 格式并导入到激光选区熔化成形设备中； (2)将铝合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨机进行球磨混合均 匀；(3)将球磨后的混合粉末转移到激光选区熔化成形设备里，在惰性 气体保护下，根据三维模型数据对混合粉末进行成形；(4)采用线切割 工艺将成形的零件从所述基板上分离

华中科技大学 2021-04-14

一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法

本发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法，所采取的技术方案 是：将清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空炉中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物质炭粉；将生物质炭粉和 SiO2 凝胶按 C/Si 摩尔比为 1∶1.5～3.0 机械混合均匀，得到预 混料；在纯氮气保护下将所述预混料升温到 1450-1600℃，保温 1～4h。保温时间结束后， 以 5～20℃/min 的降温速率降温到 800℃，然后关掉加热电源，自然冷却。本发明合成的一 维碳化硅纳米晶须为链珠状，晶须长径比大；合成工艺简单，成本低，生产设备简单。 

安徽理工大学 2021-04-13

一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法

本发明具体涉及一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法。技术方案一：以20——30wt%的单质硅和70——80wt%的碱金属无机盐为原料，再外加所述原料0——3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h，自然冷却，洗涤，制得氮化硅粉体。技术方案二：以5——15wt%的含硅源的物质、70——80wt%的碱金属无机盐和5——15wt%的碳黑为原料，再外加所述原料0——3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h，自然冷却，洗涤，得到氮化硅/碳化硅复合粉体。本发明具有生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点；所制备的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体粒度均匀、晶体形貌好和物相纯度高。 （注：本项目发布于2015年）

武汉科技大学 2021-01-12

一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法

本发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法，所采取的技术方案是：将清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空炉中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物质炭粉；将生物质炭粉和 SiO2 凝胶按 C/Si 摩尔比为 1∶1.5～3.0 机械混合均匀，得到预混料；在纯氮气保护下将所述预混料升温到 1450-1600℃，保温 1～4h。保温时间结束后，以 5～20℃/min 的降温速率降温到 800℃，然后关掉加热电源，自然冷却。本发明合成的一维碳化硅纳米晶须为链珠状，晶须长径比大；合成工艺简单，成本低，生产设备简单。

安徽理工大学 2021-04-13

一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法

一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计，包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层（内含微结构）、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压，形成耗尽电场，微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合，提高光生载流子耗尽效率，增强器件响应度和外量子效率。同时，微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层，避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合，提高光生载流子收集的效率，实现紫外全波段探测。

厦门大学 2021-01-12