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垂直结构 GaN 基 LED
可以量产/n在垂直结构LED芯片的工艺流程中，其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次，蓝宝石衬底单芯片和2英寸整片剥离成品率大于95%。目前，垂直结构LED发光效率可以达到121.57m/W@350mA随着技术的不段进步，近几年最受人们关注的是固态通用照明领域的高亮度大功率LED应用，然而这种应用却受到蓝宝石异质衬底所带来的一系列技术问题的限制。除去了蓝宝石衬底的垂直结构LED芯片具有优良的光电热方面的性能，能满足固态通用照明对其性能的要求，采用垂直结构LED方案是固态通用照明技术发展的 必然
中国科学院大学
2021-01-12
水泥基自修复材料
北京工业大学
2021-04-14
布基白塑幕
产品详细介绍 采用高反射系数的塑料制成，属线反射银幕，幕面洁白均匀，光线反射柔和，视觉不易疲劳，价格低廉，适用于普通电化教学、电影放映等
江苏省通州市长江银幕厂
2021-08-23
一种核壳结构银包镍纳米粉体材料的制备方法
简介：本发明公开了一种核壳结构银包镍纳米粉体材料的制备方法，属于核壳结构纳米双金属材料领域。该方法是将不同比例的金属镍粉和银粉压制成块体，作为等离子电弧炉的阳极材料，采用钨金属作为阴极材料，采用氩气和氢气作为工作气体，在一定的电流下，阳极和阴极之间起弧，持续一段时间后进行钝化，即得粒径为45～70nm的具有核壳结构的银包镍纳米粉体。本发明所提供的制备方法，工艺简单，流程短，易于控制，适合大规模工业生产且对环境无污染，绿色环保。
安徽工业大学
2021-04-11
褐铁型红土镍矿高效综合利用清洁生产新工艺
采用硝酸介质在温和浸出条件下实现了红土镍矿中镍、钴、铬、铝、铁等多组分综合利用，从生产源头消减和控制了废弃物的产出和排放，实现了清洁生产和节能减排，碱、酸介质再生循环率>90%。主要创新点为：①发明了褐铁型红土镍矿非常规介质温和提取镍钴新技术，实现镍、钴的选择性浸出，镍、钴 浸出率>90%，铁浸出率<1%；②提出褐铁型红土镍矿碱法活化预处理提取铬、铝新思路，在实现铬、铝高效提取的同时，镍、钴酸浸浸出率进一步提高至 95% 以上，浸出渣含铁富集至 62%以上；③均相高效沉淀除杂技术，使浸出液中的 铝以砂状氢氧化铝的形态沉淀析出，解决了氢氧化铝对镍、钴的吸附共沉淀； ④发明了酸介质再生循环/耦合生产硫酸钙晶须新技术，酸介质再生循环 率>93%，硫酸钙晶须的长径比>10
北京科技大学
2021-04-13
一种新型韧性颗粒强化的铁基非晶基复合涂层
本发明提供一种新型韧性颗粒强化的铁基非晶基复合涂层，以 铁基非晶合金粉末和韧性金属粉末的机械复合粉末为原料，其中铁基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的杂质组成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韧性金属粉末可以采用：不锈钢粉末、镍基金属粉末、钴基金属粉末、 铝基金属粉末或铜基合金粉末；该涂层采用超音速火焰喷涂技术制得。 本发明获得的铁基非晶基复合涂层结构致密，孔隙率低，具有较高的 韧性以及与金属基材良好的结合强度。该复合涂层水力及油气田开发 设施、管道运输、船舶甲板等诸多工业领域有着极大的应用前景
华中科技大学
2021-04-13
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方 法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。 本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板 上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接 触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳 有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性 能优异。
华中科技大学
2021-04-14
微孔淀粉基止血剂
在构建一种在物理性和化学性等多重止血机制的协同作用下发挥优异的止血性能的材料， 它的止血将更为彻底有效，止血范围也将显著扩大。 该项目以具有强吸水性和体内酶促降解性的植物淀粉为原料，从成分设计和结构控制着 手，制备出具有多重功能的淀粉基微孔止血材料。一方面赋予材料多孔结构和高比表面积以快 速吸收血液中的水分，提高创面附近凝血因子的浓度而实现物理性止血；另一方面通过对微 孔淀粉改性和功能化处理，激发与血液有效成分进行反应，启动和加快内源性和外源性凝血途 径，实现化学性止血。该项目拓宽了淀粉在生物医学中的应用；同时该离子负载型淀粉基微孔 止血材料的成功研发，对有效控制动脉、静脉和实质性脏器等的大出血具有重要的临床意义和 实用性。
华东理工大学
2021-04-11
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10
磷酸镁基快速修补材料
本技术开发了先进的磷酸镁基快速修补材料。通过使用分子模拟技术，联合数学模型的建立，能够指导高耐水性快速修补材料的合成。
青岛理工大学
2021-04-22