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二元负载型TiO2/纳米铁/SBA-15催化剂的制备方法
本发明提供一种二元负载型TiO2/纳米铁/SBA-15催化剂的制备方法,该方法步骤:钛酸丁酯水解缓冲液的配制;负载型TiO2/SBA-15催化剂制备;二元负载型TiO2/纳米铁/SBA-15催化剂的制备,即得到黑色二元负载型TiO2/纳米铁/SBA-15催化剂,在无氧条件下密封保存。本发明的效果:在二元负载型TiO2/纳米铁/SBA-15催化剂制备过程中,形成的Si-O-Ti键可有效提高TiO2在SBA-15分子筛孔道内的负载牢固度,且负载过程不会破坏分子筛的结构。同时又不会出现孔道坍塌和收缩的现象,并保持负载型TiO2/SBA-15催化剂大比表面积的介孔结构,比表面可高达300m2/g以上。可在一定程度上减少光生载流子的复合,提高其光催化效率55%-70%以上。
天津城建大学 2021-04-11
铑铁温度计 线绕型低温传感器1.2K-325K温区
北京锦正茂科技有限公司 2022-09-07
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器,包括:第一半导体激光器,用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体;谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光;干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率;反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率,从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
一种海洋混凝土结构用高强耐蚀铁素体/贝氏体双相钢筋及其制备方法
本发明涉及一种海洋混凝土结构用高强耐蚀铁素体/贝氏体双相钢筋及其制备方法,钢筋具有铁素体/贝氏体双相显微组织,其中贝氏体所占比例为50%?60%,钢筋的化学成分重量百分比含量为:C:0.015%~0.020%,Si:0.45%~0.55%,Mn:1.1%~1.5%,Cr:10.5%~11.2%,Ni:1.0%~1.5%,Mo:0.8%~0.95%,V:0.03%~0.06%。本发明通过多元素复合合金化设计,结合钢筋成型中的控轧控冷,获得的钢筋具有高强韧的铁素体/贝氏体双相组织,同时具有优异的耐海洋氯离子侵蚀的高耐蚀性,可在严酷海洋侵蚀环境的混凝土结构中实现长寿命服役。
东南大学 2021-04-11
班克木培养基及组织培养与快速繁殖方法
本发明提供了用于班克木的培养基,以及班克木的组织培养与快速繁殖方法。所述班克木专用培养基为改良wpm培养基,包含下列元素成分:nh4no3,200~400mg/l;ca(no3)24h2o,250~600mg/l;kcl,400~900mg/l;cacl22h2o,90~200mg/l;mgso4,180~400mg/l;所述班克木组织培养与快速繁殖方法,包括外植体的消毒和无菌苗的获得,腋芽诱导和继代培养,生根培养和试管苗移栽。本发明提供的班克木培养基和组织培养方法极大地提高了班克木的繁殖系数和生根率,建立了一套完整的快速繁殖技术体系,为班克木的大面积推广应用提供了技术支持。
北京林业大学 2021-02-01
一种杨树愈伤组织诱导方法及诱导培养基
本发明公开了一种杨树愈伤组织的诱导方法及诱导培养基,属于杨树的组织培养领域。本发明所筛选、优化的杨树愈伤组织诱导培养基为添加0.5-1.5mg/l萘乙酸、0.5-1.5mg/l?6-糠氨基嘌呤、20-40g/l蔗糖和4.5-6.5g/l琼脂的h培养基。本发明以单核靠边期的杨树花药为外植体,将其接种到所筛选的愈伤组织诱导培养基上进行愈伤组织诱导培养,获得生长速度快、器官分化率高的杨树愈伤组织。本发明愈伤组织诱导培养基可以有效提高愈伤组织的诱导率,所获得的愈伤组织质量高,可以在短期内形成大量优良的杨树试管苗,不仅可以快速繁殖杨树,同时也可以应用于杨树植物改良,种质保存等方面。
北京林业大学 2021-02-01
耐高温腈基聚合物的分子构建与先进功能材料
该成果通过分子设计构建了一系列芳腈基聚合物,发明了荧光性、磁性、导电/介电性的芳腈基聚合物与先进功能材料,获得了中国发明专利25项。突破了合成控制、产品纯化、环保处理与规模装备等关键技术,形成了1000吨级聚芳醚腈产业化合成成果及其系列先进复合材料、薄膜、纤维应用技术;获得了500吨级的邻苯二甲腈树脂合成装备及耐高温先进复合材料应用技术。取得的大部分发明成果近三年共产生经济效益超过10亿元,取代了部分相关产品的进口。 左图:芳腈基聚合物,复合材料及加工型材的实物照片 右图:芳腈基聚合物材料的工业化生产装置图
电子科技大学 2021-04-10
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