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关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段，指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷，并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视，是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。 研究中，以SnTe作为一个例子，来研究标度律不成立的体系；以BaTiO3为一个例子，来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律，作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子，来区分此两类系统。在标度律成立的体系，体材与薄膜的相变序参量并不发生变化，这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料，在从体材到薄膜的演化过程中，相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段，新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc，更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。图1. 材料的相变序列(a) 满足标度律的传统铁电材料；(b) 不满足标度律的二维铁电材料；(c) 不满足标度律的一维铁电材料。当且仅当材料的低维相变序列发生改变时，标度律不成立，该材料有可能发现高Tc，即(b)(c)，有待于进一步的实验发现。
北京大学
2021-04-11
湿法刻蚀镍酸镧薄膜和铁电薄膜/镍酸镧复合薄膜的腐蚀液及其制备方法
一种湿法刻蚀镍酸镧薄膜和铁电薄膜/镍酸镧复合薄膜的腐蚀液，由双氧水、硝酸、氢氟酸和纯净水配制而成，纯净水、双氧水、硝酸、氢氟酸的体积比为：纯净水∶双氧水∶硝酸∶氢氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蚀液的制备方法，按上述配方在常温、常压下将计量好的纯净水与双氧水混合均匀，然后加入计量好的硝酸并混合均匀，继后加入计量好的氢氟酸并混合均匀。所述腐蚀液可干净、彻底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO复合薄膜，得到边缘清晰、侧蚀比小的刻蚀图形。
四川大学
2021-04-11
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
四川大学
2021-04-11
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条；微流控芯片基片制作有微沟道 和分布于微沟道两侧的电极凹槽；微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口，进样口、出样 口与微沟道两端连通，银浆注入口与电极凹槽连通；玻璃基片和微流控芯片基片键合，?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单，成本低廉
武汉大学
2021-04-14
多铁BiFeO3薄膜反铁磁序应变调控机制
BiFeO3薄膜反铁磁序的研究是理解磁电耦合效应和实现电场控制磁性的前提，然而观测反铁磁结构实验手段有限，薄膜中多个铁弹畴的存在进一步使其分析更为困难。因此，BiFeO3薄膜反铁磁结构及其应变调控的物理机制一直还存在争议。 研究发现应变可大幅度调控反铁磁磁矩朝向，且在大的拉应变作用下反铁磁磁矩朝向与铁电极化的垂直关系被打破，结合第一性原理揭示应变对反铁磁序的调控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和单离子各向异性间相互竞争导致；该工作打破了之前一般认为的Bi
哈尔滨工业大学
2021-04-14
新型高速低功耗铁电存储器
我国每年将进口200多亿美元的存储器芯片，而大的技术带动力发挥着关键作用,其产业中心的不断转移也深地出响了世界范围内的产业格局，存储器产业工艺技术先进,产品量大，替代性强,美欧日韩等集成电路强国无不是从半导体存储器产业切入并逐渐发展壮大的。建立完全自主的存储器产业可以推动我国整个半导体工业的完善和优化,并我国巨大的产品需求,就可以形成包括市场在内的完整产业体系。相比于其他新型存储器，铁电存储器更轻易实现深亚微米设计,与CMOS工艺的匹配性更出色,在设计上相对FDRAM变动最小，因而产业化成熟度最高,美国Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列产品,正逐步占领全球消费类电子、新能源汽车等领域数百亿美元的市场份额,进军物联网、云计算等新兴领域铁电存储器具有非易失(即掉电后数据不丢失)、超低功耗高速读写、高可靠、长寿命和抗辐照等优点,被称为“终极存储器”。从全球存储器技术发展来看,铁电存储器作为新代存储器，能够在快速高耐久写入、超低功耗以及高可靠性的应用领域全面替代传统的NVRAM。
电子科技大学
2021-04-10
阻变存储器与铁电FinFET
已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐
久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM
的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在
电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取
信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。
中国科学院大学
2021-01-12
GWTF-300高温铁电材料测量系统
产品详细介绍GWTF-300高温铁电材料测量系统 关键词:电滞回线，高温，电致应变，蝴蝶曲线GWTF-300高温铁电材料测量系统是一套建立在高温高压下的铁电测量系统，旨在针对一些特殊的要求材料需要在高温下测量而研发的一套铁电测量系统。该系统不仅仅在温度上将实现了高温测试，而且在电压和频率上进行了提高，对我们的铁电材料研究和测试带来更加重要的帮助，该系统可以测量铁电材料的电滞回线，饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流、疲劳、保持、I-V和开关特性等性能的测试，是科研机构和高等院校进行研究的重要辅助工具。二、产品主要用途：1、应用高温下薄膜、厚膜的铁电材料性能测试和研究2、应用高温下块状陶瓷、铁电器件及存储器等铁电材料领域的研究。三、主要技术指标参数： 1.输出信号电压：：0-4000/5000/6000/10000多种可定制2.输出信号频率：0.2到100Hz（陶瓷、单晶），1到1kHz(薄膜）3.电容范围：电流0到±6mA（陶瓷、单晶），±50mA(薄膜）连续可调,精度: ≤1%。4.电流范围: 1nA～10A ,精度: ≤1%。5、温度测量范围:0-200℃6. 匹配高温电致应变测试模块、夹具及自动采集软件。7.测试速度：测量时间《5秒/样品•温度点8. 样品规格：块体材料尺寸：直径2-100mm，厚度0.1-10mm，薄膜：直径：1-60mm9. 数据采集分析软件： 能画出铁电薄膜的电滞回线，定量得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流等参数;可以进行铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试，电阻测量，漏电流测量。 10、控制方式：计算机实时控制、实时显示、实时数据计算、分析与存储11、软件采集：自动采集软件，分析可以兼容其他相关主流软件。
北京圆通科技地学仪器研究所
2021-08-23
实现了一例性能优越的高温多轴铁电体进而获得了可实用的铁电薄膜
利用新的铁电相变机理实现了一例性能优越的高温多轴铁电体进而获得了可实用的铁电薄膜，而且展示了如何利用较弱的配位键在分子晶体中实现传统无机材料难以实现的涉及“配位键断裂与重组”的结构相变，为开发新型分子材料打开了新的大门通过巧妙的分子设计与晶体工程成功合成了一例分子钙钛矿型铁电体[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6]，它可以表现出传统无机钙钛矿化合物难以实现的涉及配位键断裂与重组的铁电相变。这种剧烈的结构相变使该化合物具有十二重铁电极轴（多于钛酸钡），居里温度为402K（高于钛酸钡）。他们进一步发现该化合物可通过简单溶液旋涂方法制备成具有良好性能的铁电薄膜，其极化反转的频率高达5kHz，微观铁电畴可在偏置电压下进行可逆极化反转，有望代替无机铁电体用于制作下一代柔性铁电元器件。
中山大学
2021-04-13
薄膜电致电光器件的大平面制备方法
薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示，作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示，及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快，使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低，可批量工业
西安交通大学
2021-01-12