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龙岩市新罗区智电电子厂
本厂是厦门市智电科技有限公司（原龙岩智电科技开发联营公司）的生产厂和服务中心，系福建省十佳专利企业、全国科技进步先进单位，全国质量信誉标识重点贯标单位。公司拥有一支从高级工程师到熟练工人的完整的技术队伍，专门从事电脑程控设备和电子显示设备的研发与生产。公司已先后开发出十多项领先潮流的专利产品，主要产品有 世界时间地图屏 、 世界钟 、 语音导游屏 等旅游设备， 智能广播仪、 抢答器 等校用设备 和 空调控制仪、水位控制仪等民用产品。产品曾多次获得金奖、曾被中国国家科委和国家技术监督局评为“国家级新产品”，被经贸部评为“质量信得过产品”，被中国国际贸易促进委员会评为“向欧盟推荐产品”，被法国科技质量监督评价委员会评为“高质量科技产品”，天安门广场升降国旗采用本公司仪器，曾被评为“福建省驰名产品”、“香港国际新技术新产品博览会金奖”被推选为“中国质量服务信誉AAA级企业。“世界钟” 专利获“香港国际新技术、新产品博览会金奖”和海峡两岸职工创新成果奖 银奖 。2004年公司通过了ISO9001-2000质量体系认证。我们的信誉说明我们是可以信赖的。我们不会辜负你们的希望。 让我们携手共创辉煌！
龙岩市新罗区智电电子厂
2021-01-15
WSSX411径向双金属电接点温度计
产品详细介绍产品简介：WSSX型电接点双金属温度计1.技术参数(1)电接点型式;上下限接点、单上限接点、双上限接点.(2)精确度等级 上下限电接点、单上限电接点: 1.5级,其基本误差为量程的±1.5%. 双上限电接点: 第一上限为1.5级,第二上限为4级,接点的设定误差为示值基本误差的1.5倍(3)接点额定功率10VA 接点最高工作电压220Va.c 接点最大工作电流1A(无感负载)工作电压推荐36V以下,但不宜小于12V,以保证触点动作可靠.(4)标度盘公称直径:100mm;60mm(5) 时间常数,公称压力,护套材料同WSS型温度计.2.型号命名 3.型号规格注：1.带*的测量范围，当插入长度为75mm时另行商议2.保护管材料为1Cr18Ni9Ti, 要求其他材料和直径须注明。3.法兰连接型须提供法兰标准及规格（公称通径，公称压力，密封面型式等）。4.如需其他安装方式请另行洽商。5.当保护管直径为φ8时，插入长度范围为75-500mm; 当保护管直径为φ10时，插入长度范围为75-1000mm;当保护管直径为φ12时，插入长度范围为1250-2000mm; 注：带*的测量范围无插入长度为75mm。 4.电路接线图 5.外形及安装尺寸
天津宏大仪表厂
2021-08-23
一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法
本发明公开了一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法，以三氧化二铁纳米颗粒为核心，通过控制正硅酸乙酯的量来控制包覆的二氧化硅的厚度，再通过热分解的方法在二氧化硅外面包覆一层碳，通过去除中间层的二氧化硅得到了三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构。本发明通过简单的包覆过程合成了三氧化二铁/碳的蛋黄-蛋壳复合纳米结构，降低了成本，可大批量生产。另外，这种中空的三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳复合纳米结构有利于提高锂离子电池负极材料的性能。
浙江大学
2021-04-11
铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂的制备方法、产品及应用
本发明公开了一种铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂的制备方法，包括：(1)将铝盐加入到甲酸/甲酸铵的缓冲溶液中，铝盐完全溶解后，加入介孔SBA‑15，吸附完成后，烘干，焙烧得到铝负载的SBA‑15样品；(2)将铝负载的SBA‑15样品置于含有铁离子和铜离子溶液中，浸渍完成后，烘干，可选择的进行焙烧，得到铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂。本发明还公开上述制备方法制备得到的催化剂和该催化剂的应用方法。本发明通过Al对介孔材料SBA‑15进行修饰，获得良好Al2O3纳米层，继续负载双金属组分Fe和Cu之后，活性组分继续保持高度分散的纳米层，在中性条件下，催化剂有着良好的降解去除，显示出催化剂极高的催化活性。
浙江大学
2021-04-13
“铁磁体/拓扑绝缘体异质结构界面存在磁性斯格明子的证据
磁性斯格明子是由拓扑保护的纳米涡旋磁结构，其微观的形成机制与非共线性作用（Dzyaloshinskii—Moriya Interaction）有关。该结构在物理上可以被看成一种受拓扑保护的磁准粒子，拥有很长的寿命，可被电流、热、光等条件所驱动。值得一提的是，其存在和消失的这两种状态可以被定义为磁存储中的“1”和“0”状态，使它成为一种颇具潜力的存储信息载体，在未来的自旋电子学和存储领域具有巨大的应用潜力。
南方科技大学
2021-04-14
一种提高Y2NiMnO6陶瓷多铁性能
青岛大学
2021-04-13
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
压电薄膜基声表面波煤矿瓦斯传感器关键技术
声表面波瓦斯传感器具有体积小、灵敏度高、工作稳定、生产成本低、易于集成化和无线化等独特优点，能够有效解决热催化式瓦斯传感器的零点漂移、定期维护难和维护费用高等问题，并且能弥补光学瓦斯传感器的占用空间大、传感占距长和传感分析复杂等不足，能有效提高煤矿瓦斯检测和预警技术，保证煤矿安全。成果获 2012 西安市科学技术奖三等奖；获批国家实用新型专利 1 项。
西安科技大学
2021-04-13