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镁合金塑性成形机理及技术研究
研究内容： 该项目研究了 ME20M 镁合金板料热拉深成形；提出了适 合镁合金板料热成形的含非常应变软化因子的高温流变应力数学模型， 并 通 过 用 户 子 程 序 二 次 开 发 VUMAT 将 其 加 入 到 数 值 模 拟 软 件 ABAQUSA/explicit 中去；通过金相组织实验，在各种成形条件下热拉深 筒形件断面组织结构， 得到不同成形工艺参数对镁合金组织性能的影响结 果。
南昌大学
2021-04-14
时速250公里高速列车铝合金推杆
本成果为高速列车关键传动零部件，完成样件研制和服役性能评价，达到进口样件性能参数，掌握全套设计、加工、制造、检测技术规范。
西南交通大学
2016-06-28
镁合金磷酸盐表面改性处理方法
本发明是一种镁合金磷酸盐表面改性处理方法，从而达到保护、美化 镁合金产品的目的。它包括脱脂、酸洗活化、碱洗、化学改性以及封闭工 序，其中还有水洗和烘干工序，所采用的改性溶液包括磷酸、氢氧化钡、 氟化钠、磷酸锌等。 本发明的优点 ：1、此工艺是以磷酸盐为主体的处理溶液，不使用铬 酸或氰化物，无污染； 2、整套工艺的溶液可以在追加损耗的情况下重复 使用，这就大大地节省资源、降低了生产成本，与阳极氧化工艺相比
南昌大学
2021-04-14
复合微合金化的高锰铝青铜
项目简介 一种复合微合金化的高锰铝青铜及制备方法，其特征在于它包括：锶（Sr） （0.012∼0.047%），钛（Ti）（0.028∼0.073%），硼（B）（0.006∼0.015%）和余量为高锰铝 青铜。它的制备工艺流程为：将高锰铝青铜熔化后，依次加入 Al-Sr 中间合金和 AlTiB 中间合金；待全部熔化后，加入淸渣剂，接着通入高纯氮气精炼；最后倒入浇包，静置 后除渣并浇铸成锭即得本发明的锶、钛和硼复合微合金化的高锰铝青铜。 产品性能、指标 本发明具
江苏大学
2021-04-14
催化合成乙烯基三氯硅烷以制备 乙烯基三乙（甲）氧基硅烷
技术原理和用途 ：利用乙炔和三氯氢硅进行催化加成，合成乙烯基三 氯硅烷。该化合物既是一种硅烷偶联剂，又是一种重要的有机硅单体，以 它为原料，可制得乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。这类硅 烷偶联剂，可用于玻璃纤维表面处理剂、密封剂、涂料、胶粘剂等，还可 用于聚乙烯、聚丙烯、不饱和聚酯等的改性。 技术特点 ：以 150 基本产品或原料，可生产一系列下游产品，有较大 的机动性，而且重点解决了催化剂的稳定性及选择性
南昌大学
2021-04-14
一种铜@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆及其制备方法
本发明涉及一种Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆，包括铜纳米线，包覆在所述铜纳米线外侧的磁性金属纳米管以及包覆在所述磁性金属纳米管外侧的聚合物纳米管,Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆的外径为100 300nm；所述磁性金属纳米管的内径为60 160nm，磁性金属纳米管的厚度为10 20nm。本发明的Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆具有较好的磁学性能，工艺简单，长度容易控制。通过新的制备技术组装了三层同轴纳米电缆阵列结构，具有较好的磁性能，可望用于高密度垂直磁记录介质领域。可以组装在微电子器件上。
青岛大学
2021-04-13
一种碱式碳酸铜载镓复合氧化物及其制备方法与应用
本发明公开了一种碱式碳酸铜载镓复合氧化物及其制备方法与应用，将含硝酸铜、硝酸镓和尿素的混合溶液进行水热反应，得到碱式碳酸铜载镓复合氧化物。本发明所提供的方法具有制备工艺简单，重复性好，方便批量合成复合氧化物催化剂的优点，且所述催化剂在电还原制备合成气过程中，具有超宽的稳定电位范围，稳定电位范围宽至‑0.6~‑1.8V，且能稳定地调节CO/H<subgt;2</subgt;比。本发明制备出碱式碳酸铜载镓复合氧化物，CO<subgt;2</subgt;电还原制备合成气，合成气效率在90%以上，该催化剂有望在电催化领域获得广泛的应用。
南京工业大学
2021-01-12
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
3D打印陶瓷基复合材料
陶瓷拥有很多有用特性，如高强度、高硬度以及耐腐蚀、耐磨损等优点，缺点是无法轻易制成复杂形状。
3D打印技术能使陶瓷拥有复杂的形状，但陶瓷极高的熔点又限制了这一方法的使用。
目前几项陶瓷的3D打印技术不仅效率低下，且打印出来的产品往往内部缺陷大，无法保证性能，本项目采用选择性激光熔融技术和后续处理工艺可以大幅度提高打印材料的致密性，既能实现材料的复杂结构也保障了材料的各方面的性能。
哈尔滨理工大学
2021-05-04
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10