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一种四自由度倒装键合头
本发明公开了一种四自由度倒装键合头，包括一个基于滚珠花键副的两自由度串联机构、一个两自由度的并联机构和吸嘴。在串联机构中，滚珠花键轴通过转动副与滑块相连，驱动滑块实现倒装键合头 Z 方向的移动；其套筒通过另一转动副固定在机架上，驱动与套筒固连的拨叉实现倒装键合头 Z 方向的转动；并联机构由上、下平台，以及连接两者的一条固定支链和两条运动运动支链组成，驱动两条运动支链中的移动副实现倒装键合头 X、Y 方向的微小转动；并联机构的上平台与滚珠花键轴固定连接，下平台安装拾取/贴放裸芯的吸嘴。本发明实现了倒装
华中科技大学
2021-04-14
一种短波长光辅助硅片直接键合方法
本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为 100～400nm，短波长光照射光强为 5～30mW/cm<sup>2</sup>，活化时间为 0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有
华中科技大学
2021-04-14
一种面向芯片的倒装键合贴装设备
本发明属于芯片贴装设备相关领域，并公开了一种面向芯片的 倒装键合贴装设备，包括晶元移动单元、顶针单元、大转盘单元、小 转盘单元、基板进给单元)、贴装运动单元，以及作为以上各单元安装 基础的支架等，其中晶元移动单元可对晶元盘实现三自由度运动并实 现晶元的供给;大转盘单元将脱离晶元盘的芯片精度转移至吸嘴上， 然后由小转盘单元对芯片逐一拾取;基板进给单元实现贴装基板的进 给运动，贴装运动单元则将拾取完芯片的小转盘运动至基板贴装位置， 最终实现芯片的贴装。通过本发明，各个模块单元之间相互联系，共 同协作，显
华中科技大学
2021-04-14
一种用于高密度芯片的倒装键合平台
本发明公开了一种用于高密度芯片的倒装键合平台，包括基座、芯片剥离和翻转单元、XY 向运动单元、多自由度键合头和贴装台单元，其中芯片剥离和翻转单元用于将晶圆盘上的芯片分别执行剥离和翻转，并将其送至待拾取位置；多自由度键合头以悬臂形式安装在 XY 向运动单元的支撑导轨上，并具有主动调平和对准功能；贴装台单元用于吸附基板并与键合头相配合，由此实现芯片与基板之间的相互定位。此外，为了保证各单元高精度的运动或配合，该倒装键合平台中还配置有多套视觉定位系统。通过本发明，能够达到微米级的对准精度，平行调整精度优于
华中科技大学
2021-04-14
一种苯并咪唑基聚醚铜缓蚀剂及其制备方法
本发明涉及一种苯并咪唑基聚醚铜缓蚀剂及其制备方法，该铜缓蚀剂是以聚醚羧酸酯与甲氧基聚乙二醇邻苯二胺醚在微波辅助下进行关环缩合反应制得，聚醚羧酸酯是由氨基酸对聚乙二醇单甲醚进行封端制得，甲氧基聚乙二醇邻苯二胺醚是由聚乙二醇单甲醚与4?甲氧基邻苯二胺进行亲核取代反应制得，该缓蚀剂的结构通式为：其中：聚合度n为4～50，重复单元m为1或2。该缓蚀剂适用于高盐环境中的铜缓蚀，分子结构中含有较多的醚基、氨基、酯基、苯并咪唑环上氮原子，实现了其在铜表面的有效键合和吸附，显著提高了该铜缓蚀剂的腐蚀防护性能，在45℃3.5wt.％氯化钠溶液中，添加量为80mg/L时，该缓蚀剂对紫铜的缓蚀率可达90％以上。
东南大学
2021-04-11
一种铜基钎料及其制备方法与应用
本发明公开了一种铜基钎料，所述铜基钎料为 0.1mm～0.3mm 的片状结构，其总质量以 100 份计，由 8 份～12 份的锰，7 份～11 份 的镍，2 份～4 份的铬，1 份～3 份的硅以及 70 份～82 份的铜组成。 本发明还公开了该铜基钎料的制备方法及其在真空钎焊中的应用。本 发明在钎料中添加了镍、锰、铬和硅元素，增加了钎料的润湿性、强 度、熔点和耐腐蚀性，从而提高了钎料的连接强度，应用该钎料成功 实现了
华中科技大学
2021-04-14
一种用于芯片倒装的多自由度键合头
本发明公开了一种用于芯片倒装的多自由度键合头，包括安装立板、对准机构和调平机构，其中对准机构包括纵向设置在安装立板上部的 Z 向模组和横向设置在 Z 向模组上的支架，并在 Z 向电机和旋转电机的配合驱动下实现键合头相对于 Z 轴方向的对准运动；调平机构包括固定设置在支架下侧的上平台、带有吸嘴的下平台和设置在上下平台之间的三个支链结构，其中调平中心链的两端分别通过转动副与上下平台相连，分布在中心链两侧的两个调平侧链各自配备有作为调节动力输入的移动副，且其上下端分布通过多个转动副与上下平台相连。通过本发
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于芯片转移的倒装键合控制方法
本发明属于芯片贴装工艺相关领域，并公开了一种适用于芯片 转移的倒装键合控制方法，主要包括：基于大转盘仰视相机和晶元盘 斜视相机的观测和配合，对芯片从晶元盘至大转盘单元的吸附转移执 行角度及位置控制；基于大转盘俯视相机和小转盘侧视相机的观测和 配合，对芯片从大转盘单元至小转盘单元的拾取转移执行角度及位置·108·控制；以及基于小转盘仰视相机和小转盘俯视相机的观测和配合，对 芯片至基板的贴合过程执行相应控制。通过本发明，不仅能够实现芯 片高效倒装键合整个过程中芯片在位置及角度
华中科技大学
2021-04-14
一种偶氮类铜配合物水氧化催化剂
（专利号：ZL 201410545691.3） 简介：本发明公开了一种偶氮类铜配合物水氧化催化剂，属于化学催化剂技术领域。该水氧化催化剂为1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚(PAN)铜(Ⅱ)配合物，其为1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚与Cu2+配位形成的五配位化合物，含一个三氟甲基磺酸根配位，分子量为477.97。本发明合成的1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚(PAN)铜(Ⅱ)配合物水氧化催化剂，其结构稳定、价格低廉。该催化剂在催化水氧化制备氧气的反应中效果良好，且在不同溶剂体系中，均具有良好的催化效果。
安徽工业大学
2021-04-11
一种含铜的耐热镁锡合金及其制备方法
本发明涉及一种含铜的耐热镁锡合金及其制备方法，该耐热合金的组分由镁、锡、铜、锰四种元素或镁、锡、铜、锰和铝五种元素组成；各组分的质量百分比为：锡：6～8％、铜：1.8～2.5％、锰：0.5～1％、铝：0～2.5％，其余为镁。该合金制备方法包括熔炼、均匀化及固溶热处理、时效热处理三个步骤。本发明合金组织由晶界连续分布的高熔点金属间化合物和晶内均匀弥散析出的沉淀相组成，合金成分不含稀土元素和贵金属元素，且熔炼工艺简单。本发明合金晶界硬度可达140HV以上；在200℃下时效峰值时晶内基体硬度可达到78HV，时效700小时硬度仍保持在75HV左右，高温组织稳定，耐蠕变性能好，具备商用潜力。
四川大学
2021-04-11