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阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量，集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控，这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法，也能够移植应用到离子电池，离子传感等研究领域。
中国科学院大学
2021-01-12
阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
阻变存储器与铁电FinFET
已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐
久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM
的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在
电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取
信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。
中国科学院大学
2021-01-12
64Mb 阻变存储器晶圆
已有样品/n64Mb ReRAM 芯片和内嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光国芯等单位共同设计，在实现基于ReRAM 存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等关键技术方面实现了突破和创新。两款芯片均已经在相关验证系统完成了应用演示等相关测试，其中64Mb ReRAM 芯片可成功实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，在功耗、速度和寿命等方面取得了令人满意的效果。
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于忆阻器件的神经元电路
本发明公开了一种基于忆阻器件的神经元电路，本发明中，突 触阵列的忆阻器选用部分易失性双极性电阻转变器件，表达神经元膜 电位的忆阻器选用易失性电阻转变器件，构建神经元电路，并具有突 触基本单元。该神经元电路能够实现生物神经元中的整合放电功能， 表达出局部分级电位，突触具有部分易失性，可以表达活动时序相关 的可塑性，与生物学上神经元与突触在信息存储、传递与处理方面有 极大相似性。本发明可以为硬件模拟大脑神经网络结构提供基
华中科技大学
2021-04-14
东北师范大学在忆阻材料与器件领域取得重要进展
忆阻器具有运行功耗低、读写速度快、集成密度高等优势，在信息存储、逻辑运算、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的一种变革性技术。
东北师范大学
2022-06-08
低阻测量
"专业测量低阻的发明仪器：可测最低阻值0.000001Ω；在实际应用中，还可测0.000001V的交流电压和0.000001A的交流电流。 "
厦门大学
2021-04-10
神经形态忆阻器
传统计算机采用分立的处理器和存储器，所有计算数据都要通过总线进行搬运，造成了存储墙、功耗墙等突出问题。基于忆阻器的神经形态器件能够在物理层面模拟生物突触、神经元信息处理功能，从而实现局域的存算融合，从根本上解决冯诺依曼瓶颈，带来巨大的性能和能效提升。
北京大学
2021-02-01
百变展板
产品详细介绍百变展板1、材质轻，方便携带；2、选材广（透明板、半透明板、铁板、胶板、包胶网板等；3、组合多样化，用于展览、办公室等；4、外置安装。
深圳市谢富勤文教用品有限公司
2021-08-23
风变编程
交互式课堂+在线作业实操+老师跟踪辅导答疑。
风变科技(深圳)有限公司
2021-02-01