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集成测试软件(ITS)开发
可以提供种类繁多的零部件测试开发选项，以帮助客户减少这些风险和成本
扬州大学
2021-04-14
集成电路测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点，用户可以根据需要，自己编写测试程序，完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路测试仪
成果简介： 集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点，用户可以根据需要，自己编写测试程序，完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2017-10-23
传感器标准化接口测试集成平台
已有样品/n传感器应用涉及各种行业， 且在这些应用领域被大量和广泛使用。 当前的传感器行业多数是进行系统集成， 缺乏对传感器核心技术的掌握， 加之缺少通用的国家标准支撑， 使得传感器的设计和制造互不兼容， 接口互不匹配， 导致传感器应用行业需要承担很大的成本用于更换传感器和传感器技术改进， 不利于行业升级换代
中国科学院大学
2021-01-12
NI PXI集成电路实验室验证测试平台
NI PXI集成电路实验室验证测试平台可以灵活的完成各类集成电路器件和芯片的实验室验证工作，NI PXI平台在集成电路实验室验证测试应用中处于领导地位，平台部署在包括Intel、ADI、TI在内的诸多全球顶尖集成电路公司的测试实验室中完整各种实验室测试验证应用。
北京曾益慧创科技有限公司
2022-07-08
脚型三维扫描和足底压力集成测试分析系统
已有样品/n前期与安徽大学电子信息工程学院联合研制了基于激光扫描的三维脚型测量系统， 实现了三维脚型参数的采集、 脚型重构和纹理修饰等功能， 已经用了江苏省体科所的脚型调查研究， 为基于光学方法的非接触式三维脚型测量技术开发奠定了坚实的实践基础。 此外， 团队成功掌握了大面积柔性阵列压力传感器的一整套生产工艺， 并在此基础上开发了大面积的足底压力感应场地系统， 所提供的高精度步态分析系统已被国内几个主要的体育大学作为日常教学训练设
中国科学院大学
2021-01-12
IECUBE-3100集成电路测试实训平台
IECUBE-3100集成电路测试实训平台是一个源于继承广电路行业实际工业应用场景，基于集成电路行业国际领先的NI测试测量技术，针对集成电路测试技能培养而专门开发的实训平台，可以完成典型集成电路的测试实训，包括ADC、DAC、PA、数字逻辑IC以及晶体管等。
北京曾益慧创科技有限公司
2022-07-08
数模混合集成电路、射频集成电路、SoC 系统集成等 技术
项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。
南开大学
2021-04-11
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10