本发明公开了一种基于电控液晶汇聚微透镜的波前测量芯片。包括面阵电控液晶汇聚微透镜和面阵可见光探测器；面阵电控液晶汇·743·聚微透镜包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成，图形化电极层由其上布有 m×n 元阵列分布的方孔或圆孔的

本发明公开了一种液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片，包括多眼套叠成像探测架构，其包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶聚光微透镜，面阵电控液晶聚光微透镜包括 m×m 个单元微透镜，其中 m 均为正整数，面阵可见光探测器被划分为 m×m 个子面阵可见光探测器，每个子面阵可见光探测器包括 m×m 个光敏元，面阵电控液晶聚光微透镜用于接收目标光波，并将该目标光波离散分割到面阵可见光探测器中不同

本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微透镜阵列；电控液晶红外发散平面微透镜阵列包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初·750·始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电

本发明公开了一种用于高密度芯片的倒装键合平台，包括基座、芯片剥离和翻转单元、XY 向运动单元、多自由度键合头和贴装台单元，其中芯片剥离和翻转单元用于将晶圆盘上的芯片分别执行剥离和翻转，并将其送至待拾取位置；多自由度键合头以悬臂形式安装在 XY 向运动单元的支撑导轨上，并具有主动调平和对准功能；贴装台单元用于吸附基板并与键合头相配合，由此实现芯片与基板之间的相互定位。此外，为了保证各单元高精度的运动或配合，该倒装键合平台中还配置有多套视觉定位系统。通过本发明，能够达到微米级的对准精度，平行调整精度优于

本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度

本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测的收光方法，该收光 测试方法包括如下步骤：待测试芯片被移动至积分球收光口的上方； 设置于积分球下方的积分球升降装置向上运动，使所积分球的收光口 对准所述待测试的倒装 LED 芯片的发光侧，并且使设置于积分球收光 口处的板片贴紧装载待测试倒装 LED 芯片的盘片。按照本发明设计的 收光测试组件，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题，具有高的收光精度，尤其与倒装 LED 芯片在线检测装置配合使 用，能够显著提高性能，实现倒装 LED 芯片的

本发明公开了一种双模复合红外电控液晶微透镜阵列芯片，包括：芯片壳体、电控散光液晶微透镜阵列、以及电控聚光液晶微透镜阵列，电控散光液晶微透镜阵列与电控聚光液晶微透镜阵列级联耦合构成双模复合电调架构，电控散光液晶微透镜阵列与电控聚光液晶微透镜阵列均设置在芯片壳体内部，二者彼此紧密贴合并与芯片壳体连接，且二者的光轴重合，电控散光液晶微透镜阵列的光入射面和电控聚光液晶微透镜阵列的光出射面分别通过芯片壳体顶面和底面的开口

主要应用领域：国防以及电力部门 特点： ？ 体积小 ？ 抗电磁干扰 （一）ns级电磁脉冲场测量系统 主要技术指标：能够对上升时间、半宽均为ns量级的电磁脉冲（如核电磁脉冲）进行时域波形测量；线性测量范围从100 V/m到超过100 kV/m，带宽范围从100 kHz到1 GHz。 （二）μs级电磁脉冲场测量系统 主要技术指标：能够对上升时间、半宽均为μs量级的电磁脉冲（如雷电电磁脉冲）进行时域波形测量；线性测量范围从100 kV/m到1000 kV/m。 （三）连续波电场测量系统 主要要技术指标：带宽范围从100 kHz到18 GHz，灵敏度达20 mV/m。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：针对微钻在使用过程中失效的主要形式和原因，纳米粉在烧结成微钻硬质合金的过程中，出现WC晶粒异常长大，带来性能的明显降低这个问题，研究了添加特种晶粒长大抑制剂的作用和烧结过程优化研究。现已能批量生产Ф3.75标准微钻生产用纳米晶硬质合金棒材，该棒材强度高、硬度高、寿命长、加工性能好、实物质量水平已达同类产品（三菱、东芝、SANDVICK）的先进水平。市场前景分析：硬质合金生产厂家生产纳米硬质合金制品，特别是为国内需求量巨大的高密度印制电路板钻孔用微钻的硬质合金棒材的生产。 2005年消耗量超过1000万只的PCB企业有16家，超过500万只的企业近40家。国内PCB行业2005年消耗微钻总量在4亿只以上，采购资金超过40亿元，微钻使用寿命短和钻机换刀频繁已成为制约整个PCB业提升利润空间和产出效率的瓶颈。市场迫切需要钻孔质量好、使用寿命高、价格适中的PCB微钻产品。目前国内PCB微钻生产用硬质合金棒材每年需求量约200万公斤，一半以上需要进口，需求量巨大。与同类成果相比的优势分析：横断面弯曲强度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相组织为A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 国内领先。