本发明公开了一种基于忆阻器的联想记忆电路，包括忆阻器、 第一电阻、第二电阻和运算比较器；第一电阻和忆阻器依次串联在运 算比较器的第一输入端，忆阻器的非串联连接端作为联想记忆电路的 第一输入端；第一电阻和忆阻器的串联连接端作为联想记忆电路的第 二输入端；第二电阻的一端连接至运算比较器的第一输入端，第二电 阻的另一端接地；运算比较器的第二输入端用于连接参考电压，运算 比较器的输出端作为联想记忆电路的输出端；联想记忆电路的

本发明公开了一种基于忆阻器的逻辑非门电路；包括：第六忆 阻器、第七忆阻器、三态门、第三电阻；所述第六忆阻器的输入端作 为所述非门电路的输入端；所述第七忆阻器的输入端连接电源电压； 所述三态门的使能端连接至所述第六忆阻器的输出端，所述三态门的 输入端连接至所述第七忆阻器的输出端，所述三态门的输出端通过所 述第三电阻接地；所述第七忆阻器的输出端作为所述非门电路的输出 端。本发明能实现现有门电路的逻辑处理功能，提高了电子设

1 成果简介语音识别在嵌入式芯片上实现的主要矛盾是算法实现的性能精度与芯片功耗、速度之间的矛盾，一个性能较好的 800 条典型汉语普通话语音识别算法以纯粹软件嵌入方案实现通常需要 200MIPS 以上 ARM（ Advanced Risc Machine） MCU 处理速度，因此我们提出语音识别集成电路 IP 与协处理器来克服以上的问题，通过关键运算的硬件化映射来大幅提高语音识别计算的功耗和处理速度。该设计可作为语音识别集成电路 IP 放入客户的 SoC 芯片中，也可作为协处理器放在片外。 关键性能指标如下： *工艺：苏州 HJTC 0.18um 1P6M 标准 CMOS 工艺 *管芯面积： 1.5 x 2mm *逻辑规模： 3 万等效门（标准二输入与非门，不含 SRAM） *I/O 数： 52 封装: CQFP64 *存储规模：片上集成 1 片单口 SRAM，共 4K×16 比特 *供电电压：核心部分->1.8V， IO 部分->3.3V *正常工作频率： 20MHz（最高工作频率 100MHz） *功耗： 80uW/MHz *速度： 4us/帧（特征维数取 27，时钟频率取 20MHz） 图 1 语音识别集成电路版图图 2 ARM+语音识别协处理的测试系统表 1 与其他语音识别芯片的对比2 应用说明语音识别 IP 或协处理器基于对高斯混合模型计算的优化，适合于各种 HMM 模型的模式识别计算，在语音识别、说话人识别、说话人确认、语音合成等方面均可以广泛应用。 语音识别 IP 或协处理器以加速 ASIC 的模式工作，相同时钟主频下计算性能是 TI C54x系列 16bit DSP 的 5.5 倍以上，对主系统计算性能提升可以达到 4~8 倍。 语音识别 IP 或协处理器对于性能要求型场合和功耗限制型场合都十分适合，芯片支持16bit 并行总线接口，适合于各种 32 位/16 位 MCU 系统，迅速为系统集成高性能语音处理能力。3 应用范围车载导航， GPS 手机，支持大规模识别词表（例如万条以上的地名）支持模糊语音检索；低端手机平台，支持语音拨号、语音控制，支持用户身份确认、声纹密码。4 效益分析语音识别 IP 或协处理器芯片可应用拓展到个人移动信息终端的全市场空间，以 GPS 产品为例，细分的预装 GPS、个人导航设备（ Portable Navigation Device， PND）， GPS 手机三种产品，根据 CCID（ Consulting China Research Center）咨询公司预测 2008 年这三者分别约占到全球市场总量的 15%、 35%和 50%。快速增长的 GPS 市场，对语音识别功能有着非常迫切而又实际的需求， GPS 应用提出的超大规模词表、高混淆度和高环境复杂度这一系列语音识别的技术难题，也只能由语音识别芯片解决。语音识别加快了人机交互与地名等信息的检索，可提高驾驶期间操作 GPS 的行车安全性，同时可以反过来进一步促进 GPS 产品的销售增长。 语音识别技术通过芯片在性能得到大幅提升后，将摆脱传统的人名拨号功能，可用于菜单控制、地名、信息、多媒体内容的检索等等。而语音识别芯片使得低功耗和低成本的要求得以满足，有望成为手机人机交互界面（ Man-Machine Interface， MMI）发展的新技术增长点，移动通信领域的市场潜力特别巨大。

从1996年开始带领本课题组攻克了Cu-Fe-P系合金的合金化，熔炼工艺，轧制工艺与热处理工艺的结合协调和板型控制等关键技术，实现了Cu-Fe-P铜带和异型带的工业化的生产，产品的质量达到了国外先进同类产品的水平，大幅度提升我国引线框架用铜合金的综合技术水平，为企业带来了显著的经济效益，2004年产量就达到9200吨，产值2.2亿元，2005年生产的集成电路引线框架用铜合金已超过10000吨，2006年生产的集成电路引线框架用铜合金已超过12000吨，到目前为止已经累计创造产值12亿元，利税达到1.2亿元。市场占有率达到50%以上，改变了我国该类产品全部依靠进口的局面。先后获得河南省科技进步一等奖一项，河南省科技进步二等奖一项，中国有色工业科技进步二等奖一项。

IECUBE-3100集成电路测试实训平台是一个源于继承广电路行业实际工业应用场景，基于集成电路行业国际领先的NI测试测量技术，针对集成电路测试技能培养而专门开发的实训平台，可以完成典型集成电路的测试实训，包括ADC、DAC、PA、数字逻辑IC以及晶体管等。

本产品是针对各类大中专院校《数字电路》实验课程配套开发的可在网上开展的虚拟实验室，软件由课程实验仿真平台和虚拟实验教学管理系统两部分组成。仿真平台模拟真实实验中用到的器材和设备，提供与真实实验相似的实验环境；虚拟实验教学管理系统提供全方位的虚拟实验教学辅助功能，包括：实验前的预习、实验的开课管理、典型实验库的维护、实验教学安排、实验过程的指导、实验结果的批改、实验成绩统计查询等功能，为实验教学环境提供服务并开展应用。可满足高校和各类培训机构实验教学环节的需要，尤其适用于远程教学。 1、实验台提供如下9大类175种器材模型。 •     信号源库：10种常用信号源、8种独立电压源与4种数字信号源； •     基本元件库：3种常见电阻、3种常见电容与普通电感； •     二极管库：10个常用普通二极管、5个常见发光二极管； •     晶体管库：15种NPN晶体管、13种PNP晶体管； •     模拟集成元件库：三端虚拟放大器、五端虚拟放大器、OP37AJ； •     数字元件库：29个常用基本逻辑门、30个常见74LS系列数字芯片、15个常见74HC系列数字芯片、8个常见HCC4000系列数字芯片、8个常见CD4000系列数字芯片； •     指示元件库：5个常用颜色指示灯、3个常见数码管； •     混合元件库：555定时器、LM555CM； •     虚拟仪器：双通道示波器、四通道示波器、八通道示波器、频谱分析仪、频率计、波特图分析仪、电压探针、差分电压探针、直流电压表、交流电压表、直流电流表、交流电流表、胜利万用表VC9802A、固纬信号发生器AFG-2005、泰克示波器TBS1102。 2、课程提供了20个典型实验案例： 1)    二极管开关特性测试与分析 2)    二极管与门测试与分析 3)    三极管开关特性测试与分析 4)    基本逻辑运算及其电路实现 5)    小规模组合逻辑电路实验1：交通灯状态监视电路 6)    小规模组合逻辑电路实验2：水位显示控制电路 7)    中规模组合逻辑电路实验1：选择器及其应用 8)    中规模组合逻辑电路实验2：加法器及其应用 9)    中规模组合逻辑电路实验3：译码器及其应用 10)    触发器的基本逻辑功能 11)    二进制计数器设计 12)    扭环计数器的设计 13)    异步十进制计数器的设计 14)    555定时器及其应用：多谐振荡器 15)    555定时器及其应用：施密特触发器 16)    555定时器及其应用：单稳态触发器 17)    血型配对指示器电路设计 18)    自动游戏投币控制电路设计 19)    可控计数器电路设计 20)    环形计数器及其自启动电路的设计 备注：除上述实验，用户也可以利用提供的器材模型自主添加典型实验。

电镀作为金属材料的表面改性技术已经取得了很广泛的应用，近年来电镀也开始在非金属导电材料的表面改性领域取得相当规模的工业应用。但高电阻率氧化物材料表面金属镀覆一直以来不能采用电镀工艺，这是因为这类材料的电子电导小，电镀液中被镀金属离子不能从材料表面得到电子，所以不能沉积下来。传统的绝缘氧化物材料表面镀覆金属的方法有化学镀、真空蒸镀、溅射镀、涂覆金属浆料后再烧结等方法，各方法都有各自的优缺点。如含有氨水的化学镀银溶液不稳定，甚至有可能生成有爆炸危险的叠氮化合物。真空蒸镀和溅射镀有设备投资大、维护费用较高等缺点，涂覆金属浆料后再烧结的方法有金属层厚度不均匀等缺点。 我们发明了一种高电阻率金属氧化物材料表面电镀的技术，解决了多种高电阻率金属氧化物材料表面不能电镀的问题。高电阻率金属氧化物材料电镀的基本过程是首先对氧化物材料表面进行原子氢致电导改性处理，提高其表面电子电导，使材料表面出现半导化甚至金属化，然后在氧化物材料表面直接电镀金属层。我们在这个方向上已经进行了近十年的研究，发表了十几篇学术论文，申请了两项发明专利。      本技术适用于由氧化物功能材料制造的电子元器件表面电镀，也适用于氧化物材料颗粒或块体的电镀等，所得金属镀层厚度均匀，与氧化物材料表面具有良好的结合力。

本发明涉及一种提高节目收视率统计的方法，该方法包括：提供并运行片上盒节目统计平台，所述片上盒节目统计平台包括片上盒装置和支撑架构，所述片上盒装置包括上方开口的方型容器、封装面板、SDRAM、互联网通信设备、串并转换设备、智能解密卡和HDMI接口，SDRAM、互联网通信设备、串并转换设备、智能解密卡和HDMI接口都位于方型容器内，封装面板用于封装方型容器的上方开口；所述支撑架构位于封装面板上，包括主连接件和金属支撑结构，第一连接扣件、第二连接扣件和第三连接扣件都被扣接到主连接件上且使得第一长筒架构和第三长筒架构水平连接，以及使得第一长筒架构和第二长筒架构呈90度连接，第三长筒架构和第二长筒架构呈90度连接。

一种高孔隙率多孔陶瓷的制备方法，它涉及多孔陶瓷的制备方法。本发明要解决现 有直接发泡技术制备高孔隙率多孔陶瓷中，浆料发泡和泡沫固化过程相互分离及制备工艺复 杂的问题。本发明高孔隙率多孔陶瓷具有均匀的球状蜂窝孔结构单元，孔壁以多孔窗口相互连通，孔隙率可达 90%以上，制法：一、称取原料，球磨得浆料；二、将浆料置于真空室中 除气；三、测试浆料的过冷点；四、将浆料降温，得过冷浆料；五、将过冷浆料进行减压发 泡与泡沫固化；六、将固化泡沫材料干燥，得陶瓷素坯；七、烧结陶瓷素坯，得高孔隙率多 孔陶瓷。本发明将浆料发泡与泡沫固化过程有机结合，工艺简单，制备的陶瓷孔隙率为 90% 以上。本发明用于制备高孔隙率多孔陶瓷

等效负折射率平板透镜又称 DCT-plate，该技术通过光场重构原理，将发散的光线在空中重新汇聚，从而形成不需要介质承载的实像。根据场景需要，可设置不同的影像呈现角度，结合体感互动装置实现人与实像的直接交互。该技术现处于世界领先地位！