本发明公开了一种基于自适应边缘检测和映射模型的一维码识 别算法。该算法利用一维码四个角点对一维码图片进行投影变换，校 正一维码图像中可能存在的投影或者仿射变形，然后利用校正后的图 像生成两种扫描线，一种是基于图像分块的，一种是基于梯度变化的， 对于获得的扫描线采用一种自适应边缘检测算法来找到一维码条和空 的边缘位置，接着采用一种边缘映射模型将获得的边缘位置映射到正 确的编码位置，根据编码位置来获得条和空的宽度，从而依据条空的 宽度比和编码规则求解一维码信息。按照本发明实现的一维码识别算 法，能实现对

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

“切片AP方法”是一种分析巡天数据的方法。简言之，科学家在获得星系巡天数据后，需要尝试采用特定的宇宙学参数（如暗能量比例、状态方程w等）才能重构出物质3维分布；当所尝试的参数与真实宇宙的参数有偏差时，重构出的结果就会出现异常，具体表现为“随红移变化的径向-角向不对称性”。“切片AP方法”利用这一现象检验宇宙学理论，认为能做到“随红移演化的不对称性最小”的理论参数是最接近真实的。该方法于2016年应用到SDSS巡天时获得了当时最强的暗能量参数限制。       论文还采用了“非参数化”的统计方法来重构暗能量状态方程w。一般地，人们进行物理量的拟合回归时，都要假定它具有某种特定的形式（如线性、多项式、指数、正弦震荡等），这些先验的假定就给拟合回归带来了模型依赖的局限性。“非参数化”方法是一种克服这种局限性的技术，能得到不依赖具体数学函数模型的一般性结果。将切片AP方法应用于非参数化的暗能量重构，能将z<0.7的低红移区间的暗能量状态方程参数限制提高一倍，并在该区间呈现出微弱的动力学暗能量信号

一、主要功能和应用领域 1、主要功能 相位OTDR作为一种新型的分布式光纤振动传感器，能够在长距离范围内对微小振动信号进行分布式、多点、实时检测，因此在周界安防和工程结构安全检测领域具有其他类型的振动传感器所不能比拟的优势。 2、应用领域 其主要可用于监测和保护国境、军事基地、发电厂、核设施及监狱等的分布式光纤传感防入侵系统，以及用于大坝、桥梁、输油/气管道的分布式光纤传感工程结构安全检测系统已经成为目前研究的重点。 二、特色及先进性 1、在系统光路上利用外差检测技术，可以有效提高系统信噪比，进而提高系统的检测灵敏度和动态范围； 2、在信号处理上运用二维矩阵的傅里叶变化的振动信号提取技术，可以快速高效的同时提取出振动信号的位置和频率信息。 3、在系统的运行方面，综合系统性能参数考虑，实现对振动的高灵敏检测、高响应频率及高空间分辨率定位。 三、技术指标 系统的技术指标主要有如下几个方面：动态范围（即最大的检测范围）、空间分辨率、信噪比、频率响应范围以及误报率。 四、能为产业解决的关键问题和实施后可取得的效果 现阶段我国正处于经济建设的高速发展时期，随着各大城市的现代化建设，各类大型公共设施的建设往往处于复杂的周边环境中，在其建设过程中不可避免地面临一系列人为或自然的威胁。因此，一种远距离、高空间分辨率、高信噪比的多点、实时分布式光纤振动传感器，对保障工程的运行和建设安全具有重大的现实意义。 此外，大到各种敏感地点诸如监狱、军事基地以及飞机场等的防入侵安防系统，小到小区、别墅的防盗系统，都需要一种能大面积覆盖入侵探测传感器，而相位OTDR分布式光纤振动传感器可以满足这种功能。

其主要可用于监测和保护国境、军事基地、发电厂、核设施及监狱等的分布式光纤传感防入侵系统，以及用于大坝、桥梁、输油/气管道的分布式光纤传感工程结构安全检测系统已经成为目前研究的重点。

北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。

一、研究背景 热浸镀锌是用于钢铁材料腐蚀防护最主要的方法之一。为了应对现代科技对钢铁耐腐蚀性日益增长的要求，欧美、日韩等一些发达国家先后研发出了一批具有高耐腐蚀性的热浸镀用Zn-Al系合金材料（见表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有优异的耐腐蚀性，如日本新日铁公司开发的SuperDyma合金镀层，耐蚀性大约为普通纯锌镀层的15倍以上，可与部分不锈钢相媲美，但是成本远低于不锈钢产品，具有极大的市场价值。 我国是世界上最大的热镀锌板生产国，而山东省的热镀锌板产能位居全国第一，但绝大部分为普通镀锌板，以及少量的镀铝锌硅板产品。因此，研究和开发高耐腐蚀性Zn-Al-Mg合金镀层材料，对山东省钢铁材料产业的转型升级具有非常重要的经济和社会价值。 二、项目内容 本项目系统研究了Ti, Sb元素对热浸镀Zn-11Al-3Mg合金组织与性能的影响。通过XRD对Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金试样进行了物相分析，通过SEM和EDS观察和分析了合金试样的组织结构，通过洛氏硬度计测量分析了合金试样的硬度性能，通过电化学阻抗分析和电化学极化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素对合金耐腐蚀性能的影响，并在实验室进行了钢板热浸镀实验。 三、项目产业化可行性分析 前已述及，本项目市场前景非常广阔，目前日韩等国生产的热浸镀Zn-Al-Mg板材在国内市场已有销售，售价比国内普通热镀锌板贵一倍以上，产品增值极为显著。本项目技术创新达到了国内领先水平，已经获得国家发明专利授权（图4），技术转化条件趋近成熟，实验室也进行了小批量的热浸镀实验。我们希望与省内具有较强实力的热浸镀板生产厂家进行合作，继续完成相关性能的测试和中试试验，早日实现该项目的产业化生产。 四、项目负责人及团队简介 项目负责人：周国荣，博士，副教授，目前主要从事金属板材涂镀材料的研究，承担山东省重点研发计划1项，完成山东省博士基金1项，同时参与了多项国家和省部级项目的研究，已发表SCI/EI收录的研究论文20余篇，已获国家发明专利授权3项，曾于2011年10月赴韩国国立庆尚大学访学1年； 项目组成员包括教授1人、副教授2人、讲师2人、硕士研究生2人，秉持严谨踏实、团结协作的精神，致力于实践“学以致用、学有所用”的宗旨，期望发挥高校科研能力强之长，增补企业研发力量弱之短，努力实现产学研紧密结合，将实验室的科研能力转化为企业的产品竞争力，为祖国早日成为世界制造强国添砖加瓦！

本发明公开了一种高流变软土强夯置换时填料的运移轨迹探测实验装置，主要由模型试验箱、夯击加载系统、外部观测系统、金属探测系统和位移分析系统五个部分组成。其中，金属探测系统内嵌于模型箱装置两侧挡板中，并通过挡板外壁开口槽与外接位移分析系统相连接，用于在整个实验过程中对颗粒运移轨迹的信号探测。夯击加载系统通过支架固定于模型箱正上部，通过刻度可人工精确定位强夯下夯锤纵横向位置，同时手动调节落距，从而模拟实现自由落锤等复杂动作。本装置制造简单、测量结果准确可靠，通过电磁信号追踪，可以获取在强夯冲击荷载作用下高流变软土填料的运移轨迹，制造简单、测量结果准确可靠。

一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Ｖｒｅｇ对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ＩＣＴＡＴ产生电路、正温度系数电流ＩＰＴＡＴ产生电路和非线性电流ＩＮＬ产生电路，非线性电流ＩＮＬ产生电路用于补偿负温度系数电流ＩＣＴＡＴ产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由电流?电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Ｖｒｅｆ。

本实用新型公开了一种高变形能力装配式框架结构梁柱的连接节点，属于装配式建筑领域。该装置包括预制牛腿柱和预制梁，还包括连接件，连接件呈C型结构，用于自上而下卡设在牛腿外侧，预制梁的一端具有一体成型的连接块，预制牛腿柱的牛腿上开设有用于收纳连接块的连接槽，连接块的底部设置有第一定位齿，牛腿的上端面开设有与第一定位齿相配合的第二定位齿，连接件、牛腿和预制梁通过螺栓紧固连接。本实用新型提供螺栓隐藏在预制件内部，提高使用寿命的同时也避免了预埋式不便于修复更换的问题；通过第一定位齿和第二定位齿便于