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中国科学院颁发2023年度重要系列奖项
近期,中国科学院在2024年度工作会议上颁发了2023年度中国科学院杰出科技成就奖、青年科学家奖,公布了2023年中国科学院年度人物和年度团队,以及科技促进发展奖获奖名单。
中国科学院办公厅 2023-12-26
2023年度国内、国际十大科技新闻发布
中央广播电视总台发布2023年度国内十大科技新闻,2023年度国际十大科技新闻。
中央电视台 2023-12-26
科技部发布2022年度全国科普统计数据
2022年全国共筹集科普工作经费191.00亿元,比2021年增长1.02% 。
科技部科技人才与科学普及司 2024-01-12
一种转动解耦的两自由度调平机构
本发明提供了一种转动解耦的两自由度调平机构,包括定平台、动平台和连接在两平台之间的三个分支;第一分支仅有一个十字万向节与定、动平台相连接;第二分支中转动导轨与滑块之间的移动副为驱动副,滑块直线运动带动曲柄连杆转动,进而驱动动平台绕十字万向节与动平台的转动副的轴线旋转;第三分支中转动导轨与滑块之间的移动副为驱动副,滑块直线运动带动曲柄连杆旋转,进而驱动动平台绕十字万向节与定平台之间转动副轴线的旋转。本发明结构简单,动平台的两个转动运动完全解耦,运动性能良好,控制容易,工作空间较大,加工装配性好,具有良好的实用性。
华中科技大学 2021-04-11
一种基于图论的高光谱图像显著度计算方法
本发明公开了一种基于图论的高光谱图像显著度计算方法,包括以下步骤:1)将输入的高光谱图像以图表示;2)对图进行权值计算,构建权重矩阵,权重矩阵中的元素值反映了中任意一个顶点和其他所有顶点的联系;3)像元的全局显著性计算,像元的全局显著性等于它与图像中所有其它像元间权值的总和:4)像元的局部显著性计算,像元的局部显著性用其邻域背景像素的方差来表示:5)像元的最终显著度计算,将对应像元的全局显著性与局部显著性相乘,得到各像元的最终显著度。本发明在计算高光谱图像显著度时,充分考虑了感兴趣目标的光谱特性和几何尺寸特性,因此,能够有效抑制背景的干扰,提高感兴趣区域的提取效果。
华中科技大学 2021-04-11
一种用于干法分级的360度气流布风 、布料机构
本发明属于布风及布料技术领域,具体涉及一种用于干法分级的 360 度气流布风、布料机构。本机构包括设置在上侧的风筛,风筛的下侧设置有呈 360 度全环向布风的送风装置,所述风筛上均布有便于自送风装置处送来的风吹出的筛孔,且风筛的上表面设置为便于物料自风筛上滑落并分散的倾斜状。本发明中的风筛呈圆锥状,也即本发明采用了环向的圆锥状筛面,这种圆锥状的筛面布料方式比起传统流化床普遍采用的单点布料和线性布料方式,能够显著增大流化床的布料面积,从而有助于实现均匀布料;同时本发明在风筛的下侧设置有呈 360 度全环向布风的送风装置,实现了环向均匀布风。本发明显著提高了生产能力,并提高了分级、干燥、冷却效率。
安徽理工大学 2021-04-13
耐高温防静电台垫 耐300度高温防静电台垫
产品详细介绍深圳市利盛泰静电科技有限公司0755-276705580755-2767064813510890109www.lst-esd.com产品简介:防静电台垫(地垫)主要用导静电材料、静电耗散材料及合成橡胶等通过多种 工艺制作而成。台垫使用时间持久,具有很好的防酸、防碱、防化学熔剂特性,并且耐磨,易清洗;铺设防静电台垫使人体及台面接触的ESDS镊子、工具、器具、仪表等达到均一的电位并释放静电,同时使静电敏感器件(SSD)不受摩擦起电等静电放电现象的干扰,从而达到静电防护的效果。产品一般为二层结构,表面层为静电耗散层,底层为导电层。表面层为约0.3-0.5mm厚的静电耗散层,底层为约1.5-1.7mm厚的导电层。● 面层电阻率:107-109Ω● 底层电阻率:103-105Ω● 磨耗率:<0.02g/cm2● 静电耗散时间:<0.1s 
深圳市利盛电子有限公司 2021-08-23
磁光克尔效应测量系统实验用超高灵敏度磁强计
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 磁光克尔效应测量系统 磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计,是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应(RotMOKE)是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法,可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制,只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点:测量精度高、测量时间短;非接触式测量,是一种无损测量;测量范围为一个点,可以测量同一样品不同部位的磁化情况;可以产生平滑、稳定的受控磁场,并且磁场平滑过零。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 技术参数: 1·光学平台:    刚性隔震,不锈钢贴面,1200*800*800mm,M6螺孔,25mm阵距,150mm台板厚度,带脚轮。台面平整度0.1/1000mm,平台载荷300Kg,固有频率≤2.5Hz,阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量电磁铁: 锦正茂二维矢量电磁铁,每维大磁场0.26T,极面直径30mm,磁场间隙40mm,中心10mm正方体内均匀区1%。 3·电磁铁电源: 锦正茂单相双极性恒流,大10A,小分辨率0.1mA,稳定性50ppm/h,对应小分辨率0.1Gauss。 4·激光器: Newport    632.8nm,2mW,2%稳定度,噪音<1% rms(30Hz~10MHz),通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。 5·起偏/检偏器:格兰-汤普森棱镜,外径25.4mm,通光孔径10mm,消光比<5*10^-5,角度范围14~16°,波长范围350~2300nm。 6·聚焦透镜:K9双凸,设计波长633nm,外径25.4mm,焦距150mm,焦距误差±0.5%,面精度X方向λ/4,Y方向λ/2。 7·四分之一波片:Ø25.4mm,波长632.8nm,投射波前畸变λ/8,相位延迟精度λ/100。 8·光电传感器:15mm²感应面积,0.21A/W响应度,暗电流1nA,对430~900nm波长光敏感,分流电阻200Mohm。 9·电流放大器:1pA/V大增益,1MHz带宽,大输入±5mA,大输出±5V,增益精度为输出的±0.05% 10·高精度电压表:六位半,小分辨率0.1μV,90天准确度达到0.002%,四位半精度下快2000 readings/second 11·手动位移和电动旋转样品杆:   XYZ三维位移,XY行程25mm,Z行程13mm,转动360度,样品座为直径11mm的圆,上有电接头。 12·计算机:联想商用,集成多串口卡。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务,对内承接科研生产任务,对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换,形成了科学管理的现代化经营模式,专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备(液氮 液氦)制冷机系统集成 ,定制 ,高低温真空磁场发生系统,Helmholtz线圈(全套解决方案),电磁铁(全系列支持定制),螺线管,电子枪(高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm),高低温磁场真空探针台,霍尔测试系统,电输运测量解决方案,磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全,性能可靠,至今已有近10余年的历史,是国内(较早)生产探针台,电输运,电磁铁的厂家之一。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!  
北京锦正茂科技有限公司 2022-02-10
李光鹏教授课题组研究揭示ZGA-regulator在体细胞重编程中作用机制
终末分化的体细胞可以通过SCNT或者诱导性多能干细胞(iPS)技术,重编程至全/多能性的状态。与SCNT和iPS技术相比,化学小分子诱导(CiPS)仅使用化学小分子就能使普通体细胞发生重编程,逆转为多潜能干细胞。CiPS技术不仅简单,而且不受试验材料限制及不涉及伦理方面的问题,因此CiPS具有更广泛的科研、临床及育种应用价值。然而,CiPS的诱导耗时长且效率低,如何提高CiPS的诱导效率,是化学诱导细胞重编程领域亟待解决的问题之一。 本研究针对哺乳动物SCNT和CiPS介导的体细胞重编程效率低与克隆动物出生率低等关键科学问题,利用课题组在2018年自主研发的“胚胎ZGA实时监测系统”,结合siRNA-repressor和mRNA-inducer技术,对16种“合子基因组调控因子(ZGA-regulator)”进行筛选。结果发现,Dux、Dppa2和Dppa4在体细胞重编程的早期阶段发挥关键作用。如用CRISPR-Cas9敲除Dux,克隆胚胎将完全被阻断在2-细胞时期。只有在瞬间过表达Dux(tOE-Dux),使其符合内源Dux时空特性时,才能提高核移植重编程效率,我们将这种方法称为D-SCNT。此外,D-SCNT结合干扰DNA甲基化酶(si-Dnmts)能够进一步提高克隆动物的出生率。研究还发现,特异性过表达Dux可以显著提高CiPS的细胞重编程效率和提高干细胞的多能性,并对相关机制做了阐释。 该研究首次揭示了ZGA调控因子Dux在体细胞重编程中的作用机制,时空特异性过表达Dux可大幅度提高克隆效率和化学小分子诱导多能干细胞的建系效率,为干细胞的再生医学与生物工程应用提供了新的途径。
内蒙古大学 2021-02-01
功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授课题组在Nature Electronics上发表论文
随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入,忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料,将有助于扩展摩尔定律,并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算,具有高热稳定性,阈值型和双极型阻变共存,增强、抑制和弛豫的高度可控性,以及出色的机械稳定性和透明度等优点。 近日,功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼(h-BN)可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料,构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%,且表现出超低的周期间差异性(低至1.53%)和出色的器件间差异性(低至5.74%)。图像分类器的仿真结果表明,所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。
苏州大学 2021-02-01
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