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人才需求:油气领域、高温高压橡胶材料领域。
油气领域、高温高压橡胶材料领域。
东营市瑞丰石油技术发展有限责任公司
2021-09-07
真空磁场高温退火设备实验电炉反馈调节加热系统
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-12
可任意寻址操纵的超导量子计算机芯片设计及可行性论证
本项目提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。
一、项目分类
重大科学前沿创新
二、成果简介
提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。技术上已经实现了全国产设备工艺线上，芯片电路单元核心器件-约瑟夫森结和共面波导超导谐振器的自行设计制造，在极低温环境下完成了单元器件性能的标定和检验。
西南交通大学
2022-09-13
电磁铁电源 大学磁场实验室超导双极性恒流磁铁励磁电源
北京锦正茂科技有限公司
2022-09-26
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
深圳博升光电科技半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业，致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷，工程生产团队来自台湾，市场运营团队来自美国及中国，在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
清华大学
2021-04-10
节能型智能化半导体照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”，项目将LED照明与光通信技术等结合起来，形成新的技术模式，开发了集照明与光通信为一体的LED系统，设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元，LED室内调光调色照明控制器，基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等，实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品，具有很高的技术含量和高附加值，具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点，在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出，获得显著的社会效益，对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术，在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作，并取得突出的成绩，申请了相关的国家级自然科学基金项目，并已获批。
天津职业技术师范大学
2021-04-10
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14