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一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法
本发明公开了一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法，包括如下步骤:(1)确 定温控防裂目标;(2)计算允许最高温度;(3)拟定温控方案，计算混凝土内部最高温度，在计算最高 温度≤允许最高温度的前提下，设计温控防裂方案。本发明方法的计算公式简单，能合理反映围岩性能、 衬砌结构尺寸、混凝土强度、洞内空气温度、通水冷却及其水温、浇筑温度等的影响，可以迅速计算出 门洞形断面结构衬砌混凝土施工
武汉大学
2021-04-14
城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统UMTOCADS
本系统已在中铁二院、中铁四院工程集团有限责任公司交通规划研究院投入运用。城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统是集数据维护、客流分析、车辆选型和列车编组方案比选、交路设计、行车计划编制、车站配线设计、能力计算等多功能于一体的城市轨道交通规划和运营组织管理工作辅助软件。可用于城市轨道交通规划和运营管理工作，适用于城市轨道交通运营管理和设计单位。
西南交通大学
2016-06-27
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
西安交通大学能源与动力工程学院金属增材制造设备竞争性磋商
西安交通大学能源与动力工程学院金属增材制造设备竞争性磋商
西安交通大学
2022-06-01
南京理工大学智能制造学院一体化产品试验台采购招标公告
一体化产品试验台采购招标项目的潜在投标人应在线上获取招标文件，并于2022年06月29日09点30分（北京时间）前递交投标文件。
南京理工大学
2022-06-09
先进制造与机电一体化技术 车用发动机全可变液压气门系统
全可变气门机构（Fully Variable Valve System, 简称 FVVS）可实现气门最 大升程、气门开启持续角和配气相位三者的连续可变，对发动机的节能减排具 有重要意义。FVVS 能够采用进气门早关（EIVC）的方式控制进入气缸内的工 质数量，从而取消节气门，这种无节气门汽油机将大幅度地降低泵气损失，使 中小负荷时的燃油耗降低 10-15%。此外，全可变气门机构与增压系统匹配可实 现米勒循环（Miller cycle），大幅度改善发动机热效率；全可变气门技术可以 拓展 HCCI 运行范围，并通过发动机内部 EGR 减少有害气体的排放；因此 FVVS 技术已成为内燃机新技术的重要发展方向之一。 目前，典型的全可变液压气门机构是舍弗勒的 MultiAir 系统。该系统的工 作原理如下：由凸轮推动液压活塞，液压活塞通过液压腔与驱动活塞相连，而 液压腔则由一个开关式电磁阀控制。通过对电磁阀开闭时刻的控制，即可实现 各种不同的气门运动规律，实现全可变气门机构的功能。舍弗勒 MultiAir 系统 被美国《汽车新闻》评为“2012 年度汽车供应商杰出贡献奖”（2012 Automotive News PACE）。 山东大学车辆系多年来一直从事全可变液压气门机构的研究工作，研发了 一种配气凸轮驱动的全可变液压气门机构，简称 SDFVVS 系统。该机构通过设 置在配气凸轮与进气门之间的液压气门驱动机构驱使进气门开启，用泄油控制 机构释放液压系统中的油压使进气门关闭，并采用落座缓冲机构控制气门落座 速度。SDFVVS 系统的工作原理与舍弗勒的 MultiAir 技术基本相同，都属于电 控全可变液压气门机构。但其核心技术却有本质的区别，MultiAir 技术采用高 频电磁阀（200Hz 以上）作为液压系统的油控开关；而山大研制的 SDFVVS 系 统采用了泄油控制机构作为液压系统的油控开关。SDFVVS 系统已在北汽福田 BJ486 汽油机上已成功实现了实现气门最大升程、气门开启持续角和配气相位 三者的连续可变。
山东大学
2021-04-13
关于第十届全国大学生光电设计竞赛有关事项的通知
第十届全国大学生光电设计竞赛
第十届竞赛组委会
2022-03-24
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10