高光效黄光LED材料与芯片制造技术
中心通过“装备与工艺的协同创新”,创新发展了具有自主产权的大科学装置—MOCVD高端装备,并在硅衬底上生长第三代半导体InGaN黄光LED材料,取得了历史性突破,将黄光LED的光效由国际上报道的不足10%,提升到了27.9%,结束了国际市场上长期缺乏高光效黄光LED的局面。国际同行、诺贝尔奖获得者中村修二教授高度称赞这项成果:“硅基黄光LED的技术水平国际领先,这是属于中国人首次发明的照明技术,它有非常大的价值。”陈良惠院士领衔的12位业内专家,对
南昌大学
2021-04-14