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带考核功能的网络型多功能综合布线实训装置
产品详细介绍 【发明专利】 一种双绞线端接测试实训装置,专利号:200910089129.3 一种双绞线端接故障演示装置,专利号:200920110601.2; 一种双绞线端接测试实训装置,专利号:200920110300.X; 一种综合布线实训装置,专利号:200920110299.0; 一种打线端子快换装置,专利号:201020188141.8 【外观设计专利】 多功能综合布线实训装置,专利号:201030165270.0   【功能简介】     多功能综合布线实训装置(实训仪)是用来进行综合布线工程实训类教学及学习的仪器,具备综合布线工程中基本技能实训和部分工程实训功能,同时能够检验综合布线系统工程中线缆端接与打线的连接情况,并以彩色图形的方式形象的展示双绞线线缆中常见的各种接线故障。   【仪器特点】 1.由双绞线打线实训、双绞线跳线制作实训、双绞线端接测试实训和双绞线端接故障演示实训等装置组成,物理上与实训室中心设备间(CD)用5E类双绞线相连。 2.能满足2-6人同时进行双绞线端接实训,双面操作; 3.可进行双绞线端接测试及故障演示实训,测试及演示的双绞线端接常见的故障现象包括开路、短路、交叉线对、反向线对和串对等。测试结果可以回放显示。 4.打线训练模组采用斜口专利技术、模块化设计,更换便,支持学生无限次重复压接线实训,无使用寿命限制。 5.实训操作机架可维护性强,各个训练功能和测试功能模组全部采用结构化设计,当其中一部分因磨损需要更换时可以采用最小化的方式,只需对单一模组进行更换,节约维护成本和教学成本。 【规格参数】 长0.6米,宽0.53米,高1.8米,开放式机架。配36U双面开放式机架1个,双绞线端接测试及故障演示装置GCT-MTP 1台,实训模组2套,24口网络配线架2个,理线环2个,双口地弹信息插座1个,地弹电源插座1个,零件盒1个。可供2-4名学生同时操作(双面操作,互不干涉)。    
北京华育迪赛信息系统有限公司 2021-08-23
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
浦江创新论坛寻找“青年的声音”,邀青年科学家和创业者发表“3V”
浦江创新论坛致力于蓄水青年人才、发现青年先锋,为青年人提供更多展示机会,搭建快速成长平台。
上海市科学技术委员会 2022-04-01
一种3-苯磺酰类香豆素类化合物的合成方法
本发明提出一种3‑苯磺酰类香豆素类化合物的合成方法,属于有机合成领域,能够直接利用香豆素类化合物与苯亚磺酸钠类化合物为原料合成3‑苯磺酰类香豆素类化合物。该技术方案包括向反应瓶中分别加入香豆素类化合物和苯亚磺酸钠类化合物,在碘和二甲基亚砜作用下,于55℃‑70℃温度下反应8‑10小时;待反应结束后,进行色谱分离,得到3‑苯磺酰类香豆素类化合物。本发明能够应用于3‑苯磺酰类香豆素类化合物的合成中,该
青岛农业大学 2021-01-12
一种 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料、制备方法及其应用
一种 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料、制备方法及其应用。具体是将 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到,该混合可以是固相混合,也可以是液相 混合,本发明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 复合材料能极大的增加了提高材 料的稳定性,将复合电极作为超级电容器工作电极材料进行测试,在 大电流密度条件下仍能具有较高的比电容量、较好的倍率性能和循环 稳定性。
华中科技大学 2021-01-12
一种钾掺杂介孔g-C3N4光催化材料的制备方法及其应用
简介:本发明公开了一种钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料在降解有机染料废水中的应用,属于光催化材料技术领域。该光催化材料的制备包括如下步骤:将三聚氰胺和KI充分研磨后平铺于坩埚底部,将SBA‑15均匀的分散在三聚氰胺和KI混合物的上面,然后将坩埚加盖后置于马弗炉内进行煅烧,产物经处理后即得所述钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料。该光催化材料比表面积大使得反应活性位点增加,钾掺杂后可有效抑制光生电子和空穴的复合,表现出更优异的光催化性能。本发明钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料可降解有机染料废水,在60min能降解80%以上的目标降解物,显示了优异的光催化活性。
安徽工业大学 2021-04-13
一种手性的1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇的合成方法
本发明公开了一种1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇的不对称合成方法,包括以下步骤:(A)3,5-二氯吡啶(I)在胺基锂的作用下与乙醛反应生成(±)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇(II);(B)(±)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇(II)在氧化剂的作用下生成1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙酮(III);(C)1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙酮在手性配体存在下与硼烷试剂反应,制得单一光学异构体的1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇(IV)。该法较传统手性柱分离(±)-1-(3,5-二氯吡啶-4-基)-乙醇相比,优点突出:(1)反应简单,易于操作,总收率高,光学纯度大于98%;(2)工业制备周期明显缩短,设备要求低;(3)制备成本低,是适合工业生产的方法。
四川大学 2017-12-28
一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置
本发明提供一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置,包括:根据输出功率大于最大输出功率,获知根据频率增量增加工作频率,获得当前工作频率;在当前工作频率下,根据功率增量逐步从最小输出功率增加输出功率直至大于最大输出功率,每次增加输出功率前,读取与当前工作频率一致的目标标签。本发明通过动态调整工作频率与输出功率,遍历读取处于不同工作频率、位于不同距离的所有超高频RFID电子标签,大大提升了超高频RFID读写装置的应用范围。
中国农业大学 2021-04-11
一种植物组织培养育苗的炼苗装置
本实用新型公开了一种可移动的植物组织培养育苗的炼苗装置,该炼苗装置包括炼苗框架、由若干层隔板将炼苗框架分割成若干放置组培苗的炼苗室和安装在炼苗框架外侧的炼苗窗组成。本实用新型的可移动的组培苗炼苗装置运行稳定,具有防雨、调整光强度、试管苗受光均匀、随意移动等功能,不受炼苗场地的影响,本炼苗装置可以随时调整试管苗受光面,摆放试管苗时可以在瓶与瓶之间不留空隙,因而提高了炼苗空间的利用率,缩短了炼苗时间,提高了炼苗效率。
北京林业大学 2021-02-01
多焦点光束产生装置及多焦点共焦扫描显微镜
本发明揭示了一种多焦点光束产生装置及多焦点共焦扫描显微镜,多焦点光束产生装置包括光源,偏振器和偏振滤波光路;偏振滤波光路在光源出射光束经过偏振器后的光路上设置有第一偏振分光镜,光束经过第一偏振分光镜后一部分发生反射,一部分发生透射;在反射光路上依次设置有第一反射镜,第一滤波片和第二偏振分光镜;在透射光路上依次设置有第二滤波片,第二反射镜和第二偏振分光镜,反射光束和透射光束在第二偏振分光镜处汇合成一束光束.通过多焦点光束产生装置产生的光束经聚焦后得到的焦点均匀性高,尺寸小和形状呈圆对称分布.本发明扫描显微镜可保证高分辨率的前提下成像速度快,或者在同样的成像速度下具有更高分辨率
上海理工大学 2021-05-04
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